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與平面工藝相比,FinFET的復雜性一般會導致更加昂貴的制造工藝,FinFET降低了工作電壓,提高了晶體管效率,對靜態功耗(線性)和動態功耗(二次方)都有積極作用。可節省高達50%的功耗。性能也更高——在0.7V上,性能(吞吐量)比平面工藝高37%。
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