精品国产人成在线_亚洲高清无码在线观看_国产在线视频国产永久2021_国产AV综合第一页一个的一区免费影院黑人_最近中文字幕MV高清在线视频

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

標簽 > SiC

SiC

+關注 0人關注

金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

文章: 2418
視頻: 20
瀏覽: 62458
帖子: 123

SiC簡介

  金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。 碳化硅又稱碳硅石。在當代C、N、B等非氧化物高技術耐火原料中,碳化硅為應用最廣泛、最經(jīng)濟的一種,可以稱為金鋼砂或耐火砂。 目前中國工業(yè)生產(chǎn)的碳化硅分為黑色碳化硅和綠色碳化硅兩種,均為六方晶體,比重為3.20~3.25,顯微硬度為2840~3320kg/mm2。

SiC百科

  金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。 碳化硅又稱碳硅石。在當代C、N、B等非氧化物高技術耐火原料中,碳化硅為應用最廣泛、最經(jīng)濟的一種,可以稱為金鋼砂或耐火砂。 目前中國工業(yè)生產(chǎn)的碳化硅分為黑色碳化硅和綠色碳化硅兩種,均為六方晶體,比重為3.20~3.25,顯微硬度為2840~3320kg/mm2。

  制作工藝

  由于天然含量甚少,碳化硅主要多為人造。常見的方法是將石英砂與焦炭混合,利用其中的二氧化硅和石油焦,加入食鹽和木屑,置入電爐中,加熱到2000°C左右高溫,經(jīng)過各種化學工藝流程后得到碳化硅微粉。

  碳化硅(SiC)因其很大的硬度而成為一種重要的磨料,但其應用范圍卻超過一般的磨料。例如,它所具有的耐高溫性、導熱性而成為隧道窯或梭式窯的首選窯具材料之一,它所具有的導電性使其成為一種重要的電加熱元件等。制備SiC制品首先要制備SiC冶煉塊[或稱:SiC顆粒料,因含有C且超硬,因此SiC顆粒料曾被稱為:金剛砂。但要注意:它與天然金剛砂(也稱:石榴子石)的成分不同。在工業(yè)生產(chǎn)中,SiC冶煉塊通常以石英、石油焦等為原料,輔助回收料、乏料,經(jīng)過粉磨等工序調配成為配比合理與粒度合適的爐料(為了調節(jié)爐料的透氣性需要加入適量的木屑,制備綠碳化硅時還要添加適量食鹽)經(jīng)高溫制備而成。高溫制備SiC冶煉塊的熱工設備是專用的碳化硅電爐,其結構由爐底、內面鑲有電極的端墻、可卸式側墻、爐心體(全稱為:電爐中心的通電發(fā)熱體,一般用石墨粉或石油焦炭按一定的形狀與尺寸安裝在爐料中心,一般為圓形或矩形。其兩端與電極相連)等組成。該電爐所用的燒成方法俗稱:埋粉燒成。它一通電即為加熱開始,爐心體溫度約2500℃,甚至更高(2600~2700℃),爐料達到1450℃時開始合成SiC(但SiC主要是在≥1800℃時形成),且放出co。然而,≥2600℃時SiC會分解,但分解出的si又會與爐料中的C生成SiC。每組電爐配備一組變壓器,但生產(chǎn)時只對單一電爐供電,以便根據(jù)電負荷特性調節(jié)電壓來基本上保持恒功率,大功率電爐要加熱約24 h,停電后生成SiC的反應基本結束,再經(jīng)過一段時間的冷卻就可以拆除側墻,然后逐步取出爐料。

