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ATmega8 是ATMEL公司在2002年第一季度推出的一款新型AVR高檔單片機。是一種非常特殊的單片機,采用了小引腳封裝。
ATmega8 是ATMEL公司在2002年第一季度推出的一款新型AVR高檔單片機。是一種非常特殊的單片機,采用了小引腳封裝。
ATmega8 有2個具有比較模式的帶預分頻器( Separate Prescale)的 8位定時/計數器。1個帶預分頻器(SeParat Prescale),具有比較和捕獲模式的 16位定時/計數器。
ATmega8 是ATMEL公司在2002年第一季度推出的一款新型AVR高檔單片機。是一種非常特殊的單片機,采用了小引腳封裝。
ATmega8 有2個具有比較模式的帶預分頻器( Separate Prescale)的 8位定時/計數器。1個帶預分頻器(SeParat Prescale),具有比較和捕獲模式的 16位定時/計數器。
在AVR家族中,ATmega8是一種非常特殊的單片機,它的芯片內部集成了較大 容量的存儲器和豐富強大的硬件接口電路,具備AVR高檔單片機MEGE系列的全部性能和特點。但由于采用了小引腳封裝(為DIP 28和TQFP/MLF32),所以其價格僅與低檔單片機相當,再加上AVR單片機的系統內可編程特性,使得無需購買昂貴的仿真器和編程器也可進行單片機 嵌入式系統的設計和開發,同時也為單片機的初學者提供了非常方便和簡捷的學習開發環境。
ATmega8的這些特點,使其成為一款具有極高性能價格比的單片機,深受廣大單片機用戶的喜愛,在產品應用市場上極具競爭力,被很多家用電器廠商和儀器儀表行業看中,從而使ATmega8迅速進入大批量的應用領域。
ATmega系列單片機屬于AVR中的高檔產品,它承襲了AT90所具有的特點,并在AT90(如 AT9058515、AT9058535)的基礎上,增加了更多的接口功能,而且在省電性能、穩定性、抗干擾性以及靈活性方面考慮得更加周全和完善。
ATmega8 是一款采用低功耗CMOS工藝生產的基于AVR RISC結構的8位單片機。AVR單片機的核心是將32個工作寄存器和豐富的指令集聯結在一起,所有的工作寄存器都與ALU(算術邏輯單元)直接相連,實 現了在一個時鐘周期內執行的一條指令同時訪問(讀寫)兩個獨立寄存器的操作。這種結構提高了代碼效率,使得大部分指令的執行時間僅為一個時鐘周期。因此, ATmega8可以達到接近1MIPS/MHz的性能,運行速度比普通CISC單片機高出10倍。
Atmega8的詳細參數
ATmega8 參數 ATmega8存儲器 Flash ROM 8KB SRAM 1024B EEPROM 512B ATmega8性能參數特性 工作頻率 0-8MHz (ATmega8L) 0-16MHz (ATmega8) 工作電壓 2.7-5.5V (ATmega8L) 4.5-5.5V (ATmega8) I/O口 23個 16位定時器 / 計數器 1 8位定時器 / 計數器 2 PWM 3 RTC YES SPI 1 UART 1 TWI YES 10位ADC 6(DIP)
8(TQFP / MLF) 模擬比較器 1 WDT 1(帶獨立片內振蕩器) 外部中斷 2 睡眠模式 5種 硬件乘法器 YES 片內振蕩器 YES 引腳電平中斷/喚醒功能 NO 掉電檢測 YES 上電復位 YES ATmega8封裝與引腳數 PDIP 28PIN QFP 32PIN QFN / MLF 32PIN ATmega8編程與調試方式 編程方式 ISP IAP H/PV 仿真方式 仿真頭接入,
模擬式仿真 4 ATmega8(L)
2486N–AVR–07/04
AVR 內核具有豐富的指令集和32 個通用工作寄存器。所有的寄存器都直接與算邏單元
