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DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動態(tài)隨機存取存儲器,最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持數(shù)據(jù),DRAM使用電容存儲,所以必須隔一段時間刷新(refresh)一次,如果存儲單元沒有被刷新,存儲的信息就會丟失。 (關(guān)機就會丟失數(shù)據(jù))
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HBM 對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的影響1. HBM 的核心工藝在于硅通孔技術(shù)(TSV)和堆疊鍵合技術(shù) 硅通孔:TSV(Through-Silicon Via) 是...
三星平澤P4一期產(chǎn)線調(diào)整:將同時生產(chǎn)DRAM和NAND Flash
據(jù)韓國媒體報道,三星電子已決定調(diào)整其平澤園區(qū)P4產(chǎn)線第一期的產(chǎn)能分配,以應(yīng)對市場需求的快速變化。這一決策標志著三星電子在半導(dǎo)體生產(chǎn)策略上的重要調(diào)整。
北京君正預(yù)計年底推出21nm DRAM產(chǎn)品
近日,在接受機構(gòu)調(diào)研時,北京君正透露了其DRAM產(chǎn)品的研發(fā)進展。據(jù)公司介紹,目前各類DRAM產(chǎn)品,包括DDR2、DDR3、LPDDR4等,均有新品在研發(fā)...
預(yù)計2025年DRAM產(chǎn)業(yè)將年增25%
根據(jù)市場研究機構(gòu)TrendForce集邦咨詢最新發(fā)布的報告,DRAM產(chǎn)業(yè)在經(jīng)歷了2024年前三季度的庫存消化和價格回升后,其價格動能在第四季度出現(xiàn)了明顯...
2025年DRAM展望:位元產(chǎn)出大增25%,HBM成新增長極但供應(yīng)緊張
經(jīng)歷2024年前三個季度的庫存消化和價格回升后,DRAM產(chǎn)業(yè)在第四季度的價格動能開始減弱。TrendForce集邦咨詢的資深研究副總吳雅婷指出,由于部分...
全球領(lǐng)先的存儲芯片制造商三星電子正積極籌備在2026年前推出劃時代的400層V-NAND閃存芯片,旨在把握人工智能(AI)浪潮帶來的存儲設(shè)備市場快速增長...
FormFactor發(fā)布2024財年第三季度財報,收入創(chuàng)歷史新高
FormFactor公司于10月30日公布了其截至2024年9月28日的2024財年第三季度財務(wù)報告。報告顯示,F(xiàn)ormFactor在該季度的收入達到了...
2024-11-01 標簽:DRAMFormFactorDDR5 388 0
隨著人工智能(AI)技術(shù)的廣泛應(yīng)用,從云服務(wù)器到消費設(shè)備,AI需求正呈現(xiàn)爆炸式增長。美光科技,作為全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造商,已積極應(yīng)對這一趨勢。
存儲市場面臨多重挑戰(zhàn),NAND與DRAM價格承壓
從需求端審視,通貨膨脹的壓力以及AI個人電腦應(yīng)用場景的匱乏,共同制約了大規(guī)模升級周期的到來。在供應(yīng)端,主要制造商在第三季度全面恢復(fù)了滿負荷生產(chǎn),而其他供...
三星電子HBM3E商業(yè)化遇阻,或重新設(shè)計1a DRAM電路
近日,業(yè)界傳出三星電子HBM3E商業(yè)化進程遲緩的消息,據(jù)稱這一狀況或與HBM核心芯片DRAM有關(guān)。具體而言,1a DRAM的性能問題成為了三星電子向英偉...
三星推出業(yè)界首款24Gb(3GB)GDDR7 DRAM內(nèi)存芯片
三星推出了業(yè)內(nèi)首款24Gb(即3GB)GDDR7 DRAM內(nèi)存芯片,其超高速度可達42.5Gbps,專為下一代圖形處理單元(GPU)打造。據(jù)三星介紹,得...
三星或重新設(shè)計1a DRAM以提升HBM質(zhì)量
三星電子正面臨嚴峻挑戰(zhàn),特別是在其半導(dǎo)體業(yè)務(wù)領(lǐng)域。除了代工業(yè)務(wù)停滯的問題,該公司在高帶寬存儲器(HBM)市場的競爭力也引發(fā)了廣泛關(guān)注。據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露,...
三星發(fā)布業(yè)界首款24Gb GDDR7 DRAM
近日,存儲芯片巨頭三星電子宣布了一項重大突破:成功開發(fā)出業(yè)界首款24Gb GDDR7 DRAM。這款新品不僅在容量上達到了業(yè)界最高水平,更在速度上實現(xiàn)了...
據(jù)市場研究公司TrendForce預(yù)測,2024年第四季度DRAM市場將呈現(xiàn)出一絲暖意,但僅限于高帶寬存儲器(HBM)領(lǐng)域。預(yù)計HBM價格將實現(xiàn)環(huán)比上漲...
近期,DRAM和NAND存儲行業(yè)再次遭遇消費者需求下滑的沖擊,導(dǎo)致存儲合約價格在短短一個月內(nèi)出現(xiàn)大幅下跌。據(jù)分析公司DRAMeXchange的數(shù)據(jù)顯示,...
北京君正首顆 21nm DRAM下半年推出,三大存儲類芯片持續(xù)研發(fā),待行業(yè)市場復(fù)蘇
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/黃晶晶)2024年上半年,北京君正實現(xiàn)營業(yè)收入 210,684.96萬元,同比下降5.15%,實現(xiàn)歸屬于上市公司股東的凈利潤 19...
長鑫迅速擴產(chǎn) 引發(fā)韓國業(yè)界及媒體關(guān)注
來源:銳芯聞 據(jù)韓國媒體 ZDNet Korea 報道,CXMT(長鑫存儲科技)等中國內(nèi)存制造商正在積極擴大生產(chǎn),可能會對DRAM市場的盈利產(chǎn)生影響。據(jù)...
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/黃晶晶)據(jù)韓媒報道,三星和海力士正在開發(fā)低功耗DRAM堆疊技術(shù),以用于移動設(shè)備上,這類DRAM被稱之為移動HBM存儲器,并計劃20...
SK海力士宣布了一項重大技術(shù)突破,成功開發(fā)出全球首款采用第六代10納米級(1c)工藝的16Gb DDR5 DRAM。這一里程碑式的成就標志著SK海力士在...
今日看點丨小米“無按鍵”旗艦手機被曝 2025 年亮相;SK海力士成功開發(fā)出全球首款第六代10納米級DDR5 DRAM
1. 美光將在臺灣購買更多生產(chǎn)工廠以擴大HBM 內(nèi)存生產(chǎn)規(guī)模 ? 美光(Micron)公司正在臺灣尋找新的生產(chǎn)設(shè)施。美光已同意從顯示器制造商友達光電(A...
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