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      標(biāo)簽　>　hbm2e

      hbm2e

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      HBM2E是一種高性能內(nèi)存，具有低功耗和小尺寸的特點(diǎn)。它將 2.5D 封裝與更寬的接口和更低的時(shí)鐘速度（與 GDDR6 相比）相結(jié)合，以更高的每瓦帶寬效率為 AI/ML 和高性能計(jì)算 （HPC） 應(yīng)用程序提供更高的整體吞吐量。

      文章：4個(gè) 瀏覽：3348次 帖子：0個(gè)

      hbm2e資訊

      為 AI 黃金時(shí)段做好準(zhǔn)備的高帶寬內(nèi)存：HBM2e 與 GDDR6

      AI 訓(xùn)練和推理 SoC 和系統(tǒng)開發(fā)人員正在通過 HBM2e 和 GDDR 規(guī)范進(jìn)行組合，以確定哪種風(fēng)格最適合他們的下一代設(shè)計(jì)。 幾乎每天都有新的人工智...

      2022-07-30 標(biāo)簽：RambusAIGDDR6 2392 0

      還沒用上HBM2E？HBM3要來了

      2020年2月，固態(tài)存儲(chǔ)協(xié)會(huì)(JEDEC)對(duì)外發(fā)布了第三版HBM2存儲(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)JESD235C，隨后三星和SK海力士等廠商將其命名為HBM2E。 ? 相較于...

      2021-08-23 標(biāo)簽：內(nèi)存HBM2EHBM3 1862 0

      Rambus在三星14/11nm的HBM2E解決方案擴(kuò)展其高性能內(nèi)存子系統(tǒng)產(chǎn)品

      三星電子設(shè)計(jì)平臺(tái)開發(fā)副總裁Jongshin Shin說：“我們與Rambus的合作將業(yè)界領(lǐng)先的內(nèi)存接口設(shè)計(jì)專業(yè)知識(shí)與三星最尖端的工藝和封裝技術(shù)結(jié)合在一起。

      2021-05-25 標(biāo)簽：三星電子RambusHBM2E 2734 0

      GDDR6和HBM2E雙利器！Rambus內(nèi)存接口方案助力突破AI應(yīng)用帶寬瓶頸

      12月9日，Rambus線上設(shè)計(jì)峰會(huì)召開，針對(duì)數(shù)據(jù)中心的存儲(chǔ)挑戰(zhàn)、5G邊緣計(jì)算，以及內(nèi)存接口方案如何提高人工智能和訓(xùn)練推理應(yīng)用程序的性能，Rambus中...

      2020-12-21 標(biāo)簽：IPRambusAI 6184 0

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