  高溫煅燒后的爐料從外到內分別是:未反應料(在爐中起保溫作用)、氧碳化硅羼(半反應料,主要成分是C與SiO。)、粘結物層(是粘結很緊的物料層,主要成分是C、SiO2、40%~60%SiC以及Fe、Al、Ca、Mg的碳酸鹽)、無定形物層(主要成分是70%~90%SiC,而且是立方SiC即β-sic,其余是C、SiO2及Fe、A1、Ca、Mg的碳酸鹽)、二級品SiC層(主要成分是90%~95%SiC,該層已生成六方SiC即口一SiC,但結晶體較小、很脆弱,不能作為磨料)、一級品SiC層(SiC含量《96%,而且是六方SiC即口一SiC的粗大結晶體)、爐芯體石墨。在上述各層料中,通常將未反應料和一部分氧碳化硅層料作為乏料收集,將氧碳化硅層的另一部分料與無定形物、二級品、部分粘結物一起收集為回爐料,而一些粘結很緊、塊度大、雜質多的粘結物則拋棄之。而一級品則經(jīng)過分級、粗碎、細碎、化學處理、干燥與篩分、磁選后就成為各種粒度的黑色或綠色的SiC顆粒。要制成碳化硅微粉還要經(jīng)過水選過程;要做成碳化硅制品還要經(jīng)過成型與結燒的過程。

查看詳情

sic知識

展開查看更多

sic技術

組串式逆變器市占率將逼近八成,SiC應用空間巨大

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/梁浩斌)在光伏發(fā)電系統(tǒng)中,光伏逆變器將光伏發(fā)電板所產(chǎn)生的直流電,轉化為可接入電網(wǎng)和提供給電器使用的交流電。近年來,得益于光伏發(fā)電等...

2024-11-25 標簽:逆變器光伏SiC 1151 0

功率器件在多次循環(huán)雙脈沖測試中的應用

功率器件在多次循環(huán)雙脈沖測試中的應用

隨著電力電子技術的飛速發(fā)展,功率器件在電動汽車、可再生能源、智能電網(wǎng)等領域的應用日益廣泛。這些應用對功率器件的性能和可靠性提出了更高的要求。特別是在電動...

2024-11-26 標簽:半導體功率器件SiC 82 0

一文詳解SiC柵極絕緣層加工工藝

一文詳解SiC柵極絕緣層加工工藝

柵極氧化層可靠性是SiC器件應用的一個關注點。本節(jié)介紹SiC柵極絕緣層加工工藝,重點介紹其與Si的不同之處。

2024-11-20 標簽:MOSFETSiC加工工藝 270 0

理想的太陽能光伏逆變器如何造?

理想的太陽能光伏逆變器如何造?

全球能源行業(yè)正處在一場持續(xù)而深刻的變革之中——即從化石燃料能源,向可再生能源的轉變。這個過程盡管曲折,但是對于大趨勢大家早已有了共識,加之近年來智能電網(wǎng)...

2024-11-20 標簽:太陽能逆變器SiC 544 0

深度了解SiC的晶體結構

深度了解SiC的晶體結構

SiC是由硅(Si)和碳(C)按1:1的化學計量比組成的晶體,因其內部結構堆積順序的不同,形成不同的SiC多型體,本篇章帶你了解SiC的晶體結構及其可能...

2024-11-14 標簽:半導體晶體SiC 289 0

深度了解SiC材料的物理特性

深度了解SiC材料的物理特性

與Si材料相比,SiC半導體材料在物理特性上優(yōu)勢明顯,比如擊穿電場強度高、耐高溫、熱傳導性好等,使其適合于制造高耐壓、低損耗功率器件。本篇章帶你詳細了解...

2024-11-14 標簽:半導體材料功率器件 321 0

一文詳解SiC的晶體缺陷

一文詳解SiC的晶體缺陷

SiC晶體中存在各種缺陷,對SiC器件性能有直接的影響。研究清楚各類缺陷的構成和生長機制非常重要。本文帶你了解SiC的晶體缺陷及其如何影響SiC器件特性。

2024-11-14 標簽:晶體SiCsic器件 243 0

一文詳解SiC單晶生長技術

一文詳解SiC單晶生長技術

高質量低缺陷的SiC晶體是制備SiC功率半導體器件的關鍵,目前比較主流的生長方法有PVT法、液相法以及高溫CVD法等,本文帶你了解以上三種SiC晶體生長...

