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標(biāo)簽 > reram
ReRAM代表電阻式RAM,將DRAM的讀寫速度與SSD的非易失性結(jié)合于一身。換句話說,關(guān)閉電源后存儲(chǔ)器仍能記住數(shù)據(jù)。如果ReRAM有足夠大的空間,一臺(tái)配備ReRAM的PC將不需要載入時(shí)間。
ReRAM代表電阻式RAM,將DRAM的讀寫速度與SSD的非易失性結(jié)合于一身。換句話說,關(guān)閉電源后存儲(chǔ)器仍能記住數(shù)據(jù)。如果ReRAM有足夠大的空間,一臺(tái)配備ReRAM的PC將不需要載入時(shí)間。
ReRAM與DB HiTek的BCD工藝集成的關(guān)鍵優(yōu)勢(shì)
通過ReRAM和BCD技術(shù)的協(xié)同作用,通關(guān)鍵目標(biāo)之一是實(shí)現(xiàn)單片集成,讓模擬、數(shù)字和功率組件能夠無縫地共存于同一芯片上,不僅僅簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)流程,還提升了整體...
“與MRAM相比,ReRAM有兩個(gè)主要優(yōu)勢(shì)——工藝簡(jiǎn)單和更寬的讀取窗口,”的內(nèi)存技術(shù)專家Jongsin Yun說西門子EDA。“MRAM需要10層以上的...
存儲(chǔ)芯片是什么 存儲(chǔ)芯片的分類及發(fā)展歷史
存儲(chǔ)芯片是半導(dǎo)體行業(yè)中非常重要的一類產(chǎn)品,我們?nèi)粘K械碾娮釉O(shè)備基本都會(huì)用到存儲(chǔ)器。據(jù)WSTS預(yù)測(cè),2023年全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到1675億美元,...
ReRAM代表電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,是一種非易失性存儲(chǔ)器,具有如低功耗和快速寫入的特長(zhǎng)。該存儲(chǔ)器在所有存儲(chǔ)器產(chǎn)品中的讀取電流都最小,特別適合于助聽器等可...
新型存儲(chǔ)MRAM 技術(shù)及產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀
全新的存儲(chǔ)器MRAM,ReRAM,PCRAM,相對(duì)于傳統(tǒng)存儲(chǔ)器來說,具有很多方面獨(dú)特的優(yōu)勢(shì),能夠在計(jì)算系統(tǒng)層級(jí)實(shí)現(xiàn)更優(yōu)的計(jì)算性能、功耗和成本。
全面介紹新型存儲(chǔ)技術(shù):PCM/MRAM/RRAM/ReRAM
MRAM是一種基于隧穿磁阻效應(yīng)的技術(shù),MRAM的產(chǎn)品主要適用于容量要求低的特殊應(yīng)用領(lǐng)域以及新興的IoT嵌入式存儲(chǔ)領(lǐng)域,該技術(shù)擁有讀寫次數(shù)無限、寫入速度快...
2023-01-07 標(biāo)簽:DRAM存儲(chǔ)器Nand flash 5300 0
在傳統(tǒng)的馮·諾依曼架構(gòu)中,處理與存儲(chǔ)單元是分離的。由于存算分離,AI計(jì)算的數(shù)據(jù)搬運(yùn)量非常大,會(huì)導(dǎo)致功耗大大增加,也就是存儲(chǔ)墻。
面向?qū)ο笙到y(tǒng)的采用,以及限制類型轉(zhuǎn)換的強(qiáng)類型語言和對(duì)程序員的一些限制,可以使執(zhí)行流程可預(yù)測(cè)并避免對(duì)單個(gè)連續(xù)內(nèi)存空間的需求。諸如在圖形和機(jī)器學(xué)習(xí)中發(fā)現(xiàn)的任...
2022-10-18 標(biāo)簽:CMOS晶體管機(jī)器學(xué)習(xí) 942 0
隨著對(duì)人工智能 (AI) 和內(nèi)存計(jì)算的興趣顯著增加,電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (ReRAM) 可能成為解鎖其模仿人腦能力的關(guān)鍵——但挑戰(zhàn)依然存在。
2022-07-14 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器cpu內(nèi)存計(jì)算 1631 0
相比PCRAM、eMVM,MRAM有何優(yōu)勢(shì)
雖然 PCRAM、MRAM、ReRAM 和 NRAM 等各種 NVM 技術(shù)具有相似的高級(jí)特征,但它們的物理渲染卻大相徑庭。這為每個(gè)人提供了自己的一系列...