?。ˋLU) 相連接,使得一條指令可以在一個時鐘周期內同時訪問兩個獨立的寄存器。這種結
構大大提高了代碼效率,并且具有比普通的CISC 微控制器最高至10 倍的數據吞吐率。
ATmega8 有如下特點:8K 字節的系統內可編程Flash( 具有同時讀寫的能力,即RWW),
512 字節 EEPROM,1K 字節 SRAM,32 個通用I/O 口線,32 個通用工作寄存器,三個
具有比較模式的靈活的定時器/ 計數器(T/C), 片內/ 外中斷,可編程串行USART,面向
字節的兩線串行接口, 10 位6 路 (8 路為TQFP 與MLF 封裝)ADC,具有片內振蕩器的
可編程看門狗定時器,一個SPI 串行端口,以及五種可以通過軟件進行選擇的省電模式。
工作于空閑模式時CPU 停止工作,而SRAM、T/C、 SPI 端口以及中斷系統繼續工作;
掉電模式時晶體振蕩器停止振蕩,所有功能除了中斷和硬件復位之外都停止工作;在省
電模式下,異步定時器繼續運行,允許用戶保持一個時間基準,而其余功能模塊處于休眠
狀態; ADC 噪聲抑制模式時終止CPU 和除了異步定時器與ADC 以外所有I/O 模塊的工
作,以降低ADC 轉換時的開關噪聲; Standby 模式下只有晶體或諧振振蕩器運行,其余
功能模塊處于休眠狀態,使得器件只消耗極少的電流,同時具有快速啟動能力。
本芯片是以Atmel 高密度非易失性存儲器技術生產的。片內ISP Flash 允許程序存儲器通
過ISP 串行接口,或者通用編程器進行編程,也可以通過運行于AVR 內核之中的引導程
序進行編程。引導程序可以使用任意接口將應用程序下載到應用Flash存儲區(Application
Flash Memory)。在更新應用Flash存儲區時引導Flash區(Boot Flash Memory)的程序繼續
運行,實現了RWW 操作。 通過將8 位RISC CPU 與系統內可編程的Flash 集成在一個
芯片內,ATmega8 成為一個功能強大的單片機,為許多嵌入式控制應用提供了靈活而低
成本的解決方案。
ATmega8 具有一整套的編程與系統開發工具,包括:C 語言編譯器、宏匯編、 程序調試
器/ 軟件仿真器、仿真器及評估板。
聲明本數據手冊的典型值來源于對器件的仿真,以及其他基于相同產生工藝的 AVR 微控制器
的標定特性。本器件經過特性化之后將給出實際的最大值和最小值。
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ATmega8(L)
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引腳說明
VCC 數字電路的電源。
GND 地。
端口B(PB7..PB0)
XTAL1/XTAL2/TOSC1/TOSC2
端口B 為8 位雙向I/O 口,具有可編程的內部上拉電阻。其輸出緩沖器具有對稱的驅動特
性,可以輸出和吸收大電流。作為輸入使用時,若內部上拉電阻使能,端口被外部電路拉
低時將輸出電流。在復位過程中,即使系統時鐘還未起振,端口B 處于高阻狀態。
通過時鐘選擇熔絲位的設置, PB6 可作為反向振蕩放大器或時鐘操作電路的輸入端。
通過時鐘選擇熔絲位的設置PB7 可作為反向振蕩放大器的輸出端。
若將片內標定RC 振蕩器作為芯片時鐘源,且ASSR 寄存器的AS2 位設置,PB7..6 作為
異步 T/C2 的TOSC2..1 輸入端。
端口B 的其他功能見P 55“ 端口B 的第二功能” 及P 22“ 系統時鐘及時鐘選項” 。
端口C(PC5..PC0) 端口C 為7 位雙向I/O 口,具有可編程的內部上拉電阻。其輸出緩沖器具有對稱的驅動特
性,可以輸出和吸收大電流。作為輸入使用時,若內部上拉電阻使能,端口被外部電路拉
