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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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全球正加速向電氣化轉(zhuǎn)型,尤其是在交通和基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域。無論是乘用車還是商用/農(nóng)業(yè)車輛(CAV),都在轉(zhuǎn)向電動(dòng)驅(qū)動(dòng)。國際能源署(IEA)2022 年的數(shù)據(jù)顯...
本文介紹了為工業(yè)應(yīng)用設(shè)計(jì)的第8代1800A/1200V IGBT功率模塊,該功率模塊采用了先進(jìn)的第8代IGBT和二極管。與傳統(tǒng)功率模塊相比,該模塊采用了...
結(jié)溫是判定IGBT是否處于安全運(yùn)行的重要條件,IGBT的工作結(jié)溫限制著控制器的最大輸出能力。如果IGBT過熱,可能會導(dǎo)致?lián)p壞,影響設(shè)備的性能、壽命甚至引...
高頻率開關(guān)的MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器,可能會產(chǎn)生大量的耗散功率。因此,需要確認(rèn)驅(qū)動(dòng)器功率耗散和由此產(chǎn)生的結(jié)溫,確保器件在可接受的溫度范圍內(nèi)工作。...
計(jì)算IGBT模塊死區(qū)時(shí)間 1 引言 在現(xiàn)代工業(yè)中,IGBT器件在電壓源逆變器中的使用越來越廣泛。為了確保可靠地使用IGBT,必須避免出現(xiàn)橋臂直通現(xiàn)象。橋...
2024-11-08 標(biāo)簽:IGBT 391 0
車載充電器 (OBC) 解決了電動(dòng)汽車 (EV) 的一個(gè)重要問題。它們將來自電網(wǎng)的交流電轉(zhuǎn)換為適合電池充電的直流電,從而實(shí)現(xiàn)電動(dòng)汽車充電。隨著每年上市的...
2024-11-07 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車IGBT碳化硅 229 0
浮思特 | 第四代場阻止型IGBT的抗鎖定能力和超越硅材極限的性能
由于其低導(dǎo)通損耗和開關(guān)能量損耗,IGBT廣泛應(yīng)用于高功率應(yīng)用領(lǐng)域,如電源、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)逆變器和電動(dòng)汽車等。對更先進(jìn)功率器件的需求促使了新型硅基開發(fā)及寬禁帶材...
如何設(shè)計(jì) IGBT 和 SiC FET 驅(qū)動(dòng)電路以防止誤觸發(fā)?
在設(shè)計(jì)IGBT或SiCFET橋接電路時(shí),門驅(qū)動(dòng)電路的正確設(shè)計(jì)與選擇晶體管同樣重要,以確保高可靠性。對環(huán)境的關(guān)注是可再生能源、智能工業(yè)和電動(dòng)出行等趨勢背后...
2024-11-05 標(biāo)簽:IGBT驅(qū)動(dòng)電路SiC 151 0
探索高效能電力解決方案——特瑞諾TGH80N65F2DS IGBT單管
在當(dāng)今科技迅速發(fā)展的時(shí)代,電力電子技術(shù)正扮演著越來越重要的角色。如何提高電力設(shè)備的效率和可靠性,成為了眾多工程師和設(shè)計(jì)師們關(guān)注的焦點(diǎn)。而特瑞諾(trin...
本文對IGBT領(lǐng)域的深入研究與綜合剖析成果,首先與您分享關(guān)于IGBT的基本原理及其構(gòu)成元素,如芯片、單管及模塊等方面的知識。接下來將共同關(guān)注的是IGBT...
IGBT模塊的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)
IGBT模塊在三相電機(jī)驅(qū)動(dòng)逆變器中的典型應(yīng)用案例如下圖,主要包含了整流、IGBT主電路、驅(qū)動(dòng)保護(hù)、PWM產(chǎn)生及控制電路,電流電壓反饋電路等。
IGBT和SiC功率模塊封裝用的環(huán)氧材料在現(xiàn)代電子器件中起著至關(guān)重要的作用。以下是從多個(gè)角度對這些環(huán)氧材料的詳細(xì)分析:1.熱管理導(dǎo)熱性能:環(huán)氧樹脂需要具...
在電子交通、可再生能源和數(shù)據(jù)中心等具有重大創(chuàng)新的行業(yè)的推動(dòng)下,對功率器件的需求不斷增加。當(dāng)今的功率應(yīng)用具有持續(xù)更嚴(yán)格的要求,最重要的是與實(shí)現(xiàn)更高的效率(...
RC-IGBT的結(jié)構(gòu)、工作原理及優(yōu)勢
因?yàn)镮GBT大部分應(yīng)用場景都是感性負(fù)載,在IGBT關(guān)斷的時(shí)候,感性負(fù)載會產(chǎn)生很大的反向電流,IGBT不能反向?qū)ǎ枰贗GBT的兩端并聯(lián)一個(gè)快速恢復(fù)二...
在電力電子技術(shù)的快速中,IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)技術(shù)以其高效、可靠的性能,成為眾多領(lǐng)域的核心組件。從微小的IGBT芯片到復(fù)雜的IGBT器件,每一個(gè)...
特瑞諾TGHP75N120FDR:高性能IGBT單管的理想選擇
在現(xiàn)代電力電子領(lǐng)域,高性能和穩(wěn)定性是設(shè)備設(shè)計(jì)中不可或缺的要素。今天,我們要重點(diǎn)介紹的TGHP75N120FDR正是這樣一款產(chǎn)品,由TRINNO(特瑞諾)...
當(dāng)前,在國際節(jié)能環(huán)保的大趨勢下,SiCIGBT芯片下游的新能源汽車、變頻家電、新能源發(fā)電等領(lǐng)域迅速發(fā)展,加上我國經(jīng)濟(jì)快速騰飛,能源需求量大幅上升,在這樣...
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