ReRAM的含義和發(fā)展現(xiàn)狀及其在物聯(lián)網(wǎng)的趨勢(shì)下未來發(fā)展預(yù)測(cè)立即下載
類別:單片機(jī) 2017-09-22 標(biāo)簽:物聯(lián)網(wǎng)reram
字節(jié)跳動(dòng)的進(jìn)與退:低調(diào)發(fā)起MR市場(chǎng)攻勢(shì),TikTok國(guó)際市場(chǎng)受阻
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/莫婷婷)通過擴(kuò)大投資版圖,尋找第二增長(zhǎng)曲線是不少上市公司的策略。3月13日,天眼查顯示字條跳動(dòng)投資了昕原半導(dǎo)體,持股比例為9.5%...
2024-03-15 標(biāo)簽:虛擬現(xiàn)實(shí)MRreram 5656 0
2023年ReRAM技術(shù)開始進(jìn)入主流市場(chǎng)
ReRAM 代工工藝由臺(tái)積電、華邦和 Globalfoundries 提供支持,ReRAM 由瑞薩(通過收購(gòu) Adesto)、富士通、Microchip...
國(guó)產(chǎn)存算一體超速前進(jìn) 存算一體架構(gòu)有機(jī)會(huì)解決很多AI面臨的問題
僅僅在五、六年前,人工智能還只存在于人們的想象。雷峰網(wǎng)雷峰網(wǎng) 短短幾年間AI快速擴(kuò)張,AI算力和運(yùn)算數(shù)據(jù)量每年都在以指數(shù)級(jí)增加,對(duì)算力的需求空前,但摩爾...
億鑄科技聚焦國(guó)產(chǎn)存算一體AI大算力芯片,28納米工藝實(shí)現(xiàn)10倍能效比
“數(shù)字時(shí)代的關(guān)鍵資源是數(shù)據(jù)、算力和算法,其中數(shù)據(jù)是新生產(chǎn)資料,算力是新生產(chǎn)力,算法是新生產(chǎn)關(guān)系,三者構(gòu)成數(shù)字經(jīng)濟(jì)時(shí)代最基本的生產(chǎn)基石。” 2021年9月...
具有快速數(shù)據(jù)傳輸功能的4Mbit FeRAM MB85RQ4ML
加賀富儀艾電子旗下代理品牌富士通半導(dǎo)體正在批量生產(chǎn)具有快速數(shù)據(jù)傳輸功能的 4Mbit FeRAM MB85RQ4ML。這種非易失性存儲(chǔ)器可以在最大 10...
2022-08-26 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器Nand flashMRAM 624 0
以色列的 Weebit Nano 和法國(guó)研究機(jī)構(gòu) CEA-Leti 報(bào)告了電阻式 RAM (ReRAM) 技術(shù)的發(fā)展進(jìn)展,盡管很少有人準(zhǔn)備好迎接黃金時(shí)段...
ReRAM存算一體AI大算力芯片的獨(dú)特優(yōu)勢(shì)
近幾年,隨著傳統(tǒng)馮·諾依曼結(jié)構(gòu)的瓶頸逐漸顯現(xiàn),越來越多企業(yè)投身于存算一體芯片研發(fā)的浪潮中,試圖打破“存算墻”、“能耗墻”和“編譯墻”對(duì)AI應(yīng)用進(jìn)一步發(fā)展...
富士通推出12Mbit電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器MB85AS12MT
富士通半導(dǎo)體存儲(chǔ)器解決方案有限公司推出12Mbit ReRAM(電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)MB85AS12MT,這是富士通ReRAM產(chǎn)品系列中密度最大的產(chǎn)品。
專注ReRAM新型存儲(chǔ)器,昕原半導(dǎo)體宣布完成近億美元Pre-A輪融資
新型半導(dǎo)體存儲(chǔ)技術(shù)公司「昕原半導(dǎo)體」宣布完成近億美元的Pre-A輪融資,本輪融資由上海聯(lián)和投資領(lǐng)投,聯(lián)升投資、昆橋資本、聯(lián)新資本等基金跟投,主要用于存儲(chǔ)...
2021-04-06 標(biāo)簽:reram昕原半導(dǎo)體 6810 0
Dialog將非易失性電阻式RAM技術(shù)授權(quán)與格芯22FDX平臺(tái),服務(wù)IoT和AI應(yīng)用
Dialog獨(dú)有的且經(jīng)過生產(chǎn)驗(yàn)證的CBRAM技術(shù)是一項(xiàng)低功耗的NVM解決方案,專為物聯(lián)網(wǎng)(IoT)、5G連接、人工智能(AI)等一系列應(yīng)用而設(shè)計(jì)。
2020-10-20 標(biāo)簽:dialog人工智能嵌入式存儲(chǔ)器 885 0
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