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標(biāo)簽 > ddr4
DDR4內(nèi)存是新一代的內(nèi)存規(guī)格。2011年1月4日，三星電子完成史上第一條DDR4內(nèi)存。
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RZ/V2L還與RZ/G2L封裝和引腳兼容。這使得RZ/G2L用戶可輕松升級至RZ/V2L，以獲得額外的人工智能功能，而無需修改系統(tǒng)配置，從而保持低遷移成本。
DDR5內(nèi)存接口芯片組如何利用DDR5 for DIMM的優(yōu)勢？
2021 年，JEDEC 宣布發(fā)布 JESD79-5 DDR5 SDRAM 標(biāo)準(zhǔn)，標(biāo)志著行業(yè)向 DDR5 dual-inline memory mod...
性能強(qiáng)勁、穩(wěn)定高效的雷神雙路64核服務(wù)器升級亮相
近期，雷神科技基于兆芯開勝KH-40000系列處理器打造的博睿FX2服務(wù)器迎來升級更新，搭載雙路KH-40000/32處理器的雷神FX2-Z1UC1服務(wù)...
銳龍8000G系列桌面處理器的最高AI性能算力可達(dá)39TFLOPS，同時(shí)它還集成了基于RDNA3 GPU架構(gòu)的顯示核心。
DDR5已經(jīng)開始商用，但是有的產(chǎn)品還才開始使用DDR4。本文分享一些DDR4的測試內(nèi)容。DDR4 和前代的 DDR3 相比， 它的速度大幅提升，最高可以...
由于內(nèi)存接口芯片的大規(guī)模商用要經(jīng)過下游廠商的多重認(rèn)證，還要攻克低功耗內(nèi)存接口芯片的核心技術(shù)難關(guān)，從 DDR4 世代開始，全球內(nèi)存接口芯片廠商僅剩 Ram...
DXG 服務(wù)器配備 8 塊 H100 GPU，6400億個(gè)晶體管，在全新的 FP8 精度下 AI 性能比上一代高 6 倍，可提供 900GB/s 的帶寬。
2023-12-13 標(biāo)簽：NVIDIADDR4內(nèi)存技術(shù) 851 0
不知道現(xiàn)在大家做的DDR4系統(tǒng)的指標(biāo)是怎么樣了？從高速先生和最近眾多客戶的配合來看，從一個(gè)通道的總?cè)萘亢退俾噬隙蓟旧侠搅藰O限，從單個(gè)顆粒的容量，很多...
硬件電路設(shè)計(jì)之DDR電路設(shè)計(jì)(4)
DDR4(第四代雙倍數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲器)是一種高帶寬的存儲器，今天主要講述一下DDR4在Layout過程中的一些細(xì)節(jié)。在DDR的設(shè)計(jì)過程中，...
2023-11-29 標(biāo)簽：存儲器電路設(shè)計(jì)DDR 7665 0
硬件電路設(shè)計(jì)之DDR電路設(shè)計(jì)(3)
本文主要講述一下DDR從0到1設(shè)計(jì)的整個(gè)設(shè)計(jì)的全過程，有需要的朋友可先安排收藏。
2023-11-29 標(biāo)簽：電路圖電路設(shè)計(jì)DDR 3925 0
龍芯3A6000國產(chǎn)桌面通用處理器正式發(fā)布
據(jù)介紹，龍芯 3A6000 擁有四個(gè)物理核 / 八個(gè)邏輯核，主頻 2.0-2.5GHz，采用第四代 64 位微架構(gòu) LA664，實(shí)現(xiàn) SMT2 技術(shù)，支...
PCB的DDR4布線指南和PCB的架構(gòu)改進(jìn)
PCB的DDR4布線指南和PCB的架構(gòu)改進(jìn)
英特爾酷睿i9-14900K首測，i9-14900K性能怎么樣？
相比酷睿13代i9-13900K處理器，酷睿14代i9-14900K處理器在工藝、架構(gòu)、核心、外觀設(shè)計(jì)上均沒有作出改變，依然是我們熟悉的Intel 7、...
通過單次觸發(fā)得到一個(gè)讀或者寫的波形，讀的波形是DQS和DQ的相位是基本相同的。寫的波形是DQS和DQ的相位基本上是90度。
遇到一個(gè)比較有意思的問題。一個(gè)朋友問我說：他的電腦內(nèi)存壞了，想換一條新的內(nèi)存，換DDR5內(nèi)存條是不是更好？看了他的配置之后，電腦使用的是DDR4的條子。...
做高速鏈路的小伙伴都知道，Stub總是會(huì)帶來各種影響，或者導(dǎo)致阻抗突變，或者導(dǎo)致插入損耗曲線上存在諧振，等等。本文介紹了Via stub在DDR4并行鏈...
存儲器的種類很多，按其用途可分為主存儲器和輔助存儲器。主存儲器簡稱內(nèi)存，內(nèi)存在電腦中起著舉足輕重的作用，一般采用半導(dǎo)體存儲單元。因?yàn)镽AM是內(nèi)存其中最重...
摘要：本文將對DDR3和DDR4兩種內(nèi)存技術(shù)進(jìn)行詳細(xì)的比較，分析它們的技術(shù)特性、性能差異以及適用場景。通過對比這兩種內(nèi)存技術(shù)，為讀者在購買和使用內(nèi)存產(chǎn)品...
2023-09-27 標(biāo)簽：DDR3計(jì)算機(jī)數(shù)據(jù)中心 3475 0
DDR4 3200和3600是內(nèi)存模塊的頻率標(biāo)準(zhǔn)，表示其頻率值，具有以下差異
DDR存儲器發(fā)展的主要方向一言以蔽之，是更高速率，更低電壓，更密的存儲密度，從而實(shí)現(xiàn)更好的性能。
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