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      標簽　>　IGBT器件

      IGBT器件

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      　　IGBT器件是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件，是通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導體產(chǎn)品，非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

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      IGBT器件簡介

      　　IGBT器件是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件，是通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導體產(chǎn)品，非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

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