2024-11-14 標簽:半導體晶體SiC 167 0

SiC單晶襯底加工技術的工藝流程

SiC單晶襯底加工技術的工藝流程

SiC單晶是一種硬而脆的材料,切片加工難度大,磨削精度要求高,因此晶圓制造是一個長時間且難度較高的過程。本文介紹了幾種SiC單晶的切割加工技術以及近年來...

2024-11-14 標簽:SiC工藝流程加工技術 170 0

SiC外延生長技術的生產(chǎn)過程及注意事項

SiC外延生長技術的生產(chǎn)過程及注意事項

SiC外延生長技術是SiC功率器件制備的核心技術之一,外延質量直接影響SiC器件的性能。目前應用較多的SiC外延生長方法是化學氣相沉積(CVD),本文簡...

2024-11-14 標簽:晶圓功率器件SiC 187 0

查看更多>>

sic資訊

ROHM推出表面貼裝型SiC肖特基勢壘二極管

ROHM推出表面貼裝型SiC肖特基勢壘二極管

全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)開發(fā)出引腳間爬電距離*1更長、絕緣電阻更高的表面貼裝型SiC肖特基勢壘二極管(以下簡稱“SBD”)。目...

2024-11-26 標簽:二極管SBDSiC 77 0

安森美三大碳化硅解決方案賦能電動汽車充電效率提升

安森美三大碳化硅解決方案賦能電動汽車充電效率提升

習慣能在5分鐘內完成能量補給的燃油車車主們,難免會對新能源汽車產(chǎn)生“里程焦慮”。這種焦慮源自于汽車的充電時間和續(xù)航能力。然而,隨著充電技術的不斷提升,特...

2024-11-26 標簽:新能源汽車安森美安富利 147 0

碳化硅SiC在光電器件中的使用

碳化硅的基本特性 碳化硅是一種由碳和硅組成的化合物半導體,具有以下特性: 寬帶隙 :SiC的帶隙寬度約為3.26eV,遠大于硅(Si)的1.12eV,這...

2024-11-25 標簽:探測器光電器件SiC 306 0

碳化硅SiC在高溫環(huán)境下的表現(xiàn)

碳化硅(SiC)在高溫環(huán)境下的表現(xiàn)非常出色,這得益于其獨特的物理和化學性質。以下是對碳化硅在高溫環(huán)境下表現(xiàn)的分析: 一、高溫穩(wěn)定性 碳化硅具有極高的熔點...

2024-11-25 標簽:半導體材料SiC碳化硅 167 0

碳化硅SiC制造工藝詳解 碳化硅SiC與傳統(tǒng)半導體對比

碳化硅SiC制造工藝詳解 碳化硅(SiC)作為一種高性能的半導體材料,其制造工藝涉及多個復雜步驟,以下是對SiC制造工藝的詳細介紹: 原材料選擇與預處理...

2024-11-25 標簽:半導體晶圓SiC 222 0

碳化硅SiC在電子器件中的應用

隨著科技的不斷進步,電子器件的性能要求也日益提高。傳統(tǒng)的硅(Si)材料在某些應用中已經(jīng)接近其物理極限,尤其是在高溫、高壓和高頻領域。碳化硅(SiC)作為...

2024-11-25 標簽:電子器件半導體材料SiC 207 0

碳化硅SiC材料應用 碳化硅SiC的優(yōu)勢與性能

碳化硅SiC材料應用 1. 半導體領域 碳化硅是制造高性能半導體器件的理想材料,尤其是在高頻、高溫、高壓和高功率的應用中。SiC基半導體器件包括肖特基二...

