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標(biāo)簽 > f-ram
F-RAM芯片包含一個(gè)鋯鈦酸鉛[Pb(Zr,Ti)O3]的薄鐵電薄膜,通常被稱為PZT。PZT 中的Zr/Ti原子在電場(chǎng)中改變極性,從而產(chǎn)生一個(gè)二進(jìn)制開關(guān)。與RAM器件不同,F(xiàn)-RAM在電源被關(guān)閉或中斷時(shí),由于PZT晶體保持極性能保留其數(shù)據(jù)記憶。這種獨(dú)特的性質(zhì)讓F-RAM成為一個(gè)低功耗、非易失性存儲(chǔ)器。
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Ramtron國(guó)際公司F-RAM存儲(chǔ)器詳解
什么是F-RAM? F-RAM:鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器。相對(duì)于其它類型的半導(dǎo)體技術(shù)而言,鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器(F-RAM)具有一些獨(dú)一無(wú)二的特性。已經(jīng)確定的半導(dǎo)體存儲(chǔ)...
FM25V02A-GTR型號(hào)存儲(chǔ)器的產(chǎn)品介紹
FM25V02A-GTR型號(hào)元器件是一款鐵電存儲(chǔ)器,采用先進(jìn)的鐵電工藝,可提供可靠的數(shù)據(jù)保留功能,可以保持151年,同時(shí)消除了復(fù)雜性,串行通信引起的...
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