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DRAM（Dynamic Random Access Memory），即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，最為常見(jiàn)的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲(chǔ)，所以必須隔一段時(shí)間刷新（refresh）一次，如果存儲(chǔ)單元沒(méi)有被刷新，存儲(chǔ)的信息就會(huì)丟失。（關(guān)機(jī)就會(huì)丟失數(shù)據(jù)）

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dram技術(shù)

DRAM、NAND FLASH、NOR FLASH三大存儲(chǔ)器分析

存儲(chǔ)器芯片領(lǐng)域，主要分為兩類(lèi)：易失性和非易失性。易失性：斷電以后，存儲(chǔ)器內(nèi)的信息就流失了，例如 DRAM，主要用來(lái)做PC機(jī)內(nèi)存(如DDR)和手機(jī)內(nèi)存(如...

2018-04-09 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 DRAM 存儲(chǔ)器 11.2萬(wàn) 0

DRAM、SDRAM及DDR SDRAM之間的概念詳解

DRAM (動(dòng)態(tài)隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器)對(duì)設(shè)計(jì)人員特別具有吸引力，因?yàn)樗峁┝藦V泛的性能，用于各種計(jì)算機(jī)和嵌入式系統(tǒng)的存儲(chǔ)系統(tǒng)設(shè)計(jì)中。本文概括闡述了DRAM ...

2018-06-07 標(biāo)簽：DRAM SDRAM DDR SDRAM 9.3萬(wàn) 0

3D XPoint的原理解析 NAND和DRAM為什么拼不過(guò)它

3D Xpoint是自 NAND Flash 推出以來(lái)，最具突破性的一項(xiàng)存儲(chǔ)技術(shù)。由于具備以下四點(diǎn)優(yōu)勢(shì)，3D Xpoint被看做是存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的一個(gè)顛覆者：...

2018-04-19 標(biāo)簽：dram nand 3dxpoint 5.1萬(wàn) 0

DRAM與NAND的有什么樣的區(qū)別

DRAM是目前常見(jiàn)的存儲(chǔ)之一，但DRAM并非唯一存儲(chǔ)器件，NAND也是存儲(chǔ)設(shè)備。那么DRAM和NAND之間有什么區(qū)別呢？DRAM和NAND的工作原理分別...

2020-10-31 標(biāo)簽：DRAM NAND 儲(chǔ)存器 5.1萬(wàn) 0

DRAM存儲(chǔ)器的工作原理詳細(xì)介紹

DRAM模塊是大多電子設(shè)備均存在的模塊之一，大家對(duì)于DRAM也較為熟悉。但是，大家真的了解DRAM嗎？DRAM的基本單元的結(jié)構(gòu)是什么樣的呢？DRAM的工...

2020-10-31 標(biāo)簽：電容器 DRAM 存儲(chǔ)器 4.5萬(wàn) 0

PSRAM完全解讀

PSRAM的時(shí)序比較簡(jiǎn)單,主要根據(jù)各個(gè)時(shí)序圖理解每個(gè)時(shí)序階段,及其參數(shù)。重點(diǎn)要理解DQS/DM是誰(shuí)驅(qū)動(dòng)的,代表什么意思, 數(shù)據(jù)采樣的時(shí)間即DQS上升沿延...

2023-06-08 標(biāo)簽：DRAM 存儲(chǔ)單元 sram 3.7萬(wàn) 0

內(nèi)存中1X納米、1Y納米、1Z納米是什么意思

大體上1Xnm工藝相當(dāng)于16-19nm級(jí)別、1Ynm相當(dāng)于14-16nm，1Znm工藝相當(dāng)于12-14nm級(jí)別。

2020-03-22 標(biāo)簽：DRAM 臺(tái)積電美光 2.5萬(wàn) 0

DRAM與NAND的區(qū)別及工作原理

本文就DRAM與NAND在工作原理上做比較，弄清兩者的區(qū)別

2016-12-27 標(biāo)簽：DRAM NAND RAM 2.2萬(wàn) 0

一文詳解SRAM特點(diǎn)和原理

SRAM不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。而DRAM（Dynamic Random Access Memory）每隔一段時(shí)間，要刷新充電一次，否則...