2024-11-25 標簽:SiC半導體器件碳化硅 181 0

新品 | CoolSiC? MOSFET 650V G2,7mΩ,采用TO247和TO247-4封裝

新品 | CoolSiC? MOSFET 650V G2,7mΩ,采用TO247和TO247-4封裝

新品CoolSiCMOSFET650VG2,7mΩ,采用TO247和TO247-4封裝CoolSiCMOSFET650VG2,7mΩ,采用TO-247和...

2024-11-23 標簽:MOSFET封裝SiC 47 0

組串式逆變器市占率將逼近八成,SiC應用空間巨大

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/梁浩斌)在光伏發(fā)電系統(tǒng)中,光伏逆變器將光伏發(fā)電板所產(chǎn)生的直流電,轉化為可接入電網(wǎng)和提供給電器使用的交流電。近年來,得益于光伏發(fā)電等...

2024-11-25 標簽:逆變器光伏SiC 1151 0

一文看懂2025年功率半導體市場展望

一文看懂2025年功率半導體市場展望

功率半導體市場目前正在經(jīng)歷庫存調整,幾乎涵蓋了從消費到汽車再到工業(yè)等所有垂直市場。然而,在數(shù)據(jù)中心人工智能 (AI) 等應用中,功率半導體正大放異彩,同...

