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標(biāo)簽 > MOS
MOS管,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
MOS管,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
一般是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source(源極)和drain(耗盡層)是可以對(duì)調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下,這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的,即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱的。
場(chǎng)效應(yīng)管分為PMOS管和NMOS管,屬于絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管。
MOS管,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
一般是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source(源極)和drain(耗盡層)是可以對(duì)調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下,這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的,即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱的。
場(chǎng)效應(yīng)管分為PMOS管和NMOS管,屬于絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管。
三相逆變電路 2.導(dǎo)通原理 如上圖所示,為一相的逆變橋。上下MOS管不能同時(shí)導(dǎo)通,那么可以有幾種控制方式: PWM控制上管,下管電平控制(恒高或者橫低)...
2024-11-19 標(biāo)簽:電路設(shè)計(jì)PWMMOS 573 0
MOSFET電路柵源極GS之間并聯(lián)電容后,MOS管為什么會(huì)炸管?原因分析
MOSFET炸管也有三大原因,電壓,電流,溫度,比如MOSFET漏源極兩端的電壓超過了最大極限值,或者M(jìn)OSFET的漏源極電流超過了最大極限值,或者M(jìn)O...
2024-11-15 標(biāo)簽:MOSFET電容電路設(shè)計(jì) 1282 1
MOSFET電路柵源極GS之間為什么需要并聯(lián)一個(gè)電容?居然能解決MOS誤導(dǎo)通的問題?
Part 01 前言 在MOSFET中,dv/dt指的是MOSFET在開關(guān)瞬態(tài)期間,其漏源電壓Vds的變化率,即漏極和源極之間電壓隨時(shí)間的變化速度。一般...
一、行業(yè)背景隨著環(huán)保意識(shí)的不斷提高和城市交通擁堵問題的日益嚴(yán)重,電動(dòng)平衡車以其小巧靈活、綠色環(huán)保等特點(diǎn),成為了人們出行的新選擇。一方面,電動(dòng)平衡車市場(chǎng)呈...
2024-11-15 標(biāo)簽:MOS平衡車電動(dòng)平衡車 160 0
異步內(nèi)置MOS升壓恒壓芯片F(xiàn)P6291,最高輸出5-12V/5-7W,輸入限流可調(diào)
芯片概述FP6291是一個(gè)電流模式升壓DC-DC轉(zhuǎn)換器。FP6291它的PWM電路內(nèi)置0.2Ω功率MOSFET使該調(diào)節(jié)器高效。內(nèi)部補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)還可以最小化多...
2024-11-09 標(biāo)簽:芯片轉(zhuǎn)換器MOS 141 0
1、儲(chǔ)能交流器(PCS)儲(chǔ)能變流器(PCS)的定義儲(chǔ)能變流器,又稱雙向儲(chǔ)能逆變器,英文名PCS(PowerConversionSystem),是儲(chǔ)能系統(tǒng)...
2024-11-08 標(biāo)簽:MOSPCS儲(chǔ)能變流器 179 0
浮思特 | 第四代場(chǎng)阻止型IGBT的抗鎖定能力和超越硅材極限的性能
由于其低導(dǎo)通損耗和開關(guān)能量損耗,IGBT廣泛應(yīng)用于高功率應(yīng)用領(lǐng)域,如電源、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)逆變器和電動(dòng)汽車等。對(duì)更先進(jìn)功率器件的需求促使了新型硅基開發(fā)及寬禁帶材...
低壓差線性穩(wěn)壓器AiP73XX系列產(chǎn)品介紹
低壓差線性穩(wěn)壓器,是一種輸入電壓大于輸出電壓的直流交流穩(wěn)壓器,可以分為雙極型和MOS型。雙極型LDO可以承受高輸入電壓,靜態(tài)電流為mA級(jí)別,MOS型LD...
FP6277同步內(nèi)置MOS升壓恒壓5V/3A芯片,輸入限流可調(diào)
FP6277是一個(gè)具有PWM/PSM控制的電流模式增壓直流-直流轉(zhuǎn)換器。它的PWM電路內(nèi)置30mΩ高側(cè)開關(guān)和30mΩ低側(cè)開關(guān)使該調(diào)節(jié)器高高效。內(nèi)部補(bǔ)償網(wǎng)...
2024-10-26 標(biāo)簽:芯片直流轉(zhuǎn)換器MOS 193 0
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TPA31102D2 VIN是電池電壓通過MOS開關(guān)打開后得到的電壓,開機(jī)瞬間VIN得電,電池電壓會(huì)瞬間跌落怎么解決?
