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      標簽　>　V-NAND

      V-NAND

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      v-nand技術

      三星宣布量產第九代V-NAND芯片，位密度提升50%

      在技術層面，第九代V-NAND無疑展現出了三星的卓越技術實力。它采用了雙重堆疊技術，在原有的旗艦V8閃存236層的基礎上，再次實現了技術上的重大突破，堆...

      2024-04-28 標簽：NANDTLCV-NAND 1071 0

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      三星24年生產第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產三層堆棧架構321層NAND閃存 存儲領域的競爭愈加激烈，三星電子計劃在2023年正式生產第9...

      2023-08-21 標簽：閃存NAND閃存SK海力士 517 0

      三星電子量產最高存儲密度的1Tb 第8代V-NAND

      1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存儲密度，可為全球企業系統提供容量更大、密度更高的存儲解決方案。

      2022-12-06 標簽：三星電子V-NANDDDR5 576 0

      三星推出容量達1Tb的V-NAND單晶粒

      在舊金山的閃存峰會上，三星宣布推出新一代V-NAND單晶粒，容量高達1Tb，用于消費級產品。

      2018-05-16 標簽：三星電子SSDV-NAND 912 0

      48層堆疊V-NAND存儲器，將提升三星成本競爭契機

      三星目前已完成32層堆疊第二代V-NAND的研發作業，計劃第3季推出48層堆疊第三代V-NAND產品后，于2016年生產64層堆疊的V-NAND產品。

      2015-08-11 標簽：DRAM存儲器V-NAND 824 0

      新一代存儲器？十年后再說吧！

      　很少人會想到 NAND快閃記憶體已經快要消失在地平線上、即將被某種新技術取代，筆者最近參加了一場IBM/Texas Memory Systems關于快...

      2014-04-11 標簽：NAND存儲器V-NAND 2799 0

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