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標(biāo)簽 > FinFET
FinFET全稱叫鰭式場效應(yīng)晶體管,是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設(shè)計(jì)可以改善電路控制并減少漏電流,縮短晶體管的閘長。
FinFET全稱Fin Field-Effect Transistor,中文名叫鰭式場效應(yīng)晶體管,是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設(shè)計(jì)可以改善電路控制并減少漏電流,縮短晶體管的閘長。
閘長已可小于25納米,未來預(yù)期可以進(jìn)一步縮小至9納米,約是人類頭發(fā)寬度的1萬分之1。由于在這種導(dǎo)體技術(shù)上的突破,未來芯片設(shè)計(jì)人員可望能夠?qū)⒊?jí)計(jì)算機(jī)設(shè)計(jì)成只有指甲般大小。 FinFET源自于傳統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn)的晶體管—場效應(yīng)晶體管 (Field-Effect Transistor;FET)的一項(xiàng)創(chuàng)新設(shè)計(jì)。在傳統(tǒng)晶體管結(jié)構(gòu)中,控制電流通過的閘門,只能在閘門的一側(cè)控制電路的接通與斷開,屬于平面的架構(gòu)。在FinFET的架構(gòu)中,閘門成類似魚鰭的叉狀3D架構(gòu),可于電路的兩側(cè)控制電路的接通與斷開。[2] 這種設(shè)計(jì)可以大幅改善電路控制并減少漏電流(leakage),也可以大幅縮短晶體管的閘長。
FinFET全稱Fin Field-Effect Transistor,中文名叫鰭式場效應(yīng)晶體管,是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設(shè)計(jì)可以改善電路控制并減少漏電流,縮短晶體管的閘長。
閘長已可小于25納米,未來預(yù)期可以進(jìn)一步縮小至9納米,約是人類頭發(fā)寬度的1萬分之1。由于在這種導(dǎo)體技術(shù)上的突破,未來芯片設(shè)計(jì)人員可望能夠?qū)⒊?jí)計(jì)算機(jī)設(shè)計(jì)成只有指甲般大小。 FinFET源自于傳統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn)的晶體管—場效應(yīng)晶體管 (Field-Effect Transistor;FET)的一項(xiàng)創(chuàng)新設(shè)計(jì)。在傳統(tǒng)晶體管結(jié)構(gòu)中,控制電流通過的閘門,只能在閘門的一側(cè)控制電路的接通與斷開,屬于平面的架構(gòu)。在FinFET的架構(gòu)中,閘門成類似魚鰭的叉狀3D架構(gòu),可于電路的兩側(cè)控制電路的接通與斷開。[2] 這種設(shè)計(jì)可以大幅改善電路控制并減少漏電流(leakage),也可以大幅縮短晶體管的閘長。
隨著晶體管尺寸的逐步縮小,其特征尺寸也在不斷縮小,當(dāng)特征尺寸到了22nm,平面晶體管由于其柵極對(duì)于溝道的控制能力較弱而出現(xiàn)短溝道效應(yīng),逐漸被一種新型的晶...
2024-04-02 標(biāo)簽:摩爾定律晶體管場效應(yīng)晶體管 537 0
inFET 技術(shù)有幾個(gè)含義。最重要的是,硅鰭片的高度和寬度尺寸是由制造工藝決定的,而不是由電路設(shè)計(jì)者決定的。這意味著每個(gè)晶體管的寬度尺寸是由柵極多晶硅穿...
納米片晶體管并不能拯救摩爾定律,也不能解決代工廠在最先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)上面臨的所有挑戰(zhàn)。為了克服這些問題,代工廠正在尋求各種創(chuàng)新,例如背面供電(BSPD),以...
當(dāng)做到FinFET工藝時(shí)才了解到這個(gè)名詞,在平面工藝時(shí)都沒有接觸SHE(self-heating effect)這個(gè)概念。為什么到FinFET下開始需要...
22nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)的FinFET制造工藝流程
半導(dǎo)體器件的制造由許多步驟組成,這些步驟必須產(chǎn)生定義明確的結(jié)構(gòu),并且從一個(gè)器件到下一個(gè)器件的偏差很小。每一步都必須考慮之前和隨后的制造步驟,以確保實(shí)現(xiàn)所...
看到這個(gè)題目,可能不少朋友都會(huì)滿臉問號(hào),我們知道cell內(nèi)部會(huì)有l(wèi)eakage,難道cell與cell之間也會(huì)有l(wèi)eakage嗎?
