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標簽 > RF-SOI

RF-SOI

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 RF SOI是絕緣體上硅(SOI)技術的RF版本,該工藝利用了內置隔離襯底的高電阻率特性。射頻SOI(RF-SOI)將延續其在4G應用的技術和市場優勢,繼續成為5G Sub-6GHz頻段手機射頻開關的主流解決方案。

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RF-SOI簡介

  RF SOI是絕緣體上硅(SOI)技術的RF版本,該工藝利用了內置隔離襯底的高電阻率特性。

  射頻SOI(RF-SOI)將延續其在4G應用的技術和市場優勢,繼續成為5G Sub-6GHz頻段手機射頻開關的主流解決方案。

  RF-SOI在4G手機射頻開關應用中占有絕對的市場優勢,RF SOI工藝可工作頻率很高,Ft/Fmax滿足毫米波工作頻率3至5倍的要求;RF SOI可以實現器件堆疊(device stacking),從而同時提高了功率與能效比

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