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      標(biāo)簽　>　PQFN

      PQFN

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      pqfn技術(shù)

      英飛凌PQFN封裝器件熱傳播模型散熱結(jié)果對(duì)比分析

      英飛凌PQFN封裝器件熱傳播模型散熱結(jié)果對(duì)比分析

      如果再采用額外附加的散熱措施，如頂部粘貼散熱器或采用冷卻風(fēng)扇都可以增加模塊的電流輸出能力，擴(kuò)大PQFN封裝IPM模塊的應(yīng)用功率范圍。當(dāng)采用鋁基板代替FR...

      2022-04-14 標(biāo)簽：英飛凌傳播模型封裝器件 4616 0

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      pqfn資料下載

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      pqfn資訊

      IR推出采用PQFN4x4封裝的高壓柵級(jí)驅(qū)動(dòng)器

      IR擴(kuò)展其封裝系列，推出PQFN 4mm x 4mm封裝。IR最新的高壓柵級(jí)驅(qū)動(dòng)IC采用該封裝，為家用電器、工業(yè)自動(dòng)化、電動(dòng)工具和替代能源等一系列應(yīng)用提...

      2011-06-29 標(biāo)簽：IRPQFN 1236 0

      PQFN封裝技術(shù)提高能效和功率密度

      用改進(jìn)的PQFN器件一對(duì)一替換標(biāo)準(zhǔn)SO-8 MOSFET可提升總體工作效率。電流處理能力也能夠得以增強(qiáng)，并實(shí)現(xiàn)更高的功率密度。在以并聯(lián)方式使用的傳統(tǒng)MO...

      2011-03-09 標(biāo)簽：封裝技術(shù)功率密度PQFN 6247 0

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      pqfn數(shù)據(jù)手冊(cè)

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