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標簽 > MOS晶體管
MOS晶體管一般指N溝MOS晶體管,N溝MOS晶體管是金屬-氧化物-半導體(Metal-Oxide-Semiconductor)的一種,結構的晶體管簡稱MOS晶體管,有P型MOS管和N型MOS管之分。
MOS管構成的集成電路稱為MOS集成電路,而PMOS管和NMOS管共同構成的互補型MOS集成電路即為CMOS-IC。由p型襯底和兩個高濃度n擴散區(qū)構成的MOS管叫作n溝道MOS管,該管導通時在兩個高濃度n擴散區(qū)間形成n型導電溝道。n溝道增強型MOS管必須在柵極上施加正向偏壓,且只有柵源電壓大于閾值電壓時才有導電溝道產生的n溝道MOS管。n溝道耗盡型MOS管是指在不加柵壓(柵源電壓為零)時,就有導電溝道產生的n溝道MOS管。
這個噪聲可以通過一個級聯(lián)電壓源,或者并聯(lián)的電流源來模擬。電壓源和電流源的功率譜密度(PSD,power spectral density), 如下圖所示...
無論什么電子設備,運行時間長了都會使得溫度升高,當溫度過高的時候不免對設備功能造成影響,電源適配器也是如此,當溫度過高的時候,其內部的元器件功能就會受到...
MOS晶體管中各種類型的泄漏電流的原因? MOS晶體管是一種廣泛應用于現(xiàn)代電子技術中的晶體管,它具有低功耗、小尺寸、高密度等優(yōu)點,被廣泛應用于集成電路中...
杭州士蘭集成電路有限公司是由杭州士蘭微電子股份有限公司(滬市600460)出資設立的專業(yè)從事硅集成電路和分立器件的制造企業(yè),與母公司士蘭微電子有限公司一...
mos晶體管,金屬-氧化物-半導體(Metal-Oxide-Semiconductor)結構的晶體管簡稱MOS晶體管,有MOS管構成的集成電路稱為MOS...
近日,廣島大學開發(fā)的晶體管模型“HiSIM_SOI”已成為國際標準。本文就該晶體管模型進行了詳細介紹。
什么是耗盡型MOS晶體管 據(jù)導電方式的不同,MOSFET又分增強型、耗盡型。耗盡型是指,當VGS=0時即形成溝道,加上正確的VGS時,能使多數(shù)載流子流出溝
增強型MOS晶體管,增強型MOS晶體管是什么意思 根據(jù)導電方式的不同,MOSFET又分增強型、耗盡型。所謂增強型是指:當VGS=0時管子是呈截止狀態(tài),加上
MOS晶體管金屬-氧化物-半導體(Metal-Oxide-SEMIconductor)結構的晶體管簡稱MOS晶體管,有P型MOS管和N型MOS管之分...
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