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標(biāo)簽 > MRAM
MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory) 是一種非易失性(Non-Volatile)的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫入能力,以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以無(wú)限次地重復(fù)寫入。
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FeRAM,全稱Ferroelectric RAM(鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器),是一種基于鐵電材料特性的非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)。它類似于傳統(tǒng)的SDRAM(同步動(dòng)態(tài)...
從MRAM的演進(jìn)看存內(nèi)計(jì)算的發(fā)展
我國(guó)的存內(nèi)計(jì)算產(chǎn)業(yè)也開始迅猛發(fā)展,知存科技、九天睿芯、智芯科、后摩智能、蘋芯科技等國(guó)內(nèi)專注存內(nèi)計(jì)算賽道的新興公司紛紛獲得融資,加速在該領(lǐng)域的早期市場(chǎng)布局...
探索存內(nèi)計(jì)算—基于 SRAM 的存內(nèi)計(jì)算與基于 MRAM 的存算一體的探究
本文深入探討了基于SRAM和MRAM的存算一體技術(shù)在計(jì)算領(lǐng)域的應(yīng)用和發(fā)展。首先,介紹了基于SRAM的存內(nèi)邏輯計(jì)算技術(shù),包括其原理、優(yōu)勢(shì)以及在神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)領(lǐng)域...
2024-05-16 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)sram 2604 0
MRAM是以磁性隧道結(jié)(MTJ)儲(chǔ)存單元為基礎(chǔ)。MTJ中包含了一個(gè)維持單一極性方向的固定層,和一個(gè)通過隧道結(jié)與其隔離的自由層。當(dāng)自由層被施予和固定層相同...
MRAM(磁性只讀存儲(chǔ)器)和FRAM(鐵電RAM)有何區(qū)別
MRAM或磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器使用具有鐵磁性材料的磁性“狀態(tài)”的1晶體管–1磁性隧道結(jié)(1T-1MTJ)體系結(jié)構(gòu)作為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元素。
2024-01-09 標(biāo)簽:電容器存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)存儲(chǔ) 1117 0
MRAM是以磁性隧道結(jié)(MTJ)儲(chǔ)存單元為基礎(chǔ)。MTJ中包含了一個(gè)維持單一極性方向的固定層,和一個(gè)通過隧道結(jié)與其隔離的自由層。當(dāng)自由層被施予和固定層相同...
“與MRAM相比,ReRAM有兩個(gè)主要優(yōu)勢(shì)——工藝簡(jiǎn)單和更寬的讀取窗口,”的內(nèi)存技術(shù)專家Jongsin Yun說西門子EDA。“MRAM需要10層以上的...
MRAM會(huì)取代DDR嗎?簡(jiǎn)單比較下MRAM、SRAM和DRAM之間的區(qū)別
在當(dāng)前我們比較熟悉的存儲(chǔ)產(chǎn)品就是DRAM和NAND,DRAM和NAND也一直在尋求高帶寬和低功耗的發(fā)展。
數(shù)據(jù)存儲(chǔ)技術(shù)發(fā)展歷程簡(jiǎn)述
數(shù)據(jù)存儲(chǔ)技術(shù)的發(fā)展,可以說是一段漫長(zhǎng)而又充滿神奇色彩的歷程,承載著人類智慧與技術(shù)創(chuàng)新。從最早的打孔卡開始,它逐漸經(jīng)歷了磁存儲(chǔ)、硬盤、閃存,以及現(xiàn)在的云存...
2023-09-22 標(biāo)簽:PCM存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)存儲(chǔ) 3265 0
如何選擇存儲(chǔ)器類型 存算一體芯片發(fā)展趨勢(shì)
閃存存算方面,目前主要路線是基于NOR flash(不是目前優(yōu)盤所用的閃存類型),多數(shù)情況下存儲(chǔ)容量較小,這使得NOR flash單片算力達(dá)到1 TOP...
國(guó)內(nèi)首家批量獨(dú)立式非易失性磁存儲(chǔ) STT-MRAM介紹立即下載
類別:電子資料 2022-07-05 標(biāo)簽:MRAM非易失性存儲(chǔ)器磁存儲(chǔ) 436 0
隨機(jī)存儲(chǔ)器VDMR1M08xS44xx1V35用戶手冊(cè)立即下載
類別:IC datasheet pdf 2022-06-07 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器SiPMRAM 451 0
MRAM實(shí)現(xiàn)對(duì)車載MCU中嵌入式存儲(chǔ)器的取代立即下載
類別:單片機(jī) 2021-12-07 標(biāo)簽:MRAMMCU產(chǎn)品 377 0
基于magnumII測(cè)試系統(tǒng)的測(cè)試技術(shù)研究立即下載
類別:測(cè)試測(cè)量論文 2017-09-19 標(biāo)簽:mramvdmr8m32 1360 0
類別:存儲(chǔ)器技術(shù) 2010-11-16 標(biāo)簽:MRAMeverspin 882 0
觀點(diǎn)評(píng)論 | 新型存儲(chǔ),看好誰(shuí)?
CoughlinAssociates和ObjectiveAnalysis發(fā)布了關(guān)于新興非易失性存儲(chǔ)器的2024年報(bào)告《深入研究新存儲(chǔ)器》。這些存儲(chǔ)器包括...
新思科技助力優(yōu)化MRAM與RRAM的開發(fā)流程
嵌入式閃存及其對(duì)應(yīng)的離片NOR閃存,在非易失性內(nèi)存領(lǐng)域(即用于持久性或長(zhǎng)期數(shù)據(jù)存儲(chǔ))多年來占據(jù)著標(biāo)準(zhǔn)地位。然而,隨著工藝技術(shù)尺寸縮小至28nm以下,這些...
馳拓科技完成12億元B輪融資,加速M(fèi)RAM產(chǎn)業(yè)生態(tài)布局
近日,浙江馳拓科技有限公司在杭州成功舉辦了B輪融資簽約大會(huì)。此次大會(huì)標(biāo)志著公司獲得了誠(chéng)通混改基金、誠(chéng)通國(guó)調(diào)基金、國(guó)調(diào)科改基金、國(guó)新綜改基金、浙江金控、湖...
磁存儲(chǔ)器HS4MANSQ1A-DS1在電池管理系統(tǒng) (BMS)中的應(yīng)用
磁存儲(chǔ)器HS4MANSQ1A-DS1在電池管理系統(tǒng) (BMS)中的應(yīng)用
2024-03-28 標(biāo)簽:電池管理系統(tǒng)MRAM國(guó)芯思辰 415 0
瑞薩電子宣布已開發(fā)具有快速讀寫操作的測(cè)試芯片MRAM
瑞薩電子公司日前宣布,該公司已開發(fā)出用于嵌入式自旋轉(zhuǎn)移矩磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(STT-MRAM)的電路技術(shù),以下簡(jiǎn)稱MRAM)具有快速讀寫操作的測(cè)試芯片。
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