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標簽 > mram
MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory) 是一種非易失性(Non-Volatile)的磁性隨機存儲器。它擁有靜態隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力,以及動態隨機存儲器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以無限次地重復寫入。
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STT-MRAM非易失性隨機存取存儲器是一款像SRAM一樣 高速、高耐久性、單字節訪問的工作,也可以像ROM/Flash一樣非揮發性,保留時間長的存儲。...
電子發燒友網報道(文/周凱揚)磁性隨機存儲器(MRAM)已經有了多年的發展歷史,最早可以追溯到1984年,Arthur Pohm和 Jim Daught...
2022-11-29 標簽:MRAM 2876 0
存儲器的歷史始于1984年,彼時 Masuoka 教授發明了 NAND Flash(NAND 閃存)。1989年,東芝首款 NAND Flash 上市。...
MRAM是電池儲備電源SRAM(BBSRAM)理想的替代產品。Everspin MRAM高速非易失性存儲器,使用壽命幾乎無限。所具有的綜合性能是任何其他...
三星半導體宣布,通過結構創新,實現了基于MRAM(磁阻式隨機存取存儲)的存儲內運算(In-Memory Computing),進一步拓展了三星下世代低功...
具有快速數據傳輸功能的4Mbit FeRAM MB85RQ4ML
加賀富儀艾電子旗下代理品牌富士通半導體正在批量生產具有快速數據傳輸功能的 4Mbit FeRAM MB85RQ4ML。這種非易失性存儲器可以在最大 10...
2022-08-26 標簽:存儲器Nand flashMRAM 622 0
MRAM可能是非易失性存儲技術的下一個大事件。該技術利用了磁性材料的相對極性和電阻之間的關系。本質上,當兩個磁鐵靠近時,它們的電阻會發生變化,這取決于它...
一些自旋電子存儲器已經面世。MRAM(磁性隨機存儲器)已經商業化,在某些情況下可以取代電子存儲器,但它是基于鐵磁開關的。
磁性隨機存儲器(MRAM)是一種基于自旋電子學的新型信息存儲器件,其核心結構由一個磁性隧道結和一個訪問晶體管構成。MTJ 呈現“三明治”結構,兩層磁性固...
MRAM芯片MR4A16BMA35是一款適用于自動化控制器的存儲器芯片
Everspin了解客戶在工業市場中對長期數據保留和極端溫度支持等功能在通常惡劣的工業環境中非常重要。該技術的固有耐用性通過避免使用其他非易失性存儲器技...
Everspin科技有限公司是全球領先的設計, 制造嵌入式磁阻 RAM (MRAM) 和自旋轉移扭矩 MRAM (STT-MRAM) 的生產商,自從Ev...
Everspin非易失性MRAM-MR0D08BMA45R的特征
MR0D08BMA45R是一款雙電源1Mbit的磁阻隨機存取存儲器(MRAM)器件。支持+1.6~+3.6V的I/O電壓。提供SRAM兼容的45ns讀/...
2021國內新能源汽車銷量近300萬輛,同比增長169.1%;三星宣布發布全球首個MRAM存內計算設計……
2021國內新能源汽車銷量近300萬輛,同比增長169.1%。近日,乘聯會現公布了 2021 年 12 月及全年銷量排名快報。從全年數據來看,比亞迪汽車...
在 MRAM 這類內存寫入時,組件的穿隧氧化層會承受的龐大電壓,使得數據的保存、寫入耐久性,以及寫入速度三者往往不可兼得,必須有所權衡。這意味著即使ST...
Everspin并行接口4Mb MRAM是汽車應用的理想選擇
MRAM速度快且非易失性。實時監控的傳感器數據可以實時寫入,無需負載均衡或ECC開銷。AEC-Q1001級合格MRAM將在發動機罩下應用的擴展溫度(-4...
血液透析是為人工腎、洗腎,是血液凈化技術的一種。其利用半透膜原理,通過擴散、對人體內各種有害以及多余的代謝廢物和過多的電解質移出體外,達到凈化血液的目的...
MRAM像SRAM一樣是快速寫入的,而像Flash一樣也是非易失性的,但是不需要頁面擦除或長寫入周期。事件數據可以以總線速度保存到MRAM,并且即使意外...
Everspin公司生產的MRAM用于數據持久性和應用的市場和應用。Everspin MRAM應用在數據中心和云存儲、汽車和運輸市場。MRAM是一種利用...
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