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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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誰改變了整個電器時代?巴利加為功率半導(dǎo)體領(lǐng)域注入活力
通用電氣公司的一些工程師想探索一個簡單的節(jié)能理念:讓驅(qū)動電機(jī)到達(dá)預(yù)想轉(zhuǎn)速就可以了。但這需要增加電子器件,以可變頻率向電機(jī)的繞組輸送功率,這在當(dāng)時是不容易...
2018-04-16 標(biāo)簽:IGBT功率半導(dǎo)體 1.2萬 0
igbt工作原理及應(yīng)用 絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)的保護(hù)引言 絕緣柵雙極型晶體管IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復(fù)合而成的一種器件,其
2008-06-19 標(biāo)簽:igbt 1.1萬 0
IGBT驅(qū)動光耦推薦專場(TLP350,TLP250,PC929,PC923)
IGBT驅(qū)動光耦推薦專場(TLP350,TLP250,PC929,PC923)
新能源汽車作為發(fā)展可替代能源,是建設(shè)可持續(xù)低碳社會的重要一環(huán),并且越來越受到世界各國的高度重視。那么IGBT在新能源汽車中又是如何具體發(fā)揮其作用,下面就...
中國成功研制世界最大容量壓接型IGBT 打破國外技術(shù)市場壟斷
近日,由中車時代電氣完成的“3600A/4500V壓接型IGBT及其關(guān)鍵技術(shù)”通過中國電子學(xué)會的鑒定,被認(rèn)定為世界上功率等級最高的壓接型IGBT。這一成...
2018-01-06 標(biāo)簽:igbt 1.1萬 0
LG旗下硅芯片公司Silicon Works宣布擴(kuò)大半導(dǎo)體業(yè)務(wù)
據(jù)韓國科技媒體ETNews報道,多名業(yè)內(nèi)人士透露,LG集團(tuán)旗下子公司硅芯片有限公司(Silicon Works)日前宣布擴(kuò)大其半導(dǎo)體業(yè)務(wù),重點(diǎn)押注碳化硅...
在電源電子(例如驅(qū)動技術(shù))中,IGBT(隔離式柵極驅(qū)動器 - Insulated Gate Bipolar Transistor)經(jīng)常用作高電壓和高電流開關(guān)。
GTO、GTR、MOSFET和IGBT四種晶體管有何優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)?
GTO、GTR、MOSFET和IGBT四種晶體管有何優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)? GTO、GTR、MOSFET和IGBT常被用于功率電子器件中,各有強(qiáng)項(xiàng)和弱點(diǎn),本文著重...
從功能上來說,IGBT就是一個電路開關(guān),用在電壓幾十到幾百伏量級、電流幾十到幾百安量級的強(qiáng)電上的。(相對而言,手機(jī)、電腦電路板上跑的電電壓低,以傳輸信號...
2018-03-19 標(biāo)簽:igbt 1.1萬 0
IGBT產(chǎn)業(yè)鏈與三種業(yè)務(wù)模式以及技術(shù)趨勢
功率半導(dǎo)體是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心,主要用于改變電子裝置中電壓和頻率、直流交流轉(zhuǎn)換等。功率半導(dǎo)體細(xì)分為功率器件(分立器件的一支)和功率IC(...
2020-10-12 標(biāo)簽:IGBT 1.1萬 0
IGBT的結(jié)構(gòu)多種多樣,但從縱向結(jié)構(gòu)來看可歸為穿通型,非穿通型。這兩類IGBT的劃分依據(jù)為:臨界擊穿電壓下Pbase-Ndrift結(jié)耗盡層的擴(kuò)展是否穿透...
LED開關(guān)電源與普通開關(guān)電源到底有什么區(qū)別
LED開關(guān)電源高頻化是其發(fā)展的方向,高頻化使開關(guān)電源小型化,并使開關(guān)電源進(jìn)入更廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域,特別是在高新技術(shù)領(lǐng)域的應(yīng)用,推動了高新技術(shù)產(chǎn)品的小型化、輕...
2020-07-12 標(biāo)簽:LED開關(guān)電源IGBT 1.1萬 0
根據(jù)IGBT的等效電路圖可知,若在IGBT的柵極G和發(fā)射極E之間加上驅(qū)動正電壓,則MOSFET導(dǎo)通,這樣PNP晶體管的集電極C與基極之間成低阻狀態(tài)而使得...
從功能上來說,IGBT就是一個由晶體管實(shí)現(xiàn)的電路開關(guān)。當(dāng)其導(dǎo)通時,可以承受幾十到幾百安培量級的電流;當(dāng)其關(guān)斷時,可以承受幾百至幾千伏特的電壓。
淺析新能源汽車領(lǐng)域IGBT的應(yīng)用及市場情況
2018-12-27 標(biāo)簽:IGBT 1.0萬 0
目前IGBT封裝主要采用DBC陶瓷基板,原因在于DBC具有金屬層厚度大(一般為100~600um),具有載流大、耐高溫性能好及可靠性高的特點(diǎn),結(jié)合強(qiáng)度高...
IGBT的工作原理與結(jié)構(gòu)參數(shù)及短路特性
IGBT是雙極型三極管和MOS管結(jié)合在一起的產(chǎn)物,雙極型三極管具有低頻(10KHz以下)大電流能力,MOSFET具有高頻(100KHz以上)小電流特點(diǎn)。...
IGBT占電動車成本8%至10% 市場規(guī)模潛力巨大
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