2018-05-30 標(biāo)簽：DRAM CPU sram 2.2萬(wàn) 0

一文解析鐵電存儲(chǔ)器使用及工作原理

FRAM存儲(chǔ)器操作經(jīng)過(guò)設(shè)計(jì)，以使在開(kāi)關(guān)電容器中感應(yīng)出的電荷至少是未開(kāi)關(guān)電容器可用電荷的兩倍。

2021-01-21 標(biāo)簽：DRAM 存儲(chǔ)器 fram 2.0萬(wàn) 0

硬盤(pán)和內(nèi)存到底有什么差別？

DRAM就是我們一般在用的內(nèi)存，而NAND Flash 閃存，它在做的事情其實(shí)是硬盤(pán)。

2018-07-17 標(biāo)簽：DRAM 存儲(chǔ)器 nandflash 1.9萬(wàn) 0

什么是 DDR5？SDRAM 技術(shù)發(fā)展歷程

英特爾和 AMD 的核戰(zhàn)爭(zhēng)越演愈烈，現(xiàn)在的臺(tái)式機(jī)開(kāi)始 6 核起跳，可以預(yù)見(jiàn)，馬上內(nèi)存的性能又將成為新的瓶頸。

2020-03-08 標(biāo)簽：英特爾 DRAM SDRAM 1.6萬(wàn) 0

什么是DRAM_DRAM結(jié)構(gòu)的框架圖

最近幾年，電子產(chǎn)品的價(jià)格走勢(shì)不斷降低，大家也覺(jué)得日后的電子產(chǎn)品會(huì)越來(lái)越便宜，但事實(shí)是從去年開(kāi)始，手機(jī)、電腦、家電等產(chǎn)品價(jià)格一直在持續(xù)漲價(jià)，而這其中的主要...

2020-08-24 標(biāo)簽：DRAM 存儲(chǔ)單元 1.5萬(wàn) 0

DRAM/NAND都是啥？科普內(nèi)存和硬盤(pán)的區(qū)別

現(xiàn)如今隨著手機(jī)的不斷推廣和普及，已掩蓋電腦時(shí)代的輝煌，很多新生代的用戶(hù)都與手機(jī)的存儲(chǔ)就陷入了茫然。

2016-04-21 標(biāo)簽：DRAM NAND 存儲(chǔ)器 1.5萬(wàn) 0

NVDIMM的幾種實(shí)現(xiàn)方式, NVDIMM-P的性能所做的硬件上的優(yōu)化和支持

這是一個(gè)目前還沒(méi)有發(fā)布的標(biāo)準(zhǔn) (Under Development)。預(yù)計(jì)將與DDR5 標(biāo)準(zhǔn)一同發(fā)布。按照計(jì)劃，DDR5將比DDR4提供雙倍的帶寬，并提...

2019-03-18 標(biāo)簽：DRAM 存儲(chǔ)技術(shù)內(nèi)存 1.5萬(wàn) 0

一文解析HBM技術(shù)原理及優(yōu)勢(shì)

HBM技術(shù)是一種基于3D堆疊工藝的高性能DRAM，它可以為高性能計(jì)算、人工智能、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域提供高帶寬、高容量、低延遲和低功耗的存儲(chǔ)解決方案。本文將介...

2023-11-09 標(biāo)簽：DRAM 數(shù)據(jù)傳輸 HBM 1.5萬(wàn) 0

四種汽車(chē)駕駛系統(tǒng)的四種不同存儲(chǔ)需求

關(guān)于自主駕駛及其存儲(chǔ)需求的討論有很多，但很少有人談及汽車(chē)中其他需要使用存儲(chǔ)的系統(tǒng)。汽車(chē)中有四個(gè)主要系統(tǒng)會(huì)使用存儲(chǔ)，且每個(gè)系統(tǒng)的存儲(chǔ)需求各不相同。

2017-11-01 標(biāo)簽：nor閃存 dram 汽車(chē)電子 1.4萬(wàn) 0

存儲(chǔ)芯片的原理_分類(lèi)及應(yīng)用

存儲(chǔ)芯片是指集成電路中用來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的芯片，它可以存儲(chǔ)數(shù)字信號(hào)，包括二進(jìn)制碼、字符、圖像、聲音等信息。存儲(chǔ)芯片廣泛應(yīng)用于電子產(chǎn)品中，如計(jì)算機(jī)、手機(jī)、數(shù)碼相...

