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      金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

      文章：2408個 瀏覽：62449次 帖子：123個

      sic技術

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      柵極氧化層可靠性是SiC器件應用的一個關注點。本節介紹SiC柵極絕緣層加工工藝，重點介紹其與Si的不同之處。

      2024-11-20 標簽：MOSFETSiC加工工藝 241 0

      理想的太陽能光伏逆變器如何造？

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      全球能源行業正處在一場持續而深刻的變革之中——即從化石燃料能源，向可再生能源的轉變。這個過程盡管曲折，但是對于大趨勢大家早已有了共識，加之近年來智能電網...

      2024-11-20 標簽：太陽能逆變器SiC 513 0

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      SiC是由硅（Si）和碳（C）按1:1的化學計量比組成的晶體，因其內部結構堆積順序的不同，形成不同的SiC多型體，本篇章帶你了解SiC的晶體結構及其可能...

      2024-11-14 標簽：半導體晶體SiC 275 0

      深度了解SiC材料的物理特性

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      2024-11-14 標簽：半導體材料功率器件 298 0

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      SiC晶體中存在各種缺陷，對SiC器件性能有直接的影響。研究清楚各類缺陷的構成和生長機制非常重要。本文帶你了解SiC的晶體缺陷及其如何影響SiC器件特性。

      2024-11-14 標簽：晶體SiCsic器件 226 0

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      高質量低缺陷的SiC晶體是制備SiC功率半導體器件的關鍵，目前比較主流的生長方法有PVT法、液相法以及高溫CVD法等，本文帶你了解以上三種SiC晶體生長...

      2024-11-14 標簽：半導體晶體SiC 151 0

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      SiC單晶是一種硬而脆的材料，切片加工難度大，磨削精度要求高，因此晶圓制造是一個長時間且難度較高的過程。本文介紹了幾種SiC單晶的切割加工技術以及近年來...

      2024-11-14 標簽：SiC工藝流程加工技術 163 0

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      SiC外延生長技術是SiC功率器件制備的核心技術之一，外延質量直接影響SiC器件的性能。目前應用較多的SiC外延生長方法是化學氣相沉積（CVD），本文簡...

      2024-11-14 標簽：晶圓功率器件SiC 175 0

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      2024-11-14 標簽：電動汽車MOSFET壓縮機 143 0

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      隨著全球對可再生能源和清潔電力系統的需求不斷增長，光儲充一體化市場為實現能源的高效利用和優化配置提供了創新解決方案。在此趨勢引領下，碳化硅（SiC）產業...

      2024-11-14 標簽：充電器安森美封裝技術 131 0

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        董明珠， 出生于江蘇南京，企業家 ，先后畢業于安徽蕪湖職業技術學院、中南財經政法大學EMBA2008級 、中國社會科學院經濟學系研究生班、中歐國際工商學院EMBA 。 　　1990年進入格力做業務經理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經營部部長、副總經理、副董事長。并在2012年5月，被任命為格力集團董事長。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國人大代表，擔任民建中央常委、廣東省女企業家協會副會長、珠海市紅十字會榮譽會長等職務 。2004年3月，當選人民日報《中國經濟周刊》評選的2003-2004年度“中國十大女性經濟人物”。2004年6月被評為“受MBA尊敬的十大創新企業家”和2004年11月被評為“2004年度中國十大營銷人物”
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