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標(biāo)簽 > am29f040b
Am29F040B是一個(gè)4兆位、僅5.0伏的閃存內(nèi)存-ory組織為524288 KB,每個(gè)字節(jié)8位。這個(gè)512 KB的數(shù)據(jù)分為8個(gè)64字節(jié)的扇區(qū)每個(gè)字節(jié)具有靈活的擦除功能。的8位數(shù)據(jù)顯示在DQ0-DQ7上。
Am29F040B是一個(gè)4兆位、僅5.0伏的閃存內(nèi)存-ory組織為524288 KB,每個(gè)字節(jié)8位。這個(gè)512 KB的數(shù)據(jù)分為8個(gè)64字節(jié)的扇區(qū)每個(gè)字節(jié)具有靈活的擦除功能。的8位數(shù)據(jù)顯示在DQ0-DQ7上。
提供Am29F040B32針PLCC、TSOP和PDIP封裝。此設(shè)備設(shè)計(jì)為在系統(tǒng)中使用stan進(jìn)行編程-dard系統(tǒng)5.0 V cc電源。12.0伏V PP不是寫(xiě)入或擦除操作所需。設(shè)備可以也可以在標(biāo)準(zhǔn)EPROM編程器中編程。
該設(shè)備使用AMD的0.32μm pro制造-cess技術(shù),并提供所有功能和Am29F040的優(yōu)點(diǎn)采用0.5μm工藝技術(shù)。此外Am29F040B有第二個(gè)切換位DQ2,也有-表示在擦除掛起模式下編程的能力。
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