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MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory) 是一種非易失性(Non-Volatile)的磁性隨機存儲器。它擁有靜態隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力,以及動態隨機存儲器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以無限次地重復寫入。
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嵌入式閃存及其對應的離片NOR閃存,在非易失性內存領域(即用于持久性或長期數據存儲)多年來占據著標準地位。然而,隨著工藝技術尺寸縮小至28nm以下,這些...
近日,浙江馳拓科技有限公司在杭州成功舉辦了B輪融資簽約大會。此次大會標志著公司獲得了誠通混改基金、誠通國調基金、國調科改基金、國新綜改基金、浙江金控、湖...
瑞薩電子公司日前宣布,該公司已開發出用于嵌入式自旋轉移矩磁阻隨機存取存儲器(STT-MRAM)的電路技術,以下簡稱MRAM)具有快速讀寫操作的測試芯片。
臺積電近日宣布,與工研院合作開發出自旋軌道轉矩磁性存儲器(SOT-MRAM)陣列芯片,該芯片具有極低的功耗,僅為其他類似技術的1%。這一創新技術為次世代...
臺積電在MRAM技術方面已經取得了顯著進展,成功研發了22納米、16/12納米工藝的MRAM產品線,并積累了大量內存和車用市場訂單。
臺積電和ITRI成功研發SOT-MRAM,功耗僅為STT-MRAM的百分之一
鑒于AI、5G新時代的到來以及自動駕駛、精準醫療診斷、衛星影像辨識等應用對更高效率、穩定性和更低功耗的內存的需求愈發緊迫,如磁阻式隨機存取內存(MRAM...
MRAMHS4MANSQ1A-DS1用于物聯網終端,容量可達4M
物聯網的三大特征是感知物體、信息傳輸和智能處理。物聯網的終端設備(例如可穿戴設備、智能家居等)需要在收集大量數據的同時對數據進行智能處理,并實時與數據中...
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