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標(biāo)簽 > IGBT器件

IGBT器件

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  IGBT器件是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,是通過(guò)特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品,非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。

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IGBT器件簡(jiǎn)介

  IGBT器件是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,是通過(guò)特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品,非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。

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igbt器件知識(shí)

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igbt器件技術(shù)

IGBT器件的基本結(jié)構(gòu)和作用

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),即絕緣柵雙極型晶體管,是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式開(kāi)關(guān)功率半導(dǎo)體器件。它結(jié)...

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Vce以及Vge鉗位電路設(shè)計(jì)使用注意事項(xiàng)

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在IGBT驅(qū)動(dòng)電路中有時(shí)會(huì)用到鉗位電路,其主要目的是為了保護(hù)IGBT器件,避免運(yùn)行參數(shù)超過(guò)集電極或者門(mén)極的極限參數(shù),今天我們總結(jié)一下Vce以及Vge鉗位...

2023-02-07 標(biāo)簽:IGBT驅(qū)動(dòng)電路IGBT器件 2127 0

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電動(dòng)汽車(chē)(EV) 和混合動(dòng)力汽車(chē) (HEV) 的功率模塊等新應(yīng)用需要更小的電路提供更高的電壓和功率,因此需要能夠提供高壓隔離的電路材料,同時(shí)從 IGBT...

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雙面散熱汽車(chē)IGBT器件熱測(cè)試評(píng)估方式創(chuàng)新

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2023-03-02 標(biāo)簽:IGBT散熱功率模塊 3924 0

家電芯片市場(chǎng)及國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程

所以在芯片國(guó)產(chǎn)化的發(fā)展之路上,我們看到一個(gè)有趣的思路:一些能力和儲(chǔ)備相對(duì)比較出色的終端企業(yè)開(kāi)始自研芯片,并首先應(yīng)用于自家終端產(chǎn)品——基于自家產(chǎn)品的先驗(yàn)基...

2023-01-03 標(biāo)簽:芯片mcuIGBT器件 1684 0

Power2Power:英飛凌的歐洲研究項(xiàng)目

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2022-08-09 標(biāo)簽:英飛凌IGBT器件可再生能源 883 0

東芝半導(dǎo)體新研發(fā)具備低功耗節(jié)能屬性IGBT器件

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東芝半導(dǎo)體是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)計(jì)制造公司,多年來(lái)持續(xù)耕耘在功率半導(dǎo)體研發(fā)上,經(jīng)驗(yàn)豐富的設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)室及優(yōu)異的研發(fā)團(tuán)隊(duì)也一直致力于研發(fā)創(chuàng)新、提升芯片的功能...

2022-04-19 標(biāo)簽:MOSFETIGBT器件東芝半導(dǎo)體 1673 0

東芝半導(dǎo)體開(kāi)發(fā)低功耗節(jié)能屬性IGBT器件

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2022-04-16 標(biāo)簽:芯片IGBT器件東芝半導(dǎo)體 1678 0

IGBT器件在激光電源中的應(yīng)用

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2020-05-02 標(biāo)簽:IGBT器件激光電源 2642 0

安森美的汽車(chē)電氣化產(chǎn)品策略

安森美的電源產(chǎn)品包括絕緣柵雙極晶體管(IGBT),這是一種三端半導(dǎo)體器件,具有寬泛的雙極電流承載能力。其產(chǎn)品組合包括650V ~ 1200V用于牽引驅(qū)動(dòng)...

2019-03-25 標(biāo)簽:安森美智能化IGBT器件 3341 0

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