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標(biāo)簽 > nand閃存
NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)設(shè)備,在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得尤為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品,NAND被證明極具吸引力。NAND閃存是一種非易失性存儲(chǔ)技術(shù),即斷電后仍能保存數(shù)據(jù)。它的發(fā)展目標(biāo)就是降低每比特存儲(chǔ)成本、提高存儲(chǔ)容量。
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近日,業(yè)界傳出消息稱,三星電子將大幅削減MLC NAND閃存的產(chǎn)能供給,并計(jì)劃在2024年底停止在現(xiàn)貨市場(chǎng)銷售該類產(chǎn)品,而到了2025年6月,MLC N...
近日,SK海力士對(duì)外宣布了一項(xiàng)重大技術(shù)突破——成功實(shí)現(xiàn)了全球最高的321層1Tb(太比特,Terabit)TLC(Triple Level Cell)4...
三星電子將出售中國(guó)工廠舊設(shè)備,含西安NAND閃存廠生產(chǎn)線
三星電子即將啟動(dòng)一項(xiàng)計(jì)劃,將其位于中國(guó)西安的NAND閃存工廠以及其他前端和后端工藝生產(chǎn)線的舊設(shè)備進(jìn)行銷售。這些設(shè)備原本因美國(guó)政府的壓力而積壓,現(xiàn)預(yù)計(jì)將通...
三星電子計(jì)劃在2026年前推出400層V-NAND閃存芯片
全球領(lǐng)先的存儲(chǔ)芯片制造商三星電子正積極籌備在2026年前推出劃時(shí)代的400層V-NAND閃存芯片,旨在把握人工智能(AI)浪潮帶來(lái)的存儲(chǔ)設(shè)備市場(chǎng)快速增長(zhǎng)...
據(jù)可靠消息,SK海力士已重新啟動(dòng)向Meta(原Facebook)的數(shù)據(jù)中心供應(yīng)固態(tài)硬盤(SSD)的業(yè)務(wù)。此前,由于Meta延遲訂購(gòu),與Fadu合作贏得的...
三星QLC第九代V-NAND量產(chǎn)啟動(dòng),引領(lǐng)AI時(shí)代數(shù)據(jù)存儲(chǔ)新紀(jì)元
三星電子在NAND閃存技術(shù)領(lǐng)域再次邁出重要一步,其最新推出的QLC V-NAND第九代產(chǎn)品,集成了多項(xiàng)前沿技術(shù)突破,標(biāo)志著數(shù)據(jù)存儲(chǔ)性能與容量的全新飛躍。...
長(zhǎng)江存儲(chǔ)使用國(guó)產(chǎn)設(shè)備制造出3D NAND閃存芯片
9月20日最新資訊指出,長(zhǎng)江存儲(chǔ)面對(duì)美國(guó)出口禁令及被列入實(shí)體清單的雙重挑戰(zhàn),展現(xiàn)出了強(qiáng)大的自主創(chuàng)新能力,成功引入國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備以部分替代原有美系設(shè)備,實(shí)...
2024-09-20 標(biāo)簽:3DNAND閃存長(zhǎng)江存儲(chǔ) 2190 0
西部數(shù)據(jù)計(jì)劃剝離NAND與SSD業(yè)務(wù),估值或達(dá)數(shù)百億美元
近日,西部數(shù)據(jù)宣布了一項(xiàng)重大戰(zhàn)略調(diào)整,計(jì)劃將其NAND閃存和固態(tài)硬盤(SSD)業(yè)務(wù)從現(xiàn)有架構(gòu)中剝離出來(lái),形成兩個(gè)獨(dú)立的業(yè)務(wù)部門。此舉引發(fā)了業(yè)界的廣泛關(guān)注...
DRAM大廠第三季對(duì)DDR5再度調(diào)漲,價(jià)格將上漲15%以上
8月20日最新供應(yīng)鏈動(dòng)態(tài)揭示,DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)行業(yè)巨頭計(jì)劃在第三季度對(duì)DDR5產(chǎn)品實(shí)施新一輪的價(jià)格上調(diào),預(yù)計(jì)漲幅將超過15%。此次調(diào)價(jià)背后...
鎧俠北上市NAND閃存新工廠竣工,預(yù)計(jì)2025年秋投產(chǎn)
存儲(chǔ)芯片巨頭鎧俠(Kioxia)近日宣布了一項(xiàng)重要進(jìn)展:其位于日本巖手縣北上市的第二家NAND閃存制造工廠(Fab 2,簡(jiǎn)稱K2)已圓滿竣工。此次竣工標(biāo)...
