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      標簽　>　HBM2E

      HBM2E

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      HBM2E是一種高性能內存，具有低功耗和小尺寸的特點。它將 2.5D 封裝與更寬的接口和更低的時鐘速度（與 GDDR6 相比）相結合，以更高的每瓦帶寬效率為 AI/ML 和高性能計算 （HPC） 應用程序提供更高的整體吞吐量。

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      HBM2E簡介

      　　HBM2E是一種高性能內存，具有低功耗和小尺寸的特點。它將 2.5D 封裝與更寬的接口和更低的時鐘速度（與 GDDR6 相比）相結合，以更高的每瓦帶寬效率為 AI/ML 和高性能計算 （HPC） 應用程序提供更高的整體吞吐量。

      　　Rambus HBM2E 接口完全符合 JEDEC JESD235B 標準。它支持每個數據引腳高達 3.6 Gbps 的數據速率。該接口具有 8 個獨立通道，每個通道包含 128 位，總數據寬度為 1024 位。最終帶寬為每個堆棧 461 GB/s，堆棧由 2、4、8 或 12 個 DRAM 組成。

      　　該接口專為帶有插入器的 2.5D 系統而設計，用于在 3D DRAM 堆棧和 SoC 上的 PHY 之間路由信號。這種信號密度和堆疊外形的組合需要特殊的設計考慮。為了實現輕松實施并提高設計靈活性，Rambus 對整個 2.5D 系統執行完整的信號和電源完整性分析，以確保滿足所有信號、電源和熱要求。

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      2021-05-25 標簽：三星電子RambusHBM2E 2734 0

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      2022-07-30 標簽：RambusAIGDDR6 2392 0

      還沒用上HBM2E？HBM3要來了

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      2021-08-23 標簽：內存HBM2EHBM3 1862 0

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