sic知識(shí)

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  功率器件在多次循環(huán)雙脈沖測(cè)試中的應(yīng)用

  隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展，功率器件在電動(dòng)汽車(chē)、可再生能源、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛。這些應(yīng)用對(duì)功率器件的性能和可靠

  2024-11-26 標(biāo)簽： 半導(dǎo)體 功率器件 SiC 113 0

• 碳化硅SiC在光電器件中的使用

  碳化硅的基本特性 碳化硅是一種由碳和硅組成的化合物半導(dǎo)體，具有以下特性： 寬帶隙 ：SiC的帶隙寬度約為3.26eV，遠(yuǎn)

  2024-11-25 標(biāo)簽： 探測(cè)器 光電器件 SiC 329 0

• 碳化硅SiC在高溫環(huán)境下的表現(xiàn)

  碳化硅（SiC）在高溫環(huán)境下的表現(xiàn)非常出色，這得益于其獨(dú)特的物理和化學(xué)性質(zhì)。以下是對(duì)碳化硅在高溫環(huán)境下表現(xiàn)的分析： 一、

  2024-11-25 標(biāo)簽： 半導(dǎo)體材料 SiC 碳化硅 191 0

• 碳化硅SiC制造工藝詳解 碳化硅SiC與傳統(tǒng)半導(dǎo)體對(duì)比

  碳化硅SiC制造工藝詳解 碳化硅（SiC）作為一種高性能的半導(dǎo)體材料，其制造工藝涉及多個(gè)復(fù)雜步驟，以下是對(duì)SiC制造工藝

  2024-11-25 標(biāo)簽： 半導(dǎo)體 晶圓 SiC 298 0

• 碳化硅SiC在電子器件中的應(yīng)用

  隨著科技的不斷進(jìn)步，電子器件的性能要求也日益提高。傳統(tǒng)的硅（Si）材料在某些應(yīng)用中已經(jīng)接近其物理極限，尤其是在高溫、高壓

  2024-11-25 標(biāo)簽： 電子器件 半導(dǎo)體材料 SiC 265 0

• 碳化硅SiC材料應(yīng)用 碳化硅SiC的優(yōu)勢(shì)與性能

  碳化硅SiC材料應(yīng)用 1. 半導(dǎo)體領(lǐng)域 碳化硅是制造高性能半導(dǎo)體器件的理想材料，尤其是在高頻、高溫、高壓和高功率的應(yīng)用中

  2024-11-25 標(biāo)簽： SiC 半導(dǎo)體器件 碳化硅 242 0

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  一文看懂2025年功率半導(dǎo)體市場(chǎng)展望

  功率半導(dǎo)體市場(chǎng)目前正在經(jīng)歷庫(kù)存調(diào)整，幾乎涵蓋了從消費(fèi)到汽車(chē)再到工業(yè)等所有垂直市場(chǎng)。然而，在數(shù)據(jù)中心人工智能 (AI) 等

  2024-11-22 標(biāo)簽： SiC 人工智能 GaN 430 0

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  5步法克服碳化硅制造挑戰(zhàn)

  幾十年來(lái)，硅（Si）一直是半導(dǎo)體行業(yè)的主要材料——從微處理器到分立功率器件，無(wú)處不在。然而，隨著汽車(chē)和可再生能源等領(lǐng)域?qū)?/p>

  2024-11-21 標(biāo)簽： SiC 碳化硅 146 0

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  一文詳解SiC柵極絕緣層加工工藝

  柵極氧化層可靠性是SiC器件應(yīng)用的一個(gè)關(guān)注點(diǎn)。本節(jié)介紹SiC柵極絕緣層加工工藝，重點(diǎn)介紹其與Si的不同之處。

  2024-11-20 標(biāo)簽： MOSFET SiC 加工工藝 306 0

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  重磅 9項(xiàng) SiC MOSFET測(cè)試與可靠性標(biāo)準(zhǔn)發(fā)布

  原創(chuàng)：CASA 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)戰(zhàn)略聯(lián)盟 2024年11月19日，在第十屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS）開(kāi)幕式上，

  2024-11-20 標(biāo)簽： 測(cè)試 SiC CASA 249 0

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