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標簽 > L82C37A
L82C37A采用2.0μm硅柵CMOS全離子注入工藝制造。襯底材料為N型硅,晶向為〈100〉,電阻率為6~9Ω.cm。
L82C37A采用2.0μm硅柵CMOS全離子注入工藝制造。襯底材料為N型硅,晶向為〈100〉,電阻率為6~9Ω.cm。
L82C37A主要功能有以下七點:
(1)該電路有四個獨立DMA通道;
(2)每個通道的DMA請求都可分別允許和禁止;
(3)每個通道的DMA請求優先權具有固定方式和循環方式;
(4)每個通道一次傳送的最大長度64k字節的數據,可在存儲器與外設間進行傳送,也可在存儲器的兩個區間進行傳送;
(5)有四種DMA傳輸方式:①單字節傳輸方式;②數據塊傳輸方式;③請求傳輸方式;④ 級連方式。在每種方式下,都能在接收外設的請求信號DREQ后,向外設發送響應信號DACK后就可以占用總線,進行DMA傳送。每傳送一個字節,修改一次地址指針,當規定傳送的字節數送完時,發出終端計數脈沖TC,結束傳送或重新初始化;
(6)允許外設用EOP信號結束DMA傳送或重新初始化;
(7)L82C37A可以級聯,任意擴展通道數。
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