低時將輸出電流。在復位過程中,即使系統時鐘還未起振,端口C 處于高阻狀態。
PC6/RESET 若RSTDISBL 熔絲位編程, PC6 作為I/O 引腳使用。注意PC6 的電氣特性與端口C 的
其他引腳不同
若RSTDISBL 熔絲位未編程,PC6 作為復位輸入引腳。持續時間超過最小門限時間的低
電平將引起系統復位。門限時間見P 35Table 15 。持續時間小于門限時間的脈沖不能保
證可靠復位。
端口C 的其他功能見后。
端口D(PD7..PD0) 端口D 為8 位雙向I/O 口,具有可編程的內部上拉電阻。其輸出緩沖器具有對稱的驅動特
性,可以輸出和吸收大電流。作為輸入使用時,若內部上拉電阻使能,則端口被外部電路
拉低時將輸出電流。在復位過程中,即使系統時鐘還未起振,端口D 處于高阻狀態。
端口D 的其他功能見后。
RESET 復位輸入引腳。持續時間超過最小門限時間的低電平將引起系統復位。門限時間見 P
35Table 15 。持續時間小于門限時間的脈沖不能保證可靠復位。
30 ATmega8(L)
2486N–AVR–07/04
電源管理及睡眠模式睡眠模式可以使應用程序關閉MCU 中沒有使用的模塊,從而降低功耗。AVR 具有不同
的睡眠模式,允許用戶根據自己的應用要求實施剪裁。
進入睡眠模式的條件是置位寄存器MCUCR 的SE,然后執行SLEEP 指令。具體哪一種
模式( 空閑模式、ADC 噪聲抑制模式、掉電模式、省電模式及Standby 模式) 由MCUCR
的SM2、SM1 和SM0 決定,如Table 13 所示。使能的中斷可以將進入睡眠模式的MCU
喚醒。經過啟動時間,外加4 個時鐘周期后, MCU 就可以運行中斷例程了。然后返回到
SLEEP的下一條指令。喚醒時不會改變寄存器文件和SRAM的內容。如果在睡眠過程中發
生了復位,則MCU 喚醒后從中斷向量開始執行。
注意,由于TOSC 與XTAL 共用同一引腳,對于許多AVR MCU 中有的擴展Standby 模
式在ATmega8 中已刪除。
P 22Figure 10 介紹了ATmega8不同的時鐘系統及其分布。此圖在選擇合適的睡眠模式時
非常有用。
MCU 控制寄存器- MCUCR MCU 控制寄存器包含了電源管理的控制位。
· Bit 7 – SE: 休眠使能
為了使MCU 在執行SLEEP 指令后進入休眠模式, SE 必須置位。為了確保進入休眠模
式是程序員的有意行為,建議僅在SLEEP 指令的前一條指令置位SE。MCU 一旦喚醒立
即清除SE。
· Bits 6..4 – SM2..0: 休眠模式選擇位 2、1 和0
如 Table 13 所示,這些位用于選擇具體的休眠模式。
Note: 1. 僅在使用外部晶體或諧振器時Standby 模式才可用。
Bit 7 6 5 4 3 2 1 0
SE SM2 SM1 SM0 ISC11 ISC10 ISC01 ISC00 MCUCR
讀/ 寫R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W
初始值0 0 0 0 0 0 0 0
Table 13. 休眠模式選擇
SM2 SM1 SM0 休眠模式
0 0 0 空閑模式
0 0 1 ADC 噪聲抑制模式
0 1 0 掉電模式
0 1 1 省電模式
1 0 0 保留
1 0 1 保留
1 1 0 Standby(1) 模式
constucharmotortb[]={0x11,0x99,0x88,0xCC,0x44,0x66,0x22,0x33}; voiddelay_...
晶振:內部1M// //Author:wanghu// //AVRGCC@2008.6.1// #include #includ...
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