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標簽 > GaN FET
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調(diào)整MOSFET柵極驅動器以用于GaN FETs
氮化鎵(GaN)場效應晶體管已經(jīng)徹底改變了電力電子行業(yè),具有比傳統(tǒng)硅MOSFETs更小的尺寸、更快的開關速度、更高的效率和更低的成本等優(yōu)勢。然而,GaN...
正如我們在2020年Electronica電力電子論壇上的演講中所說的那樣,電力行業(yè)的歷史令人著迷,并且充滿了令人驚嘆的天才級工程師,他們正在使電源解決...
利用TI的600V GaN FET功率級實現(xiàn)高性能功率轉換革命
達拉斯, 2016年4月25日/PRNewswire/- 基于數(shù)十年的電源管理創(chuàng)新,德州儀器(TI)(納斯達克股票代碼:TXN)今天宣布推出600 -V...
安世推出支持低壓和高壓應用的E-mode GAN FET GAN FET
基礎半導體器件領域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia(安世半導體)近日宣布推出首批支持低電壓(100/150 V)和高電壓(650 V)應用的 E-mo...
Nexperia為多個汽車應用領域貢獻力量,約270款Nexperia產(chǎn)品運用在不同的汽車應用中。
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