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標(biāo)簽 > GaN-on-Si

GaN-on-Si

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  GaN-on-Si主要是指硅基氮化硅,包括AIN、Ga2O3、GaSb、InSb 、Diamond特性類(lèi)似的新一代材料,應(yīng)用領(lǐng)域包括Laser Diode& LED在內(nèi)的Opto-electronics·Photonics、Power Device(功率元件)和RF Device(射頻元件)等。

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GaN-on-Si簡(jiǎn)介

  GaN-on-Si主要是指硅基氮化硅,包括AIN、Ga2O3、GaSb、InSb 、Diamond特性類(lèi)似的新一代材料,應(yīng)用領(lǐng)域包括Laser Diode& LED在內(nèi)的Opto-electronics·Photonics、Power Device(功率元件)和RF Device(射頻元件)等。

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gan-on-si技術(shù)

大尺寸磊晶技術(shù)突破 GaN-on-Si基板破裂問(wèn)題有解

近年來(lái)氮化鎵(GaN)系列化合物半導(dǎo)體材料已被證實(shí)極具潛力應(yīng)用于液晶顯示器(LCD)之背光模組、光學(xué)儲(chǔ)存系統(tǒng)、高頻與大功率之微波電子元件等商業(yè)用途。然而...

2013-06-06 標(biāo)簽:LCD氮化鎵GaN 2528 0

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gan-on-si資訊

汽車(chē)和工業(yè)用FET選擇GaN-on-Si的原因是什么

我們要知道的是電氣化正在改變?nèi)缃竦钠?chē)行業(yè),消費(fèi)者越來(lái)越需要充電更快、續(xù)航里程更遠(yuǎn)的車(chē)輛。

2020-11-18 標(biāo)簽:FETGaN-on-Si 2252 0

大尺寸晶圓生產(chǎn)遇困,GaN-on-Si基板發(fā)展受阻

今年硅基氮化鎵(GaN-on-Si)基板市場(chǎng)發(fā)展急凍。去年5月底,普瑞光電(Bridgelux)與東芝(Toshiba)風(fēng)光宣布,共同成功開(kāi)發(fā)出基于8吋...

2013-06-21 標(biāo)簽:晶圓GaN-on-Si 2008 0

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    FSMC(可變靜態(tài)存儲(chǔ)控制器)是STM32系列采用的一種新型的存儲(chǔ)器擴(kuò)展技術(shù)。在外部存儲(chǔ)器擴(kuò)展方面具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì),可根據(jù)系統(tǒng)的應(yīng)用需要,方便地進(jìn)行不同類(lèi)型大容量靜態(tài)存儲(chǔ)器的擴(kuò)展。
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    點(diǎn)陣屏技術(shù)以全彩為例是將192顆LED芯片三色一組封裝在一個(gè)模塊上,由模塊組成單元板,由單元板組成顯示屏。
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