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標簽 > am29f040b
Am29F040B是一個4兆位、僅5.0伏的閃存內存-ory組織為524288 KB,每個字節8位。這個512 KB的數據分為8個64字節的扇區每個字節具有靈活的擦除功能。的8位數據顯示在DQ0-DQ7上。
Am29F040B是一個4兆位、僅5.0伏的閃存內存-ory組織為524288 KB,每個字節8位。這個512 KB的數據分為8個64字節的扇區每個字節具有靈活的擦除功能。的8位數據顯示在DQ0-DQ7上。
提供Am29F040B32針PLCC、TSOP和PDIP封裝。此設備設計為在系統中使用stan進行編程-dard系統5.0 V cc電源。12.0伏V PP不是寫入或擦除操作所需。設備可以也可以在標準EPROM編程器中編程。
該設備使用AMD的0.32μm pro制造-cess技術,并提供所有功能和Am29F040的優點采用0.5μm工藝技術。此外Am29F040B有第二個切換位DQ2,也有-表示在擦除掛起模式下編程的能力。
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