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標(biāo)簽 > GaN-on-Si
GaN-on-Si主要是指硅基氮化硅,包括AIN、Ga2O3、GaSb、InSb 、Diamond特性類(lèi)似的新一代材料,應(yīng)用領(lǐng)域包括Laser Diode& LED在內(nèi)的Opto-electronics·Photonics、Power Device(功率元件)和RF Device(射頻元件)等。
GaN-on-Si主要是指硅基氮化硅,包括AIN、Ga2O3、GaSb、InSb 、Diamond特性類(lèi)似的新一代材料,應(yīng)用領(lǐng)域包括Laser Diode& LED在內(nèi)的Opto-electronics·Photonics、Power Device(功率元件)和RF Device(射頻元件)等。
大尺寸磊晶技術(shù)突破 GaN-on-Si基板破裂問(wèn)題有解
近年來(lái)氮化鎵(GaN)系列化合物半導(dǎo)體材料已被證實(shí)極具潛力應(yīng)用于液晶顯示器(LCD)之背光模組、光學(xué)儲(chǔ)存系統(tǒng)、高頻與大功率之微波電子元件等商業(yè)用途。然而...
汽車(chē)和工業(yè)用FET選擇GaN-on-Si的原因是什么
我們要知道的是電氣化正在改變?nèi)缃竦钠?chē)行業(yè),消費(fèi)者越來(lái)越需要充電更快、續(xù)航里程更遠(yuǎn)的車(chē)輛。
大尺寸晶圓生產(chǎn)遇困,GaN-on-Si基板發(fā)展受阻
今年硅基氮化鎵(GaN-on-Si)基板市場(chǎng)發(fā)展急凍。去年5月底,普瑞光電(Bridgelux)與東芝(Toshiba)風(fēng)光宣布,共同成功開(kāi)發(fā)出基于8吋...
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