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      標簽　>　HEMT

      HEMT

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      hemt技術

      深入了解 GaN 技術

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      2023-12-06 標簽：柵極氮化鎵GaN 6090 0

      GaN HEMT基本概述、分類及工作原理

      氮化鎵高電子遷移率晶體管GaN HEMT(High Electron Mobility Transistors)作為寬禁帶(WBG)功率半導體器件的代表...

      2022-09-27 標簽：晶體管GaNHEMT 5068 0

      AIN/AIGaN/GaN MIS-HEMT器件直流特性

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      2023-02-14 標簽：晶體管GaNHEMT 4019 0

      增強型GaN HEMT的漏極電流特性

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      2022-07-25 標簽：氮化鎵HEMT 3599 0

      氮化鎵器件介紹與仿真

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      本推文簡述氮化鎵器件，主要包括GaN HEMT和二極管，幫助讀者了解Sentaurus TCAD仿真氮化鎵器件的相關內容。

      2023-11-27 標簽：二極管仿真氮化鎵 3218 0

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      2023-02-14 標簽：歐姆GaNHEMT 2936 0

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      2023-06-14 標簽：晶體管GaNHEMT 2913 0

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      GaN HEMT（高電子遷移率晶體管：High Electron Mobility Transistor）是新一代功率半導體，具有低工作電阻和高抗損性，...

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      2024-08-27 標簽：GaN儲能HEMT 3842 0

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      2019-02-21 標簽：射頻IntelRF 2013 0

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      2023-03-14 標簽：電源氮化鎵HEMT 1098 0

      Cambridge GaN Devices 推出第二代 ICeGaN ICs，在同類產品中擁有出色的穩健性、易用性和高效率

      Cambridge GaN Devices 推出第二代 ICeGaN ICs，在同類產品中擁有出色的穩健性、易用性和高效率

      英國劍橋 - Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無晶圓廠環保科技半導體公司，開發了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造...

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