SK海力士將在2025年底量產(chǎn)400+層堆疊NAND
近日,韓國(guó)權(quán)威媒體ETNews爆出猛料,SK海力士正在積極籌備加速下一代NAND閃存的研發(fā)進(jìn)程,并且已經(jīng)設(shè)定了明確的發(fā)展時(shí)間表——計(jì)劃在2025年底之前...
SK海力士計(jì)劃推動(dòng)Solidigm在美IPO
據(jù)韓國(guó)經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)和科技媒體Blocks&Files的最新報(bào)道,全球半導(dǎo)體巨頭SK海力士正考慮將其NAND閃存與固態(tài)硬盤子公司Solidigm在美國(guó)...
蘋果將在iPhone中運(yùn)用QLC NAND閃存技術(shù)
據(jù)集邦咨詢于2021年7月25日公布的新近研究報(bào)告顯示,據(jù)悉,蘋果正積極考慮在其未來(lái)的iPhone產(chǎn)品線中導(dǎo)入一項(xiàng)名為QLC NAND閃存技術(shù)的革新性媒...
TrendForce預(yù)測(cè)2025年DRAM與NAND閃存產(chǎn)業(yè)營(yíng)收將創(chuàng)歷史新高
根據(jù)市場(chǎng)調(diào)研公司TrendForce最新公布的一份深入詳盡的研究報(bào)告,得益于對(duì)位元需求持續(xù)攀升,市場(chǎng)供求狀況得到顯著改善從而帶動(dòng)產(chǎn)品價(jià)格穩(wěn)步上升,再加上...
江波龍子公司確認(rèn)參展2024臺(tái)北國(guó)際電腦展
元信電子將展示江波龍的多種企業(yè)級(jí)存儲(chǔ)解決方案,如96GB DDR5 RDIMM內(nèi)存條以及采用國(guó)產(chǎn)128層TLC NAND閃存顆粒的ORCA 4836/U...
三星承諾持續(xù)深耕中國(guó)市場(chǎng),致力于成為中國(guó)人民首選的企業(yè)
早前有報(bào)道指出,三星正積極擴(kuò)大在華手機(jī)產(chǎn)能,JDM產(chǎn)品產(chǎn)量由4400萬(wàn)臺(tái)增至6700萬(wàn)臺(tái),全球手機(jī)生產(chǎn)目標(biāo)亦由原先的2.53億臺(tái)調(diào)升至2.7億臺(tái),其中2...
鎧俠2023財(cái)年?duì)I收10766億日元,同比下滑16%,連續(xù)兩年虧損
由于產(chǎn)品平均售價(jià)大幅度下滑,鎧俠在2023財(cái)政年度錄得凈虧損高達(dá)2437億日元(約合人民幣113.32億元),較去年同期擴(kuò)大了105.6%,凈虧損率高...
2024-05-16 標(biāo)簽:操作系統(tǒng)NAND閃存固態(tài)硬盤 529 0
群聯(lián)一季度財(cái)報(bào)展現(xiàn)營(yíng)收回暖趨勢(shì) 四月單月營(yíng)收創(chuàng)新高
此外,群聯(lián)4月份總收入達(dá)51.56億新臺(tái)幣(折合人民幣約11.5億元),同比增長(zhǎng)53%;前四個(gè)月累計(jì)總收入達(dá)215.82億新臺(tái)幣,同比增長(zhǎng)61%,均創(chuàng)下...
希捷酷玩530R固態(tài)硬盤曝光:TLC NAND存儲(chǔ),寫入耐久達(dá)5050TBW?
該款固態(tài)硬盤尺寸為M.2 2280,具備PCIe Gen4x4規(guī)格,順應(yīng)NVMe 1.4標(biāo)準(zhǔn),最高可達(dá)180萬(wàn)小時(shí)平均故障間隔時(shí)間。并有1TB、2TB及...
Sabrent發(fā)布Rocket nano 2242固態(tài)硬盤:PCIe Gen4x4和M.2 2242規(guī)格?
Rocket nano 2242現(xiàn)已在Sabrent官方網(wǎng)站開售,容量選項(xiàng)僅限于1TB版本,價(jià)格為99.99美元(按當(dāng)前匯率計(jì)算相當(dāng)于723元人民幣左右)。
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