2023-12-06 標(biāo)簽:場效應(yīng)管MOS管Layout 893 0
淺談怎樣選擇滿足FPGA設(shè)計(jì)需求的工藝立即下載
類別:FPGA/ASIC 2017-12-05 標(biāo)簽:fpgaFPGA設(shè)計(jì)finfet
類別:PCB設(shè)計(jì)規(guī)則 2017-11-28 標(biāo)簽:eco時(shí)鐘樹finfet
FinFET工藝的IP數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)立即下載
類別:電子元器件應(yīng)用 2017-09-18 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器finfet
智原科技宣布加入Arm?(安謀)車用生態(tài)系的合作伙伴
ASIC設(shè)計(jì)服務(wù)暨IP研發(fā)銷售廠商智原科技(Faraday Technology Corporation,TWSE:3035)宣布加入Arm?(安謀)車...
AMD推出Spartan UltraScale+系列,專為成本敏感型邊緣應(yīng)用打造
全新 FPGA 能為嵌入式視覺、醫(yī)療、工業(yè)互聯(lián)、機(jī)器人與視頻應(yīng)用提供高數(shù)量 I/O、功率效率以及卓越的安全功能
最新技術(shù)!英特爾于IFS Direct Connect會(huì)議上公布3D芯片技術(shù)、邏輯單元、背面供電等未來代工技術(shù)!
來源:IEEE Spectrum 編譯:化合物半導(dǎo)體雜志 近日,在一場于圣何塞僅限受邀者參加的活動(dòng)舉行之前的一次獨(dú)家采訪中,英特爾通過分享其未來數(shù)據(jù)中心...
英特爾晶圓代工業(yè)務(wù)再升級(jí),新路線圖出爐
對(duì)于該公司來說,這是一個(gè)令人興奮的時(shí)刻,但也是一個(gè)關(guān)鍵時(shí)刻。英特爾已經(jīng)到了需要兌現(xiàn)這些承諾的地步——而且他們需要以一種非常明顯的方式做到這一點(diǎn)。
碳化硅SIC將會(huì)發(fā)力電動(dòng)汽車?
碳化硅在功率半導(dǎo)體市場(尤其是電動(dòng)汽車)中越來越受歡迎,但對(duì)于許多應(yīng)用來說仍然過于昂貴。
2024-01-29 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車功率半導(dǎo)體FinFET 3518 0
中科院清華北大西電教授聯(lián)合發(fā)文:中國芯片面臨的重大問題
1 引言 集成電路技術(shù)的重要性源于其對(duì)于現(xiàn)代社會(huì)經(jīng)濟(jì)發(fā)展的基礎(chǔ)性作用和國家安全的重要保障. 它不僅在能源安全與碳中和方面發(fā)揮著關(guān)鍵作用, 同時(shí)也是智能機(jī)...
臺(tái)積電1nm進(jìn)展曝光!預(yù)計(jì)投資超萬億新臺(tái)幣,真有必要嗎?
電子發(fā)燒友網(wǎng)(文/吳子鵬)根據(jù)臺(tái)灣媒體的最新消息,臺(tái)積電1nm制程將落腳嘉義科學(xué)園區(qū),臺(tái)積電已向相關(guān)管理局提出100公頃用地需求,其中40公頃將先設(shè)立先...
智原推出14納米ASIC整合設(shè)計(jì)服務(wù)邁向人工智能新時(shí)代
ASIC設(shè)計(jì)服務(wù)暨IP研發(fā)銷售廠商智原科技(Faraday Technology Corporation,TWSE:3035)提供完整的FinFET 1...
2023-12-26 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器EDA工具ASIC設(shè)計(jì) 663 0
2nm意味著什么?2nm何時(shí)到來?它與3nm有何不同?
3nm工藝剛量產(chǎn),業(yè)界就已經(jīng)在討論2nm了,并且在調(diào)整相關(guān)的時(shí)間表。2nm工藝不僅對(duì)晶圓廠來說是一個(gè)重大挑戰(zhàn),同樣也考驗(yàn)著EDA公司,以及在此基礎(chǔ)上設(shè)計(jì)...
新思科技攜手合作伙伴面向臺(tái)積公司N4PRF工藝推出全新射頻方案
全新參考流程針對(duì)臺(tái)積公司 N4PRF 工藝打造,提供開放、高效的射頻設(shè)計(jì)解決方案。
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