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標(biāo)簽 > DDR內(nèi)存
DDR內(nèi)存全稱是DDR SDRAM（Double Data Rate SDRAM，雙倍速率SDRAM）。它是SDRAM 的升級版本，因此也稱為「SDRAM II」。
DDR SDRAM模塊部分與SDRAM模塊相比，改為采用184針（pin），4～6 層印刷電路板，電氣接口則由「LVTTL」改變?yōu)椤窼STL2」。在其它組件或封裝上則與SDRAM模塊相同。DDR SDRAM模塊一共有184個接腳，且只有一個缺槽，與SDRAM的模塊并不兼容。
沒有阻抗控制的話，將引發(fā)相當(dāng)大的信號反射和信號失真，導(dǎo)致設(shè)計失敗。常見的信號，如PCI總線、PCI-E總線、USB、以太網(wǎng)、DDR內(nèi)存、LVDS信號等，...
2023-12-18 標(biāo)簽：lvdsDDR內(nèi)存PCB 678 0
ZYNQ開發(fā)案例之DMA控制器系統(tǒng)設(shè)計
1. DMA外設(shè)特點： 1. DMA引擎擁有一個靈活的指令設(shè)置DMA的傳輸； 2. 擁有8個cache線，每一個cache線寬度是4個字； 3. 擁有8...
2020-12-05 標(biāo)簽：dmaDDR內(nèi)存 4055 0
嵌入式DDR總線結(jié)構(gòu)介紹及硬件信號布線分析
嵌入式DDR(Double Data Rate，雙數(shù)據(jù)速率)設(shè)計是含DDR的嵌入式硬件設(shè)計中最重要和最核心的部分。隨著嵌入式系統(tǒng)的處理能力越來越強大，實...
2018-04-14 標(biāo)簽：嵌入式DDR內(nèi)存 4347 0
用于VR13 CPU VCORE和DDR內(nèi)存的兩相D-CAP+?降壓控制器數(shù)據(jù)表立即下載
類別：電子資料 2024-04-25 標(biāo)簽：降壓控制器DDR內(nèi)存
DDR內(nèi)存布線指導(dǎo),DDR_Layout_Guide_[1]..立即下載
類別：PCB設(shè)計規(guī)則 2013-04-12 標(biāo)簽：LayoutDDR內(nèi)存
由運算放大器和場效應(yīng)管組成的DDR內(nèi)存2.5V供電電路原理圖立即下載
類別：信號處理電路 2012-09-23 標(biāo)簽：場效應(yīng)管運算放大器DDR內(nèi)存
DDR內(nèi)存與數(shù)據(jù)傳輸速度的關(guān)系
在計算機系統(tǒng)中，內(nèi)存是至關(guān)重要的組件之一，它直接影響到數(shù)據(jù)的處理速度和系統(tǒng)的響應(yīng)時間。DDR內(nèi)存作為一種高效的內(nèi)存技術(shù)，其數(shù)據(jù)傳輸速度是衡量其性能的關(guān)鍵...
2024-11-20 標(biāo)簽：存儲器數(shù)據(jù)傳輸計算機系統(tǒng) 164 0
隨著計算機技術(shù)的飛速發(fā)展，內(nèi)存作為計算機的核心組件之一，其穩(wěn)定性和可靠性對整個系統(tǒng)的運行至關(guān)重要。DDR（Double Data Rate）內(nèi)存以其高速...
DDR內(nèi)存，全稱為Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory（雙倍數(shù)據(jù)速率同步動...
2024-11-20 標(biāo)簽：數(shù)據(jù)傳輸電子設(shè)備DDR內(nèi)存 133 0
檢測DDR內(nèi)存性能是一個涉及硬件和軟件的綜合過程，可以通過以下幾個步驟來進行： 1. 硬件檢查 1.1 確認(rèn)內(nèi)存規(guī)格 查看內(nèi)存條標(biāo)簽 ：檢查內(nèi)存條上的標(biāo)...
隨著計算機硬件技術(shù)的快速發(fā)展，內(nèi)存的性能越來越受到重視。DDR內(nèi)存作為計算機運行不可或缺的一部分，其性能直接影響到計算機的響應(yīng)速度和數(shù)據(jù)處理能力。超頻，...
消息稱三星Q2供應(yīng)超微HBM3E 下半年啟動大規(guī)模量產(chǎn)
HBM，即高帶寬內(nèi)存，以其獨特的“樓房設(shè)計”概念，打破了傳統(tǒng)DDR內(nèi)存的設(shè)計局限，憑借出色的性能在市場中贏得了廣泛認(rèn)可。
2024-04-15 標(biāo)簽：DDR內(nèi)存HBM三星 898 0
前幾天跟同事聊到我們常用的各種存儲器，比如硬盤，DDR內(nèi)存條的一些知識，突然發(fā)現(xiàn)大概知道是啥意思，但是說出來又感覺含糊不清，今天咱們一起來梳理一下。
2022-09-05 標(biāo)簽：存儲器RAMDDR內(nèi)存 3237 0
緩存中的空間必須要進行分類規(guī)劃，不然緩存控制器找起數(shù)據(jù)來會很累。假設(shè)數(shù)據(jù)隨機擺放，那么需要使用CAM存儲器同時對每個數(shù)據(jù)進行地址匹配，可想而知這需要許多...
CMOS 邏輯系統(tǒng)的功耗主要與時鐘頻率、系統(tǒng)內(nèi)各柵極的輸入電容以及電源電壓有關(guān),傳統(tǒng)上，邏輯系統(tǒng)僅對一個時鐘沿的數(shù)據(jù)計時，而雙倍數(shù)據(jù)速率 (DDR) 內(nèi)...
2011-12-16 標(biāo)簽：電源設(shè)計DDR內(nèi)存 3761 0
DDR 內(nèi)存兼容性列表 主板名稱 主板型號 芯片組 內(nèi)存插槽規(guī)格 ASUS A7A266 ALI 3DDR+2SD...
2009-05-22 標(biāo)簽：DDR內(nèi)存 1689 0
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