scr

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SCR是可控硅，有單向、雙向、可關(guān)斷和光控幾種類型。它具有體積小、重量輕、效率高、壽命長、控制方便等優(yōu)點(diǎn)，被廣泛用于可控整流、調(diào)壓、逆變以及無觸點(diǎn)開關(guān)等各種自動(dòng)控制和大功率的電能轉(zhuǎn)換的場合。

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全部技術(shù) 資訊資料帖子視頻產(chǎn)品方案企業(yè) 可控硅選型

scr技術(shù)

雙向可控硅仿真設(shè)計(jì)

高壓雙向可控硅（SCR）具有阻斷電壓高、高溫漏電流小、飽和壓降低、開通門限電壓高、陽極脈沖峰值電流大、斷態(tài)陽極電壓上升率（dv/dt）高、開通陽極電流上...

2023-07-12 標(biāo)簽：緩沖器 SCR 雙向可控硅 868 0

一文掌握四個(gè)基本控制電路設(shè)計(jì)方法

啟動(dòng)信號 I0.0 和停止信號 I0.1 持續(xù)為 ON 的時(shí)間般都短。該電路最主要的特點(diǎn)是具有“記憶”功能。

2023-03-27 標(biāo)簽：繼電器控制電路 SCR 844 0

儲(chǔ)能微網(wǎng)應(yīng)用SCR選型設(shè)計(jì)（3）

320A SCR date sheet 提供的控制參數(shù)

2023-10-17 標(biāo)簽：二極管晶閘管 SCR 820 0

ARMV8/ARMV9為什么會(huì)有執(zhí)行狀態(tài)的切換呢？

在一個(gè)大系統(tǒng)中，我們所說這它是64位的，還是32位的，往往說的是kernel內(nèi)核。

2023-09-08 標(biāo)簽：SCR 狀態(tài)機(jī)SoC系統(tǒng) 776 0

晶閘管換向技術(shù)原理介紹

晶閘管換向技術(shù)，作為電力電子技術(shù)中的重要組成部分，廣泛應(yīng)用于各類電力電子設(shè)備和系統(tǒng)中。該技術(shù)通過控制晶閘管的導(dǎo)通與關(guān)斷，實(shí)現(xiàn)對電流或電壓的換向，從而滿足...

2024-05-27 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶閘管 SCR 690 0

碳化硅VJFET的動(dòng)態(tài)電路模型設(shè)計(jì)

在電子儀器行業(yè)中，寬帶隙半導(dǎo)體已被證明比傳統(tǒng)的硅基半導(dǎo)體更有利可圖和有效。寬帶隙碳化硅（SiC）半導(dǎo)體是市場上最先進(jìn)的半導(dǎo)體之一。

2023-08-29 標(biāo)簽：電容器 SCR VHDL語言 687 0

晶閘管電路設(shè)計(jì)：可控硅電路

晶閘管或 SCR 電路用于許多功率控制用途，從照明控制到交流電源電機(jī)以及其他開關(guān)應(yīng)用。

2023-02-17 標(biāo)簽：整流器電路設(shè)計(jì)可控硅 640 0

基于SCR的脈沖發(fā)生器解決方案

Bs&T Frankfurt am Main GmbH 開發(fā)了一種新的基于 SCR 的脈沖發(fā)生器，并在各種感應(yīng)功率組件上進(jìn)行了測試。脈沖發(fā)生器具...

2022-07-29 標(biāo)簽：SCR 脈沖發(fā)生器 593 0

SCR放電管瞬態(tài)特性器件晶格溫度

晶閘管（SCR）由于其深回滯輸出特性曲線，低導(dǎo)通電阻，高ESD泄流能力的特點(diǎn)，在ESD保護(hù)中得到越來越廣泛的應(yīng)用。

2023-07-14 標(biāo)簽：晶閘管 ESD保護(hù)SCR 583 0

可控硅的工作原理

下圖向我們展示了 SCR 的簡單框圖（左上）及其原理圖（右上）。下圖向我們展示了 PNPN 器件的操作，最好將其可視化為一對特殊耦合的晶體管。

2023-12-14 標(biāo)簽：原理圖可控硅 SCR 579 0

ADALM2000實(shí)驗(yàn)：硅控整流器

本實(shí)驗(yàn)活動(dòng)的目的是檢查硅控整流器(SCR)的結(jié)構(gòu)和操作。SCR主要用于需要（在高電壓下）控制更高功率的器件中。SCR能夠開啟和關(guān)斷大電流，適用于中高壓A...

2023-07-12 標(biāo)簽：整流器 SCR ADALM2000 569 0

可控硅結(jié)構(gòu)靜電防護(hù)器件的防閂鎖工程

維持電壓低易閂鎖是高性能可控硅SCR(Silicon Controlled Rectifier)結(jié)構(gòu)靜電防護(hù)器件設(shè)計(jì)時(shí)需要克服的缺點(diǎn)。為了避免SCR靜電...

2024-06-22 標(biāo)簽：可控硅 SCR 靜電防護(hù) 441 0

SCR低壓觸發(fā)放電管設(shè)計(jì)

低壓觸發(fā)區(qū)峰值濃度位置對常溫IV特性的影響

2023-07-13 標(biāo)簽：晶閘管 SCR PNP晶體管 349 0

如何利用SCR輕松驅(qū)動(dòng)AC/DC轉(zhuǎn)換器啟動(dòng)？

01前言過去十年，新裝服務(wù)器的市場需求增長迅猛，2015到2022年復(fù)合年均增長率達(dá)到了11%。拉動(dòng)市場增長的動(dòng)力主要來自以下幾個(gè)方面：首先，個(gè)人文件無...

2024-05-11 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器服務(wù)器 SCR 295 0

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京瓷株式會(huì)社成立于1959年4月1日。川村誠為現(xiàn)任代表取締役社長。資本金為1，157億332萬日元。截至2006年3月31日為止的年度銷售額達(dá)到1，181，489百萬日元，集團(tuán)公司包括關(guān)聯(lián)公司在內(nèi)共計(jì)183家，員工61，468名。
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WiFi6主要使用了OFDMA、MU-MIMO等技術(shù)，MU-MIMO（多用戶多入多出）技術(shù)允許路由器同時(shí)與多個(gè)設(shè)備通信，而不是依次進(jìn)行通信。MU-MIMO允許路由器一次與四個(gè)設(shè)備通信，WiFi6將允許與多達(dá)8個(gè)設(shè)備通信。WiFi6還利用其他技術(shù)，如OFDMA（正交頻分多址）和發(fā)射波束成形，兩者的作用分別提高效率和網(wǎng)絡(luò)容量。WiFi6最高速率可達(dá)9.6Gbps。
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