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      標簽　>　igbt

      igbt

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      IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

      文章：2786個 瀏覽：248363次 帖子：476個

      igbt資訊

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      意法半導體（下文為ST）的功率MOSFET和IGBT柵極驅動器旨在提供穩健性、可靠性、系統集成性和靈活性的完美結合。

      2024-02-27 標簽：微控制器MOSFET驅動器 978 0

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      近日，市民營經濟發展局公示了青島市2023年度小微企業創新轉型項目的名單，我司成功入選，同時感謝大家對佳恩半導體的高度認可與肯定

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      2024-02-26 標簽：芯片IGBT功率半導體 1217 0

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      2024-02-23 標簽：英飛凌IGBT分立器件 481 0

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      江蘇芯長征微電子集團股份有限公司（以下簡稱“芯長征”）近日引起了市場的廣泛關注。證監會已公開披露了關于該公司首次公開發行股票并上市的輔導備案報告，這一消...

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      2024-02-20 標簽：半導體IGBTSiC 1057 0

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        SDK
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