2024-11-22 標簽:SiC人工智能GaN 361 0

查看更多>>

sic數(shù)據(jù)手冊

相關標簽

相關話題

換一批
  • 快充技術
    快充技術
    +關注
  • 尼吉康
    尼吉康
    +關注
  • trinamic
    trinamic
    +關注
    TRINAMIC總部位于德國漢堡,經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導體行業(yè)被稱作是一個神話,主要致力與運動控制產(chǎn)品的設計與研發(fā)(步進和直流無刷系統(tǒng))主要產(chǎn)品包括芯片,模塊和系統(tǒng)。
  • 無線供電
    無線供電
    +關注
    無線供電,是一種方便安全的新技術,無需任何物理上的連接,電能可以近距離無接觸地傳輸給負載。實際上近距離的無線供電技術早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn),而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西,都已經(jīng)在使用無線供電。
  • 寧德時代
    寧德時代
    +關注
  • 艾德克斯
    艾德克斯
    +關注
    ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商,致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關產(chǎn)業(yè)測試解決方案的研究,通過不斷深入了解各個行業(yè)的測試需求,持續(xù)提供給客戶具有競爭力的測試方案。
  • 快充
    快充
    +關注
    目前手機快速充電主要分為三大類:VOOC閃充快速充電技術、高通Quick Charge 2.0快速充電技術、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術。 另外在電動汽車領域快充也有很大的需求,電動車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時快速充電”成為現(xiàn)實。
  • Qi標準
    Qi標準
    +關注
    國際無線充電聯(lián)盟(Wireless Power Consortium,WPC)2010年8月31日上午在北京釣魚臺國賓館發(fā)布Qi無線充電國際標準,將該標準引入中國。
  • Pebble
    Pebble
    +關注
    Pebble,是一家智能手表廠商。2015年2 月底,智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌,上線不足 1 小時就籌到了 100 萬美元。
  • WPC
    WPC
    +關注
  • 手機快充
    手機快充
    +關注
    手機快充電主要分為三大類:VOOC閃充快速充電技術、高通Quick Charge 2.0快速充電技術、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術。
  • A4WP
    A4WP
    +關注
    A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無線充電聯(lián)盟,英特爾已加入該組織,并成為董事成員。
  • 電池系統(tǒng)
    電池系統(tǒng)
    +關注
     BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家,主要就是為了智能化管理及維護各個電池單元,防止電池出現(xiàn)過充電和過放電,延長電池的使用壽命,監(jiān)控電池的狀態(tài)。
  • MAX660
    MAX660
    +關注
    MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉換為相應的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個低成本電容器,電荷泵的 100mA 輸出取代了開關穩(wěn)壓器,消除了電感器及其相關成本、尺寸和 EMI。
  • 智能變電站
    智能變電站
    +關注
    采用可靠、經(jīng)濟、集成、低碳、環(huán)保的設備與設計,以全站信息數(shù)字化、通信平臺網(wǎng)絡化、信息共享標準化、系統(tǒng)功能集成化、結構設計緊湊化、高壓設備智能化和運行狀態(tài)可視化等為基本要求,能夠支持電網(wǎng)實時在線分析和控制決策,進而提高整個電網(wǎng)運行可靠性及經(jīng)濟性的變電站。
  • USB PD
    USB PD
    +關注
  • 太陽能充電
    太陽能充電
    +關注
  • PSR
    PSR
    +關注
  • 光伏并網(wǎng)逆變器
    光伏并網(wǎng)逆變器
    +關注
    逆變器將直流電轉化為交流電,若直流電壓較低,則通過交流變壓器升壓,即得到標準交流電壓和頻率。對大容量的逆變器,由于直流母線電壓較高,交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達到220V,在中、小容量的逆變器中,由于直流電壓較低,如12V、24V,就必須設計升壓電路。
  • 浪涌抑制器
    浪涌抑制器
    +關注
  • USB-PD
    USB-PD
    +關注
  • 納微半導體
    納微半導體
    +關注
    Navitas 成立于 2014 年,開發(fā)的超高效氮化鎵 (GaN)半導體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領域。Navitas 這個名字來源于拉丁語中的能源,它不僅體現(xiàn)了我們對開發(fā)技術以改善和更可持續(xù)的能源使用的關注,還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計 13B 美元的功率半導體市場帶來的能源。
  • PWM信號
    PWM信號
    +關注
    脈沖寬度調制是一種模擬控制方式,根據(jù)相應載荷的變化來調制晶體管基極或MOS管柵極的偏置,來實現(xiàn)晶體管或MOS管導通時間的改變,從而實現(xiàn)開關穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時保持恒定,是利用微處理器的數(shù)字信號對模擬電路進行控制的一種非常有效的技術。
  • 醫(yī)療電源
    醫(yī)療電源
    +關注
  • 系統(tǒng)電源
    系統(tǒng)電源
    +關注
  • DCDC電源
    DCDC電源
    +關注
    DC/DC表示的是將某一電壓等級的直流電源變換其他電壓等級直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級變換關系分升壓電源和降壓電源兩類,按輸入輸出關系分隔離電源和無隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
  • 共享充電寶
    共享充電寶
    +關注
    共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設備,用戶使用移動設備掃描設備屏幕上的二維碼交付押金,即可租借一個充電寶,充電寶成功歸還后,押金可隨時提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月,研究機構數(shù)據(jù)顯示,2020年全國在線共享充電寶設備量已超過440萬,用戶規(guī)模超過2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場景的激增,消費者對共享充電寶的價格變得越來越敏感。
  • LT8705
    LT8705
    +關注
  • UCD3138
    UCD3138
    +關注
  • 董明珠
    董明珠
    +關注
    董明珠, 出生于江蘇南京,企業(yè)家 ,先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術學院、中南財經(jīng)政法大學EMBA2008級 、中國社會科學院經(jīng)濟學系研究生班、中歐國際工商學院EMBA 。   1990年進入格力做業(yè)務經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營部部長、副總經(jīng)理、副董事長。并在2012年5月,被任命為格力集團董事長。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國人大代表,擔任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會副會長、珠海市紅十字會榮譽會長等職務 。2004年3月,當選人民日報《中國經(jīng)濟周刊》評選的2003-2004年度“中國十大女性經(jīng)濟人物”。2004年6月被評為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評為“2004年度中國十大營銷人物”

關注此標簽的用戶(29人)

jf_87116849 jf_27590559 Austin11122 jf_19631743 jf_91020522 efans_80e021 13148775181 畫皮西瓜 角里先生同學 jf_59050084 cqdfig jf_56680965

編輯推薦廠商產(chǎn)品技術軟件/工具OS/語言教程專題