2023-06-02 標(biāo)簽：DRAM 存儲(chǔ)sram 1.3萬(wàn) 0

什么是DRAM？DRAM存儲(chǔ)單元電路讀寫(xiě)原理

內(nèi)存芯片中每個(gè)單元都有以字節(jié)線和比特線組合的獨(dú)立地址。以2016年主流4GB單面8芯片內(nèi)存條為例，每粒內(nèi)存芯片有4G個(gè)獨(dú)立地址。

2023-04-25 標(biāo)簽：DRAM 存儲(chǔ)器云計(jì)算 1.3萬(wàn) 0

一文解析DRAM的制造工藝流程

為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲(chǔ)，所以必須隔一段時(shí)間刷新（refresh）一次，如果存儲(chǔ)單元沒(méi)有被刷新，存儲(chǔ)的信息就會(huì)丟失。

2023-01-09 標(biāo)簽：DRAM 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 1.3萬(wàn) 0

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德國(guó)易能森有限公司(EnOcean GmbH)是無(wú)線能量采集技術(shù)的開(kāi)創(chuàng)者。2012年3月，國(guó)際電工技術(shù)委員會(huì)將EnOcean無(wú)線通信標(biāo)準(zhǔn)采納為國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)“ISO/IEC 14543-3-10”，這也是世界上唯一使用能量采集技術(shù)的無(wú)線國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)。
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北京時(shí)間2017年2月26日，華為終端在巴塞羅那世界移動(dòng)通信大會(huì)2017（MWC）上發(fā)布發(fā)布了全新華為P系列智能手機(jī)——華為P10 & P10 Plus.
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Haswell是英特爾第四代CPU架構(gòu)，Haswell的最高端核芯顯卡GT3系列在移動(dòng)版Core i7使用，而中端的GT2則分配給桌面版的Core i系列處理器，而最低端的奔騰、賽揚(yáng)搭載GT1。此外，Haswell將會(huì)使用LGA1150插座，無(wú)法和LGA1155替換。制程方面，Haswell繼續(xù)使用IVB的22nm制程。
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iBeacon是蘋(píng)果公司2013年9月發(fā)布的移動(dòng)設(shè)備用OS（iOS7）上配備的新功能。其工作方式是，配備有低功耗藍(lán)牙（BLE）通信功能的設(shè)備使用BLE技術(shù)向周?chē)l(fā)送自己特有的ID，接收到該ID的應(yīng)用軟件會(huì)根據(jù)該ID采取一些行動(dòng)。
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公司在特別依賴(lài)分布式高性能計(jì)算維護(hù)網(wǎng)絡(luò)安全的比特幣行業(yè)中脫穎而出，以絕對(duì)的優(yōu)勢(shì)在該細(xì)分市場(chǎng)持續(xù)保持全球第一的市場(chǎng)地位。比特大陸發(fā)布的每一代比特幣挖礦運(yùn)算設(shè)備都在全球范圍內(nèi)保持領(lǐng)先地位。產(chǎn)品行銷(xiāo)全球一百多個(gè)國(guó)家和地區(qū)，深受用戶(hù)喜愛(ài)。
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華天科技主要從事半導(dǎo)體集成電路封裝測(cè)試業(yè)務(wù)，產(chǎn)品主要應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、網(wǎng)絡(luò)通訊、消費(fèi)電子及智能移動(dòng)終端、物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)自動(dòng)化控制、汽車(chē)電子等電子整機(jī)和智能化領(lǐng)域。
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東軟集團(tuán)是中國(guó)領(lǐng)先的IT解決方案與服務(wù)供應(yīng)商，是上市企業(yè)，股票代碼600718。公司成立于1991年，前身為東北大學(xué)下屬的沈陽(yáng)東大開(kāi)發(fā)軟件系統(tǒng)股份有限公司和沈陽(yáng)東大阿爾派軟件有限公司。
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OLED（Organic Light-Emitting Diode），全稱(chēng)“有機(jī)發(fā)光二極管”，是一種顯示屏幕技術(shù)。采用OLED技術(shù)制造的OLED電視，已經(jīng)不再需要LCD液晶面板，RGB色彩信號(hào)直接由OLED二極管顯示，幾乎已經(jīng)不存在液晶的可視角度問(wèn)題。

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