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標簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
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IGBT作為電能變換的關鍵部件,是現(xiàn)代科學、工業(yè)和國防的重要核心技術。近幾年中國IGBT產(chǎn)業(yè)在國家政策及重大項目的推動及市場牽引下得到迅速發(fā)展,已形成了...
實用IGBT焊接電源方案及炸管對策!逆變電焊機=逆變焊接電源+焊接裝置.只要做好逆變焊接電源,那么系列產(chǎn)品就迎刃而解.影響逆變焊接電源可靠性的主要問題是...
ROHM開發(fā)出業(yè)界頂級高效率與軟開關兼?zhèn)涞?50V耐壓IGBT “RGTV/RGW系列”
全球知名半導體制造商ROHM新開發(fā)出兼?zhèn)錁I(yè)界頂級低傳導損耗※1和高速開關特性的650V耐壓IGBT※2“RGTV系列(短路耐受能力※3保持版)”和“RG...
igbt的應用領域有哪些? IGBT是一種檢測電壓的器件,它可以用于許多應用領域。本文將介紹IGBT的應用領域,并對每個領域進行詳盡的探討。 1. 電力...
場效應管與igbt管區(qū)別 怎樣區(qū)分場效應管與IGBT管
場效應管與igbt管區(qū)別 怎樣區(qū)分場效應管與IGBT管? 場效應管(Field Effect Transistor,簡稱FET)和絕緣柵雙極型晶體管(I...
igbt的優(yōu)缺點介紹 IGBT的優(yōu)缺點介紹 IGBT是一種晶體管,是MOSFET和BJT集成而成的開關,具有高速開關能力和較低的導通電阻,用于高效率的功...
估值破300億!千億“車用芯片”市場啟動,比亞迪、地平線融資事件緣何全國關注?
(電子發(fā)燒友網(wǎng)報道? ? 文/章鷹)? 3月3日,全國兩會在北京召開,來自各界代表對自動駕駛和車載芯片領域的卡脖子問題,發(fā)表不少建言。全國人大代表、奇瑞...
死區(qū)時間是PWM輸出時,為了使H橋或半H橋的上下管不會因為開關速度問題發(fā)生同時導通而設置的一個保護時段,所以在這個時間,上下管都不會有輸出,當然會使波形...
IGBT模塊上下橋怎么區(qū)分 igbt模塊為什么做成上下橋在一起?因為IGBT在工作時由于他和整流橋的電流很大發(fā)熱量也非常大所以需要裝在一塊大的散熱片上來...
2023-02-06 標簽:IGBT 7619 0
電動汽車成為增長動能 2021年IGBT產(chǎn)值預估將突破52億美元
根據(jù)集邦咨詢旗下拓墣產(chǎn)業(yè)研究院報告指出,電動汽車已成為汽車產(chǎn)業(yè)未來的主要成長動能,預估在2021年電動汽車將突破800萬輛,為2018年的兩倍。預估20...
IGBT價格短期穩(wěn)定,但預計至少到2020年仍有上升空間
預計短期內IGBT價格將保持穩(wěn)定,中長期至少到2020年仍存上升空間,2018年1-8月IGBT價格雖仍較高,但波動逐步放緩,預計全球再次出現(xiàn)IGBT大...
igbt反向并聯(lián)二極管作用? IGBT反向并聯(lián)二極管,也稱為快速反向二極管,是一種非常重要的器件,它廣泛應用于各種電子設備和電氣系統(tǒng)中。以下將詳細介紹I...
? 什么是死區(qū)時間? 數(shù)據(jù)手冊的參數(shù) 如何計算合理的死區(qū)時間? STM32中配置死區(qū)時間 什么是死區(qū)時間? PWM是脈沖寬度調制,在電力電子中,最常用的...
可控硅和igbt區(qū)別? 可控硅和IGBT是現(xiàn)代電力電子領域中常用的兩種功率半導體器件。雖然兩者都能在電力控制和轉換中發(fā)揮重要作用,但它們在結構、工作原理...
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