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      標簽　>　SiC MOSFET

      SiC MOSFET

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      案例探討正電壓浪涌的對策和其效果

      案例探討正電壓浪涌的對策和其效果

      為了驗證抑制電路的效果，將抑制電路單獨安裝在SiC MOSFET（SCT3040KR）的驅動電路上并觀察了其波形。下面是所用SiC MOSFET的外觀和...

      2024-01-26 標簽：電容器驅動電路電壓浪涌 438 0

      SiC MOSFET的橋式結構

      SiC MOSFET的橋式結構

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      2023-12-07 標簽：SiC MOSFET 455 0

      SiC設計干貨分享（一）：SiC MOSFET驅動電壓的分析及探討

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      2023-12-05 標簽：SiC驅動電壓SiC MOSFET 1999 0

      芯塔電子發布自主研發1700V/5Ω SiC MOSFET產品

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      芯塔電子1700V/5Ω SiC MOSFET主要應用新能源汽車電池電壓檢測和絕緣監測。該應用場景中，使用碳化硅方案可以有效提升光耦繼電器整體性能，使之...

      2023-08-16 標簽：MOSFET功率器件SiC MOSFET 556 0

      特斯拉Model Y Gen-4主驅逆變器拆解

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      Model-Y Drive Unit的主要改進： 不再使用泄放電阻（可能使用電機繞組對母線電容放電）； 使用本地隔離偏置為柵極驅動器電路供電，以降低...

      2023-06-15 標簽：變壓器逆變器特斯拉 2619 0

      新能源汽車功率模塊結溫在線監測技術研究

      新能源汽車功率模塊結溫在線監測技術研究

      提出一種Si IGBT和SiC MOSFET功率器件導通壓降及電流在線檢測電路，設計了兼具結溫監測功能的驅動電路，并提出了- -種結溫反推方法，提升了結...

      2023-05-23 標簽：MOSFETIGBT功率器件 434 0

      一文詳解功率器件封裝結構熱設計方案

      一文詳解功率器件封裝結構熱設計方案

      通過對現有功率器件封裝方面文獻的總結，從器件封裝結構散熱路徑的角度可以將功率器件分為單面散熱器件、雙面散熱器件和多面散熱器件。

      2023-04-26 標簽：pcb半導體技術功率器件 1633 0

      典型車用IGBT芯片結構設計解析

      Sic MOSFET的正柵壓目前已經于Si IGBT相當(+15V) ,但負柵壓仍有很大差別(-5V) ，Sic MOSFET開關速度快引起的EMII問...

      2023-04-17 標簽：emiIGBT晶體管 465 0

      《電動汽車電力電子技術及市場-2023版》

      SiC MOSFET的采用是中期展望的主旋律，將迅速增長并主導市場份額，IDTechEx在報告中給出了各類器件的應用時間表。雖然經過驗證的SiC MOS...

      2023-02-23 標簽：電動汽車功率器件SiC MOSFET 1353 0

      高壓SiC MOSFET發展歷程與研究現狀

      高壓 SiC MOSFET 由于其單極工作模式，高擊穿電壓將嚴重限制器件的導通電流能力。例如對于10 kV 等級器件來說，室溫下其電流等級約為 20~4...

      2023-02-03 標簽：SiCSiC MOSFET 3279 0

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      IFWS&SSLCHINA2024 蘇州盛大開幕，超千人齊聚探尋產業科技創新融合新思路

      IFWS&SSLCHINA2024 蘇州盛大開幕，超千人齊聚探尋產業科技創新融合新思路

      2024年11月19日，第十屆國際第三代半導體論壇SSLCHINA2024）在蘇州開幕。本屆論壇由蘇州實驗室、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA...

      2024-11-20 標簽：半導體功率器件SiC MOSFET 262 0

      車載用SiC MOSFET又增10個型號，業界豐富的產品陣容！

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      ROHM面向xEV車載充電器和DC/DC轉換器，又推出10款SCT3xxxxxHR系列的SiC MOSFET 【 關鍵詞 】 滿足汽車電子產品可靠性標準...

      2024-08-25 標簽：元器件SiC MOSFET 205 0

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      IGBT的驅動電壓一般都是15V，而SiC MOSFET的推薦驅動電壓各品牌并不一致，15V、18V、20V都有廠家在用。更高的門極驅動電壓有助于降低器...

      2024-05-13 標簽：芯片MOSFETIGBT 553 0

      小米SU7碳化硅應用情況如何？

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      小米SU7單電機版，400V電壓平臺的電驅供應商為聯合汽車電子，其中搭載了來自博世的碳化硅芯片，根據調研：其中搭載了博世第二代750V，6毫歐的芯片產品。

      2024-04-11 標簽：永磁電機碳化硅SiC MOSFET 1182 0

      SiC MOSFET用于電機驅動的優勢在哪里

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      低電感電機 低電感電機有許多不同應用，包括大氣隙電機、無槽電機和低泄露感應電機。它們也可被用 在使用PCB定子而非繞組定子的新電機類型中。這些電機需要高...

      2024-01-16 標簽：電機電機驅動SiC MOSFET 276 0

      全球汽車半導體行業正在以每年10%速度增長

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      汽車半導體市場預計到 2022 年將達到 599 億美元，2023 年至 2032 年復合年增長率 (CAGR) 為 10.3%，達到 1531.1

      2023-12-21 標簽：存儲器功率器件半導體器件 768 0

      安世半導體推出首款SiC MOSFET，聚焦電動汽車充電樁等市場

      ，NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是安世半導體SiC MOSFET產品組合中首批發布的產品，隨后安世半導體將持續擴大產品陣容，推出...

      2023-12-05 標簽：電動汽車充電樁SiC MOSFET 431 0

      1000h SiC MOSFET體二極管可靠性報告

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      2023-12-05 標簽：二極管功率器件碳化硅 556 0

      三安半導體首發8英寸碳化硅襯底，國內8英寸加速布局！

      從產能來看，湖南三安現有SiC產能15,000片/月，較2022年底新增3,000片/月，提升25%；GaN-on-Si（硅基氮化鎵）產能2,000片/...

      2023-09-14 標簽：SiC氮化鎵碳化硅 1527 0

      SiC MOSFET器件技術現狀分析

      對于SiC功率MOSFET技術，報告指出，650-1700V SiC MOSFET技術快速迭代，單芯片電流可達200A。提升電流密度同時，解決好特有可靠...

      2023-08-08 標簽：二極管MOSFET光電半導體 716 0

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        董明珠， 出生于江蘇南京，企業家 ，先后畢業于安徽蕪湖職業技術學院、中南財經政法大學EMBA2008級 、中國社會科學院經濟學系研究生班、中歐國際工商學院EMBA 。 　　1990年進入格力做業務經理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經營部部長、副總經理、副董事長。并在2012年5月，被任命為格力集團董事長。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國人大代表，擔任民建中央常委、廣東省女企業家協會副會長、珠海市紅十字會榮譽會長等職務 。2004年3月，當選人民日報《中國經濟周刊》評選的2003-2004年度“中國十大女性經濟人物”。2004年6月被評為“受MBA尊敬的十大創新企業家”和2004年11月被評為“2004年度中國十大營銷人物”
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