國內(nèi)和國際MEMS晶圓級測試技術(shù)對比分析

晶圓級測試技術(shù)應(yīng)用于MEMS產(chǎn)品開發(fā)全周期的3個階段：（1）產(chǎn)品研發(fā)（R&D）階段：用以驗證器件工作和生產(chǎn)的可行性，獲得早期器件特征。（2）產(chǎn)品試量產(chǎn)階...

2019-01-01 標(biāo)簽：mems晶圓MEMS器件 8285 0

主流的MEMS器件原理解析

近幾年，智能手機中的壓力傳感器也逐漸成為標(biāo)配，主要用來測量大氣壓力。測量大氣壓的目的，是為了通過不同高度的氣壓，來計算海拔高度，同GPS定位信號配合，實...

2021-01-21 標(biāo)簽：memsMEMS器件MEMS壓力傳感器 8194 0

先進封裝之TSV及TGV技術(shù)初探（二）

另外一個將TGV填實的方案是將金屬導(dǎo)電膠進行TGV填實。利用金屬導(dǎo)電膠的優(yōu)點是固化后導(dǎo)電通孔的熱膨脹系數(shù)可以調(diào)節(jié)，使其接近基材，避免了因CTE不匹配造成的失效。

2023-05-25 標(biāo)簽：BGACMPMEMS器件 6254 0

硅的電阻率和方阻測定和使用問題解析

在MEMS器件設(shè)計過程中電學(xué)性能是重中之重。MEMS大多數(shù)由襯底、介質(zhì)層和金屬層組成，硅襯底、多晶硅和金屬均與電學(xué)性能密不可分。

2024-01-13 標(biāo)簽：多晶硅硅晶圓MEMS器件 4164 0

RDL線寬線距將破亞微米賦能扇出封裝高效能低成本集成

RDL 技術(shù)是先進封裝異質(zhì)集成的基礎(chǔ)，廣泛應(yīng)用扇出封裝、扇出基板上芯片、扇出層疊封裝、硅光子學(xué)和 2.5D/3D 集成方法，實現(xiàn)了更小、更快和更高效的芯片設(shè)計。

2024-03-01 標(biāo)簽：傳感器芯片設(shè)計IC封裝 3463 0

基于MEMS硅微加速度傳感器的設(shè)計方案

硅微加速度傳感器是MEMS器件中的一個重要分支，具有十分廣闊的應(yīng)用前景。由于硅微加速度傳感器具有響應(yīng)快、靈敏度高、精度高、易于小型化等優(yōu)點，而且 該種傳...

2014-07-07 標(biāo)簽：MEMS器件 2102 0

利用EHD噴印技術(shù)在MEMS器件上實現(xiàn)性能優(yōu)異的無掩膜沉積WO3膠體量子點

隨著新一代物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)的發(fā)展，氣體傳感器逐漸向小型化、低功耗以及芯片化發(fā)展。而傳統(tǒng)采用金屬氧化物構(gòu)建的半導(dǎo)體氣體傳感器存在制備和工作溫度高，與硅基工藝不兼...

2023-11-03 標(biāo)簽：物聯(lián)網(wǎng)MEMS器件量子點 1842 0

引領(lǐng)移動MEMS市場發(fā)展 意法半導(dǎo)體MEMS器件解決方案

意法半導(dǎo)體的傳感器產(chǎn)品包括MEMS（微機電 傳感器，包括加速度計、陀螺儀、數(shù)字羅盤、慣性模塊、壓力傳感器和麥克風(fēng)）、溫度傳感器和觸摸傳感器。

2013-02-20 標(biāo)簽：MEMS意法半導(dǎo)體MEMS器件 1470 0

芯片三維互連技術(shù)及異質(zhì)集成研究進展

芯片是推動信息社會蓬勃發(fā)展的基石，掌握高端 芯片的制造技術(shù)關(guān)乎國家未來在人工智能、高性能計 算、5G/6G 通信和萬物互聯(lián)等關(guān)鍵領(lǐng)域的全球競爭力。

2023-05-30 標(biāo)簽：傳感器PCB板MEMS器件 1201 0

基于面積效應(yīng)優(yōu)化的N79頻段BAW射頻濾波器設(shè)計

隨著無線通信網(wǎng)絡(luò)的快速發(fā)展，智能通信設(shè)備、基站和衛(wèi)星等需要更高工作頻率、更大帶寬的射頻濾波器

2023-12-24 標(biāo)簽：無線通信諧振器MEMS器件 993 0

何時使用MEMS器件？

MEMS技術(shù)可以被結(jié)合到各種各樣的電子部件中。生產(chǎn)這些組件的公司大概會認為MEMS實施優(yōu)于MEMS版本問世之前所使用的實施方式。

2020-08-31 標(biāo)簽：memsMEMS器件 820 0

用于寬帶激光束掃描的微懸臂梁集成光子電路

激光束掃描（LBS）是許多應(yīng)用的核心，例如顯示器、顯微鏡、三維映射和量子信息等。

2023-05-29 標(biāo)簽：PIC耦合器MEMS器件 763 0