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標(biāo)簽 > mos
MOS管,是MOSFET的縮寫(xiě)。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
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深入探索TK160F10N1L MOSFET:性能、優(yōu)勢(shì)及應(yīng)用
在當(dāng)今電子產(chǎn)品的發(fā)展中,功率半導(dǎo)體元件如MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor...
聚焦羅湖區(qū)企業(yè)家日,仁懋電子展現(xiàn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)新力量
2024年11月2日,在這金秋時(shí)節(jié),深圳市羅湖區(qū)迎來(lái)了備受矚目的2024年“企業(yè)家日”。值此盛會(huì)之際,仁懋電子科技有限公司(以下簡(jiǎn)稱“仁懋電子”)與業(yè)界...
NS1705SC 外置 MOS 管開(kāi)關(guān)降壓型 LED 恒流驅(qū)動(dòng)器
NS1705SC是一款外圍電路簡(jiǎn)單的Buck型平均電流檢測(cè)模式的 LED 恒流驅(qū)動(dòng)器,適用于 8-100V電壓范圍的非隔離式大功率恒流 LED 驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域...
2024-11-01 標(biāo)簽:ledMOS恒流驅(qū)動(dòng)器 178 0
ATA-2161高壓放大器在量子點(diǎn)顯示器發(fā)光MOS結(jié)中的應(yīng)用
實(shí)驗(yàn)名稱:用于超高分辨率量子點(diǎn)顯示器的發(fā)光MOS結(jié)實(shí)驗(yàn)內(nèi)容:為了避免亞微米級(jí)別發(fā)光像素之間的電學(xué)串?dāng)_和多層功能層之間的精確對(duì)準(zhǔn),我們提出了一種基于量子點(diǎn)...
應(yīng)用方案 湯誠(chéng)科技打造高效學(xué)習(xí)神器——詞典筆配套芯片方案
在當(dāng)今信息爆炸的時(shí)代,語(yǔ)言學(xué)習(xí)的重要性不言而喻。然而,面對(duì)浩瀚如海的詞匯和復(fù)雜多變的語(yǔ)法規(guī)則,許多學(xué)習(xí)者感到力不從心。尤其是當(dāng)遇到生僻詞或?qū)I(yè)術(shù)語(yǔ)時(shí),傳...
仁懋電子&深圳先進(jìn)材料研究院孫院長(zhǎng)就芯片封裝行業(yè)友好交流
在這個(gè)充滿挑戰(zhàn)與機(jī)遇的時(shí)代,仁懋電子始終致力于在芯片封裝材料領(lǐng)域深耕細(xì)作,不斷追求創(chuàng)新與突破。今天,仁懋有幸與深圳先進(jìn)電子材料創(chuàng)新研究院孫蓉院長(zhǎng)進(jìn)行了一...
方正微電子:2025年車規(guī)SiC MOS年產(chǎn)能將達(dá)16.8萬(wàn)片
10月16日,方正微電子宣布,作為第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的IDM(集成設(shè)備制造)企業(yè),公司現(xiàn)擁有兩個(gè)生產(chǎn)基地(fab)。其中,F(xiàn)ab1已實(shí)現(xiàn)每月9000片6英...
NS4117X 系列 外置 MOS 管開(kāi)關(guān)降壓型 LED 恒流控制器
NS4117X系列是一款外圍電路簡(jiǎn)單的降壓型平均電流檢測(cè)模式的 LED 恒流控制器,輸入電壓最高支持 100V 電壓范圍,輸出電流可調(diào),支持一顆或多顆串...
同步內(nèi)置MOS升壓恒壓5V/2A芯片F(xiàn)P6276B,輸入限流可調(diào)
概述FP6276B是一個(gè)具有PWM/PSM控制的電流模式增壓直流-直流轉(zhuǎn)換器。它的PWM電路內(nèi)置40mΩ高側(cè)開(kāi)關(guān)和40mΩ低側(cè)開(kāi)關(guān)使該調(diào)節(jié)器高高效。內(nèi)部...
