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FRAM（ferromagnetic random access memory）即鐵電存儲器。

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　　FRAM（ferromagnetic random access memory）即鐵電存儲器。

　　特點

　　FRAM的特點是速度快，能夠像RAM一樣操作，讀寫功耗極低，不存在如E2PROM的最大寫入次數的問題；但受鐵電晶體特性制約，FRAM仍有最大訪問（讀）次數的限制。

　　FRAM存儲單元結構

　　FRAM的存儲單元主要由電容和場效應管構成，但這個電容不是一般的電容，在它的兩個電極板中間沉淀了一層晶態的鐵電晶體薄膜。前期的FRAM的每個存儲單元使用2個場效應管和2個電容，稱為“雙管雙容”（2T2C），每個存儲單元包括數據位和各自的參考位

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　　FRAM（ferromagnetic random access memory）即鐵電存儲器。

　　特點

　　FRAM存儲單元結構

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fram知識

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