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標(biāo)簽 > NAND_flash
NAND_flash是flash存儲(chǔ)器的一種,具有容量較大,改寫速度快等優(yōu)點(diǎn),實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案,能提供極高的單元密度,可以達(dá)到高存儲(chǔ)密度,應(yīng)用NAND的困難在于flash的管理需要特殊的系統(tǒng)接口,在業(yè)界得到了越來(lái)越廣泛的應(yīng)用。
NAND_flash是flash存儲(chǔ)器的一種,具有容量較大,改寫速度快等優(yōu)點(diǎn),實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案,能提供極高的單元密度,可以達(dá)到高存儲(chǔ)密度,應(yīng)用NAND的困難在于flash的管理需要特殊的系統(tǒng)接口,在業(yè)界得到了越來(lái)越廣泛的應(yīng)用。
NAND_Flash結(jié)構(gòu)與驅(qū)動(dòng)分析立即下載
類別:模擬數(shù)字論文 2016-03-17 標(biāo)簽:NAND_flash
日前在南韓首爾舉辦的三星晶圓代工論壇上,三星相關(guān)負(fù)責(zé)人表示:“今年的目標(biāo)是到年底,將晶圓代工的市占率從第四名提升到第二名,超越聯(lián)電和格芯。未來(lái)則打算超越...
根據(jù)外資的報(bào)告指出,NAND Flash 的產(chǎn)能問(wèn)題,2017 年三星、美光、東芝/西數(shù)、SK Hynix 都會(huì)在下半年量產(chǎn) 64 層,以及 72 層堆...
2017-05-24 標(biāo)簽:NAND存儲(chǔ)器NAND_Flash 1361 0
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