2024-10-12 標(biāo)簽:芯片轉(zhuǎn)換器MOS 250 0
來(lái)源:凌銳半導(dǎo)體 SiC MOS憑借其性能優(yōu)勢(shì)為越來(lái)越多的行業(yè),如儲(chǔ)能,充電樁,光伏逆變器所采用。特別是在采用800V電池系統(tǒng)的新能源車中1200V S...
新品來(lái)襲 | 500V-800V 平面柵VDMOS,自有封裝優(yōu)勢(shì),雪崩耐量高, EMI兼容性好, 抗沖擊能力強(qiáng)!
平面柵VDMOS詳細(xì)介紹平面柵VDMOS(VerticalDouble-DiffusedMetal-Oxide-Semiconductor)是一種特殊類...
新品 | 600V CoolMOS? 8 SJ MOSFET系列
新品600VCoolMOS8SJMOSFET系列英飛凌最新推出的600VCoolMOS8引領(lǐng)著全球高壓超級(jí)結(jié)MOSFET技術(shù)的發(fā)展,在全球范圍內(nèi)樹(shù)立了技...
在電子世界的廣袤領(lǐng)域中,MOS管猶如一個(gè)個(gè)忠誠(chéng)的衛(wèi)士,守護(hù)著電路的穩(wěn)定運(yùn)行。而當(dāng)我們探尋哪個(gè)品牌的MOS管最好時(shí),就如同在眾多英雄豪杰中挑選出最耀眼的那...
5G通信基站的能效先鋒 |仁懋MOSFET在通信基站電源領(lǐng)域的應(yīng)用
在移動(dòng)通信基站電源領(lǐng)域,仁懋電子以其卓越的高壓SJCOOLMOS和中低壓TrenchMOS產(chǎn)品技術(shù),為市場(chǎng)提供了高效能、低損耗的解決方案。隨著5G技術(shù)的...
MOS管,全稱為MOSFET,即金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,是一種具有絕緣柵的FET(FieldEffectTransistor),通過(guò)電壓來(lái)決定器件...
愛(ài)普生S1X8H000和S1K8H000系列單芯片DMOS-ASIC1
精工愛(ài)普生株式會(huì)社(TSE:6724,“愛(ài)普生”)目前正在銷售單芯片DMOS-ASIC1產(chǎn)品為特定應(yīng)用集成IP核2,并在DMOS(雙擴(kuò)散MOSFET)上...
內(nèi)置MOS全集成三相直流無(wú)刷電機(jī)BLDC驅(qū)動(dòng)芯片方案
深圳市永阜康科技有限公司致力于內(nèi)置MOS+預(yù)驅(qū)+算法、全集成三相直流無(wú)刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片的推廣,全系列產(chǎn)品系列外圍僅需幾個(gè)阻容
2024-08-13 標(biāo)簽:BLDCMOS無(wú)刷電機(jī) 1579 0
英飛凌IPD50N10S3L-16:高達(dá)180A電流的功率晶體管中文資料書(shū)
概述: 功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管是一種金屬氧化物硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管,工作電壓最高達(dá)到1kV(SiC:2kV),具有高開(kāi)關(guān)速度和最佳效率。 這項(xiàng)創(chuàng)新技術(shù)在消費(fèi)電...
2024-08-12 標(biāo)簽:英飛凌MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管 245 0
?英飛凌600 V CoolMOS? 8 新一代硅基MOSFET技術(shù)助力電力電子行業(yè)變革
該技術(shù)將對(duì)數(shù)據(jù)中心、可再生能源和消費(fèi)電子等行業(yè)產(chǎn)生深遠(yuǎn)影響。在日新月異的電力電子行業(yè),對(duì)更高效、更強(qiáng)大、更緊湊元器件的需求持續(xù)存在。對(duì)于新一代硅基MOS...
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