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標簽 > DRAM控制器
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內(nèi)存芯片制造工藝 DRAM工藝流程 堆疊式DRAM工藝流程
內(nèi)存芯片在驅(qū)動ic市場和ic技術發(fā)展方面發(fā)揮了重要作用。市場上兩個主要的內(nèi)存產(chǎn)品分別是DRAM和NAND。
跨時鐘域是如何產(chǎn)生的呢?現(xiàn)在的芯片(比如SOC,片上系統(tǒng))集成度和復雜度越來越高,通常一顆芯片上會有許多不同的信號工作在不同的時鐘頻率下。
2023-06-27 標簽:IC設計SoC系統(tǒng)同步器 1523 0
在高速實時或者非實時信號處理系統(tǒng)當中,使用大容量存儲器實現(xiàn)數(shù)據(jù)緩存是一個必不可少的環(huán)節(jié),也是系統(tǒng)實現(xiàn)中的重點和難點之一。詳細闡讀SDRAM數(shù)據(jù)文檔的前提...
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