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      標(biāo)簽　>　euv

      euv

      +關(guān)注8人關(guān)注

      EUV光刻技術(shù) - 即將在芯片上繪制微小特征的下一代技術(shù) – 原來是預(yù)計在2012年左右投產(chǎn)。但是幾年過去了，EUV已經(jīng)遇到了一些延遲，將技術(shù)從一個節(jié)點(diǎn)推向下一個階段，本單元詳細(xì)介紹了EUV光刻機(jī)，EUV光刻機(jī)技術(shù)的技術(shù)應(yīng)用，EUV光刻機(jī)的技術(shù)、市場問題，國產(chǎn)euv光刻機(jī)發(fā)展等內(nèi)容。

      文章：590個 瀏覽：85971次 帖子：0個

      euv資訊

      美投資8.25億美元建設(shè)NSTC關(guān)鍵設(shè)施,重點(diǎn)發(fā)展EUV光刻技術(shù)

      拜登政府已宣布一項重大投資決策，計劃在紐約州的奧爾巴尼市投入8.25億美元，用于建設(shè)國家半導(dǎo)體技術(shù)中心（NSTC）的核心設(shè)施。據(jù)美國商務(wù)部透露，奧爾巴尼...

      2024-11-01 標(biāo)簽：光刻技術(shù)EUVASML 285 0

      美光預(yù)測AI需求將大幅增長,計劃2025年投產(chǎn)EUV DRAM

      隨著人工智能技術(shù)日益普及，從云端服務(wù)器拓展至消費(fèi)級設(shè)備，對高級內(nèi)存的需求持續(xù)攀升。鑒于此趨勢，美光科技已將其高帶寬內(nèi)存（HBM）的全部產(chǎn)能規(guī)劃至2025...

      2024-10-26 標(biāo)簽：美光人工智能EUV 644 0

      ASML CEO傅恪禮:亞洲將繼續(xù)主導(dǎo)芯片行業(yè)

      ASML總裁兼CEO傅恪禮近日在接受外媒采訪時指出，盡管西方國家正在積極增加芯片生產(chǎn)，但亞洲在芯片行業(yè)中的主導(dǎo)地位不太可能發(fā)生改變。

      2024-10-10 標(biāo)簽：芯片EUVASML 420 0

      新型EUVL技術(shù)問世，超越半導(dǎo)體制造標(biāo)準(zhǔn)線

      新型EUVL技術(shù)問世，超越半導(dǎo)體制造標(biāo)準(zhǔn)線

      來源：Trend Force 據(jù)STDaily援引日本沖繩科學(xué)技術(shù)研究生院（OIST）官網(wǎng)近日報道稱，該大學(xué)設(shè)計出一種超越半導(dǎo)體制造標(biāo)準(zhǔn)邊界的極紫外（E...

      2024-08-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體EUV 277 0

      日本大學(xué)研發(fā)出新極紫外(EUV)光刻技術(shù)

      近日，日本沖繩科學(xué)技術(shù)大學(xué)院大學(xué)（OIST）發(fā)布了一項重大研究報告，宣布該校成功研發(fā)出一種突破性的極紫外（EUV）光刻技術(shù)。這一創(chuàng)新技術(shù)超越了當(dāng)前半導(dǎo)體...

      2024-08-03 標(biāo)簽：光刻技術(shù)EUV 875 0

      一種無透鏡成像的新方法

      一種無透鏡成像的新方法

      使用OAM-HHG EUV光束對高度周期性結(jié)構(gòu)進(jìn)行成像的EUV聚光顯微鏡 為了研究微電子或光子元件中的納米級圖案，一種基于無透鏡成像的新方法可以實現(xiàn)近乎...

      2024-07-19 標(biāo)簽：激光成像EUV 332 0

      半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)競速:Hyper-NA EUV光刻機(jī)挑戰(zhàn)與機(jī)遇并存

      在科技日新月異的今天，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)作為信息技術(shù)的基石，正以前所未有的速度向前躍進(jìn)。隨著人工智能、汽車電子等新興產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展，對芯片制造技術(shù)的要求也日益嚴(yán)...

      2024-07-03 標(biāo)簽：半導(dǎo)體光刻機(jī)EUV 2364 0

      ASML擬于2030年推出Hyper-NA EUV光刻機(jī)，將芯片密度限制再縮小

      ASML再度宣布新光刻機(jī)計劃。據(jù)報道，ASML預(yù)計2030年推出的Hyper-NA極紫外光機(jī)（EUV），將縮小最高電晶體密度芯片的設(shè)計限制。 ASML前...

      2024-06-18 標(biāo)簽：光刻機(jī)EUVASML 456 0

      替代EUV光刻，新方案公布！

      來源：半導(dǎo)體行業(yè)觀察，謝謝 編輯：感知芯視界 Link 隨著英特爾、三星、臺積電以及日本即將落成的先進(jìn)晶圓代工廠 Rapidus盡管各家公司都各自準(zhǔn)備將...

