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標簽 > SiC二極管
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使用 MPS SiC 二極管可最大限度地降低高頻開關模式電源中的損耗
與 Si 相比,Vishay 的 MPS SiC 肖特基二極管具有更高的正向電流額定值、更低的正向壓降和更低的反向恢復損耗,所有這些都采用更小的封裝和更...
寬禁帶(WBG)半導體技術將有望實現新電機能效及外形尺寸基準
國際能源署(IEA)估計,電機功耗占世界總電力的45%以上。因此,找到最大化其運行能效的方法至關重要。能效更高的驅動裝置可以更小,并且更靠近電機,從而減...
SIC二極管電壓過低不穩定的調試方法? 調試SIC二極管電壓過低不穩定的問題需要遵循一定的步驟和方法。本文將詳細介紹如何進行這樣的調試,并提供一些常見的...
開關電源設計優質選擇 Vishay威世科技第三代650V SiC二極管
Vishay 新型第三代 650V?SiC 二極管 器件采用 MPS 結構設計 額定電流 4 A~ 40 A 正向壓降、電容電荷和反向漏電流低 Vish...
吳強表示,安森美作為全球領先的半導體公司之一,是上能電氣長期以來的重要合作伙伴。本次聯合實驗室的成立,不僅是雙方合作邁向新高度的標志,也是雙方注重研發、...
上能電氣+安森美聯合實驗室揭牌圍繞半導體器件應用展開高水平合作
2月22日,上能電氣與安森美半導體(onsemi)聯合實驗室揭牌成立。安森美亞太區高級副總裁David Chow、中國區銷售副總裁Roy Chia,上能...
電子發燒友網報道(文/李誠)功率器件從硅基向碳化硅的轉型,成為了半導體集成電路領域快速發展的一個縮影,對整個電力電子行業的發展具有重大的影響。 ? 碳化...
2021-11-12 標簽:SiC二極管SiC MOSFET基本半導體 4000 0
ROHM開發出內置SiC二極管的IGBT(Hybrid IGBT)“RGWxx65C系列”
ROHM致力于為廣泛的應用提供有效的電源解決方案,不僅專注于行業先進的SiC功率元器件,還積極推動Si功率元器件和驅動IC的技術及產品開發。
相較于硅,碳化硅(SiC)肖特基二極管采用全新的技術,提供更出色的開關性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復電流,且具有不受溫度影響的開關特性和出色的散熱...
受宏觀經濟疲軟影響,2012年半導體市場總體呈現了不景氣。英飛凌科技電源管理與多元化市場部全球總監Thomas Schmidt表示,2013年的半導...
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