標(biāo)簽:MOS音頻轉(zhuǎn)換器vin 245 2
Toshiba東芝TPN11003NL MOSFETs硅N溝道MOS規(guī)格書立即下載
類別:IC datasheet pdf 2024-11-13 標(biāo)簽:MOSFETMOSN溝道
TOSHIBA東芝TPH3R704PC MOSFETs硅N溝道MOS規(guī)格書立即下載
類別:IC datasheet pdf 2024-11-12 標(biāo)簽:MOSFETMOSN溝道
TPH4R50ANH1 MOSFETs硅N溝道MOS規(guī)格書立即下載
類別:IC datasheet pdf 2024-11-11 標(biāo)簽:MOSFETMOSN溝道
IP2315高效同步降壓轉(zhuǎn)換充電IC中文手冊(cè)立即下載
類別:IC中文資料 2024-10-24 標(biāo)簽:充電MOS降壓轉(zhuǎn)換
Toshiba東芝TPN3R704PL MOSFET硅N溝道MOS產(chǎn)品規(guī)格書立即下載
類別:IC datasheet pdf 2024-09-14 標(biāo)簽:MOSFET東芝MOS
深入探索TK160F10N1L MOSFET:性能、優(yōu)勢(shì)及應(yīng)用
在當(dāng)今電子產(chǎn)品的發(fā)展中,功率半導(dǎo)體元件如MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor...
聚焦羅湖區(qū)企業(yè)家日,仁懋電子展現(xiàn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)新力量
2024年11月2日,在這金秋時(shí)節(jié),深圳市羅湖區(qū)迎來了備受矚目的2024年“企業(yè)家日”。值此盛會(huì)之際,仁懋電子科技有限公司(以下簡(jiǎn)稱“仁懋電子”)與業(yè)界...
NS1705SC 外置 MOS 管開關(guān)降壓型 LED 恒流驅(qū)動(dòng)器
NS1705SC是一款外圍電路簡(jiǎn)單的Buck型平均電流檢測(cè)模式的 LED 恒流驅(qū)動(dòng)器,適用于 8-100V電壓范圍的非隔離式大功率恒流 LED 驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域...
2024-11-01 標(biāo)簽:ledMOS恒流驅(qū)動(dòng)器 163 0
ATA-2161高壓放大器在量子點(diǎn)顯示器發(fā)光MOS結(jié)中的應(yīng)用
實(shí)驗(yàn)名稱:用于超高分辨率量子點(diǎn)顯示器的發(fā)光MOS結(jié)實(shí)驗(yàn)內(nèi)容:為了避免亞微米級(jí)別發(fā)光像素之間的電學(xué)串?dāng)_和多層功能層之間的精確對(duì)準(zhǔn),我們提出了一種基于量子點(diǎn)...
應(yīng)用方案 湯誠(chéng)科技打造高效學(xué)習(xí)神器——詞典筆配套芯片方案
在當(dāng)今信息爆炸的時(shí)代,語言學(xué)習(xí)的重要性不言而喻。然而,面對(duì)浩瀚如海的詞匯和復(fù)雜多變的語法規(guī)則,許多學(xué)習(xí)者感到力不從心。尤其是當(dāng)遇到生僻詞或?qū)I(yè)術(shù)語時(shí),傳...
仁懋電子&深圳先進(jìn)材料研究院孫院長(zhǎng)就芯片封裝行業(yè)友好交流
在這個(gè)充滿挑戰(zhàn)與機(jī)遇的時(shí)代,仁懋電子始終致力于在芯片封裝材料領(lǐng)域深耕細(xì)作,不斷追求創(chuàng)新與突破。今天,仁懋有幸與深圳先進(jìn)電子材料創(chuàng)新研究院孫蓉院長(zhǎng)進(jìn)行了一...
方正微電子:2025年車規(guī)SiC MOS年產(chǎn)能將達(dá)16.8萬片
10月16日,方正微電子宣布,作為第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的IDM(集成設(shè)備制造)企業(yè),公司現(xiàn)擁有兩個(gè)生產(chǎn)基地(fab)。其中,F(xiàn)ab1已實(shí)現(xiàn)每月9000片6英...
NS4117X 系列 外置 MOS 管開關(guān)降壓型 LED 恒流控制器
NS4117X系列是一款外圍電路簡(jiǎn)單的降壓型平均電流檢測(cè)模式的 LED 恒流控制器,輸入電壓最高支持 100V 電壓范圍,輸出電流可調(diào),支持一顆或多顆串...
同步內(nèi)置MOS升壓恒壓5V/2A芯片F(xiàn)P6276B,輸入限流可調(diào)
概述FP6276B是一個(gè)具有PWM/PSM控制的電流模式增壓直流-直流轉(zhuǎn)換器。它的PWM電路內(nèi)置40mΩ高側(cè)開關(guān)和40mΩ低側(cè)開關(guān)使該調(diào)節(jié)器高高效。內(nèi)部...
2024-10-12 標(biāo)簽:芯片轉(zhuǎn)換器MOS 221 0
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