      2024-06-17 標(biāo)簽：光刻EUV 475 0

      中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的十大技術(shù)“瓶頸”解析

      中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的十大技術(shù)“瓶頸”解析

      半導(dǎo)體技術(shù)是現(xiàn)代電子科技的核心，它的發(fā)展水平直接體現(xiàn)了一個國家的科技實力。近年來，我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)雖然取得了長足進(jìn)步，但仍有一些核心技術(shù)尚未完全掌握。本文...

      2024-06-06 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體封裝EUV 1946 0

      ASML創(chuàng)下新的EUV芯片制造密度記錄，提出Hyper-NA的激進(jìn)方案

      ASML在imec的ITF World 2024大會上宣布，其首臺High-NA（高數(shù)值孔徑）設(shè)備已經(jīng)打破了之前創(chuàng)下的記錄，再次刷新了芯片制造密度的標(biāo)準(zhǔn)。

      2024-05-30 標(biāo)簽：芯片制造EUVASML 701 0

      臺積電魏哲家與ASML高層會面，是否有意購買高數(shù)值孔徑極紫外光機(jī)臺？

      此前，該公司首席執(zhí)行官魏哲家曾明確表示，過早引入High-NA EUV并無太大經(jīng)濟(jì)效益，直到日前其秘密訪問ASML總部，使市場猜測臺積電是否因此事發(fā)生重大轉(zhuǎn)變。

      2024-05-29 標(biāo)簽：臺積電EUV半導(dǎo)體行業(yè) 507 0

      美光宣布將在日本廣島建設(shè)DRAM工廠

      據(jù)悉，新廠將采用EUV光刻機(jī)技術(shù)，并計劃在2025年量產(chǎn)的下一代1-gamma（nm）節(jié)點(diǎn)引入EUV光刻技術(shù)。鑒于DRAM行業(yè)的代際周期，新廠有望具備生...

      2024-05-28 標(biāo)簽：DRAM美光EUV 636 0

      Rapidus對首代工藝中0.33NA EUV解決方案表示滿意，未采用高NA EUV光刻機(jī)

      在全球四大先進(jìn)制程代工巨頭（包括臺積電、三星電子、英特爾以及Rapidus）中，只有英特爾明確表示將使用High NA EUV光刻機(jī)進(jìn)行大規(guī)模生產(chǎn)。

      2024-05-27 標(biāo)簽：EUVASML先進(jìn)制程 604 0

      后門！ASML可遠(yuǎn)程鎖光刻機(jī)！

      來源：國芯網(wǎng)，謝謝 編輯：感知芯視界 Link 5月22日消息，據(jù)外媒報道，臺積電從ASML購買的EUV極紫外光刻機(jī)，暗藏后門，可以在必要的時候執(zhí)行遠(yuǎn)程...

      2024-05-24 標(biāo)簽：光刻機(jī)EUVASML 525 0

      ASML考慮推出通用EUV光刻平臺

      范登布林克指出，更高的數(shù)值孔徑能提高光刻分辨率。他進(jìn)一步解釋說，Hyper NA 光刻機(jī)將簡化先進(jìn)制程生產(chǎn)流程，避免因使用 High NA 光刻機(jī)進(jìn)行雙...

      2024-05-23 標(biāo)簽：分辨率光刻機(jī)EUV 409 0

      英特爾競購High-NA EUV設(shè)備，臺積電決定回避

      　另一方面，臺積電的年度技術(shù)論壇正在美國和歐洲如火如荼地進(jìn)行，備受世人矚目的是該公司計劃在2026年量產(chǎn)A16技術(shù)，該技術(shù)將結(jié)合納米片晶體管和超級電軌架構(gòu)。

      2024-05-20 標(biāo)簽：臺積電晶體管EUV 397 0

      臺積電A16制程采用EUV光刻機(jī)，2026年下半年量產(chǎn)

      據(jù)臺灣業(yè)內(nèi)人士透露，臺積電并未為A16制程配備高數(shù)值孔徑（High-NA）EUV光刻機(jī)，而選擇利用現(xiàn)有的EUV光刻機(jī)進(jìn)行生產(chǎn)。相較之下，英特爾和三星則計...

      2024-05-17 標(biāo)簽：英特爾臺積電EUV 924 0

      英特爾推進(jìn)面向未來節(jié)點(diǎn)的技術(shù)創(chuàng)新，在2025年后鞏固制程領(lǐng)先性

      英特爾正在按計劃實現(xiàn)其“四年五個制程節(jié)點(diǎn)”的目標(biāo)，目前，Intel 7，采用EUV（極紫外光刻）技術(shù)的Intel 4和Intel 3均已實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。...

      2024-05-16 標(biāo)簽：英特爾光刻EUV 385 0

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        　　手機(jī)拆解過程，展示手機(jī)內(nèi)部零件及結(jié)構(gòu)。一輛報廢汽車的廢電瓶、廢油液進(jìn)行無害化處理，再拆解出可以利用的零部件后，整個車架被送進(jìn)一個巨大的破碎“神器”內(nèi)，瞬間進(jìn)行拆解破碎。
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        Heilind為電子行業(yè)各細(xì)分市場的原始設(shè)備制造商和合約制造商提供支持，供應(yīng)來自業(yè)界頂尖制造商的產(chǎn)品，涵蓋25個不同元器件類別，特別專注于互聯(lián)和機(jī)電產(chǎn)品。
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