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標(biāo)簽 > LPDDR
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一文解析DDR和LPDDR的演進(jìn)與應(yīng)用
概述 DDR(Double Data Rate)和LPDDR(Low Power Double Data Rate)是動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)技術(shù)...
一文看懂NAND、DDR、LPDDR、eMMC幾種存儲(chǔ)器的區(qū)別
存儲(chǔ)領(lǐng)域發(fā)展至今,已有很多不同種類(lèi)的存儲(chǔ)器產(chǎn)品。下面給大家介紹幾款常見(jiàn)的存儲(chǔ)器及其應(yīng)用: 1 NANDNAND Flash存儲(chǔ)器是Flash存儲(chǔ)器的一種...
DDR和LPDDR都是動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)的類(lèi)型,它們?cè)谟?jì)算機(jī)和移動(dòng)設(shè)備中用于臨時(shí)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。
2024-05-12 標(biāo)簽:DRAMDDR隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 2145 0
一句話(huà)概括DDR、LPDDR、GDDR的區(qū)別
以DDR開(kāi)頭的內(nèi)存適用于計(jì)算機(jī)、服務(wù)器和其他高性能計(jì)算設(shè)備等領(lǐng)域,目前應(yīng)用廣泛的是DDR3和DDR4;
DDR和LPDDR內(nèi)存技術(shù)的相同點(diǎn)和不同點(diǎn)比較
DDR(Double Data Rate)和LPDDR(Low Power Double Data Rate)是兩種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的內(nèi)存技術(shù)。
2024-04-30 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)傳輸DDR時(shí)鐘信號(hào) 4609 0
人工智能與機(jī)器學(xué)習(xí)計(jì)算中的內(nèi)存挑戰(zhàn)
更多帶寬 – 隨著需要移動(dòng)大量數(shù)據(jù),我們目睹了所有 DRAM 類(lèi)型繼續(xù)競(jìng)相提高數(shù)據(jù)速率以提供更多內(nèi)存帶寬。
LPDDR是在DDR的基礎(chǔ)上多了LP(Low Power)前綴,全稱(chēng)是Low Power Double Data Rate SDRAM,簡(jiǎn)稱(chēng)“低功耗內(nèi)存...
2024-01-02 標(biāo)簽:NAND存儲(chǔ)器固態(tài)硬盤(pán) 528 0
DDR是指雙倍數(shù)據(jù)速率的同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)訪(fǎng)問(wèn)內(nèi)存(Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Me...
淺析內(nèi)存基礎(chǔ)知識(shí):易失性、非易失性和持久性
計(jì)算機(jī)、游戲機(jī)、電信、汽車(chē)、工業(yè)系統(tǒng)以及無(wú)數(shù)電子設(shè)備和系統(tǒng)都依賴(lài)于各種形式的固態(tài)存儲(chǔ)器進(jìn)行操作。設(shè)計(jì)人員需要了解易失性和非易失性存儲(chǔ)器件的各種選項(xiàng),以?xún)?yōu)...
DDR、DDR2、DDR3、DDR4、LPDDR區(qū)別立即下載
類(lèi)別:存儲(chǔ)器技術(shù) 2023-01-13 標(biāo)簽:DDR3DDR2DDR4 647 0
LPDDR2 SDRAM電路板設(shè)計(jì)指南詳細(xì)說(shuō)明立即下載
類(lèi)別:PCB設(shè)計(jì)規(guī)則 2020-06-03 標(biāo)簽:SDRAM電路板LPDDR 1086 0
類(lèi)別:嵌入式開(kāi)發(fā) 2017-11-13 標(biāo)簽:智能終端LPDDR 798 0
M31宣布推出先進(jìn)LPDDR內(nèi)存IP,助力HPC高效能運(yùn)算應(yīng)用
M31宣布推出最新的LPDDR內(nèi)存IP解決方案,以滿(mǎn)足高效能運(yùn)算(HPC)應(yīng)用市場(chǎng)日益增長(zhǎng)的需求,甚至放眼人工智能(AI)領(lǐng)域,除了算力之外,還有儲(chǔ)存、...
聯(lián)想ThinkPad P1 Gen 7全球首發(fā)可更換升級(jí)LPCAMM2內(nèi)存模組
知名拆解網(wǎng)站 iFixit已對(duì)該機(jī)進(jìn)行深度拆解,其中LPCAMM2內(nèi)存成為焦點(diǎn)。相較于SO-DIMM內(nèi)存,LPCAMM2功耗降低58%,節(jié)省空間64%,...
芯耀輝LPDDR4x multiPHY榮獲ISO 26262功能安全產(chǎn)品認(rèn)證
為我國(guó)唯一一家提供全套車(chē)規(guī)級(jí)IP解決方案的領(lǐng)軍企業(yè),芯耀輝在獲得SGS ISO 26262:2018 ASIL D汽車(chē)功能安全流程認(rèn)證后,其MIPI C...
三星電子瞄準(zhǔn)邊緣計(jì)算市場(chǎng),計(jì)劃2025年推出AI加速器芯片Mach-1
據(jù)了解,Mach-1芯片在推理過(guò)程中所需的內(nèi)存帶寬相比現(xiàn)有設(shè)計(jì)有大幅降低,降幅高達(dá)0.125倍,這一顯著優(yōu)化使其在邊緣計(jì)算領(lǐng)域的應(yīng)用更具優(yōu)勢(shì)。
今日看點(diǎn)丨Meta將率先使用英偉達(dá)最新人工智能芯片;三星計(jì)劃推出AI芯片 采用LPDDR而非HBM
1. Meta 將率先使用英偉達(dá)最新人工智能芯片 ? Facebook的所有者M(jìn)eta社交平臺(tái)的一位發(fā)言人外媒透露,預(yù)計(jì)英偉達(dá)的最新旗艦人工智能芯片將在...
高通驍龍8 Gen 4將成業(yè)界首款支持LPDDR6內(nèi)存旗艦芯片
然而,由于偏高的成本原因,現(xiàn)階段眾多企業(yè)仍未能大規(guī)模應(yīng)用高標(biāo)LPDDR。面對(duì)此問(wèn)題,以vivo X100 Pro為例,盡管去年11月曾傳言其會(huì)采用LPD...
內(nèi)存大漲價(jià)!DDR5正邁向主流規(guī)格之路
為滿(mǎn)足對(duì)高效內(nèi)存性能日益增長(zhǎng)的需求,DDR5相比其前身DDR4實(shí)現(xiàn)了性能的大幅提升,具體為傳輸速度更快、能耗更低、穩(wěn)定性提高、內(nèi)存密度更大和存取效率提高等。
長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)LPDDR5正式進(jìn)軍移動(dòng)終端市場(chǎng)
資料顯示,LPDDR是低功耗的DRAM存儲(chǔ)器,由DDR內(nèi)存演化而來(lái)。LPDDR的架構(gòu)和接口針對(duì)低功耗應(yīng)用進(jìn)行了專(zhuān)門(mén)優(yōu)化,提供更窄的通道寬度、尺寸更小、工...
SK海力士全球最高速LPDDR5T移動(dòng)DRAM與高通完成性能驗(yàn)證
完成與高通最新移動(dòng)處理器的兼容性驗(yàn)證,正式開(kāi)始向客戶(hù)提供產(chǎn)品 "將通過(guò)加強(qiáng)與高通的合作,實(shí)現(xiàn)智能手機(jī)發(fā)展為AI時(shí)代的核心應(yīng)用。" 韓國(guó)首爾2023年10...
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