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      金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

      文章：2408個 瀏覽：62450次 帖子：123個

      sic技術

      如何實現高功率密度三相全橋SiC功率模塊設計與開發呢？

      如何實現高功率密度三相全橋SiC功率模塊設計與開發呢？

      為滿足快速發展的電動汽車行業對高功率密度 SiC 功率模塊的需求，進行了 1 200 V/500 A 高功率密度三相 全橋 SiC 功率模塊設計與開發，...

      2024-03-13 標簽：電動汽車散熱器SiC 1737 1

      基于碳化硅（SiC）材料打造的主驅逆變器即將大規模“上車”

      基于碳化硅（SiC）材料打造的主驅逆變器即將大規模“上車”

      在當今全球汽車工業駛向電動化的滾滾浪潮中，一項關鍵技術正以其顛覆性的性能改變著電動汽車整體市場競爭力的新格局，它便是基于碳化硅（SiC）材料打造的主驅逆變器。

      2024-03-13 標簽：新能源汽車MOSFET逆變器 1539 0

      柵極環路電感對IGBT和EliteSiC Power功率模塊開關特性的影響簡析

      柵極環路電感對IGBT和EliteSiC Power功率模塊開關特性的影響簡析

      IGBT和碳化硅（SiC）模塊的開關特性受到許多外部參數的影響，例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散元件。

      2024-03-12 標簽：驅動器電磁兼容IGBT 1014 0

      碳化硅（SiC）功率器件核心優勢及技術挑戰

      碳化硅（SiC）功率器件核心優勢及技術挑戰

      SiC器件的核心優勢在于其寬禁帶、高熱導率、以及高擊穿電壓。具體來說，SiC的禁帶寬度是硅的近3倍，這意味著在高溫下仍可保持良好的電性能；其熱導率是硅的...

      2024-03-08 標簽：功率器件SiC碳化硅 1217 0

      一文解析SiC功率器件互連技術

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      和硅器件相比,SiC器件有著耐高溫、擊穿電壓 大、開關頻率高等諸多優點,因而適用于更高工作頻 率的功率器件。但這些優點同時也給SiC功率器件的互連封裝帶...

      2024-03-07 標簽：MOSFET功率器件互連技術 1297 0

      新型隔離式Σ-Δ調制器如何提高和增強系統電流測量精度

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      最新的隔離式調制器通過優化內部模擬設計和使用最新斬波技術來改善失調和增益誤差相關的性能，這極大地簡化了系統設計并減少了校準時間。最新ADuM770x器件...

      2024-03-07 標簽：adcSiC調制器 608 0

      SiC功率器件先進互連工藝研究

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      共讀好書 杜隆純 何勇 劉洪偉 劉曉鵬 （湖南國芯半導體科技有限公司 湖南省功率半導體創新中心） 摘要： 針對SiC功率器件封裝的高性能和高可靠性要求，...

      2024-03-05 標簽：功率器件SiCAMB 499 0

      淺談SiC晶體材料的主流生長技術

      淺談SiC晶體材料的主流生長技術

      在SiC晶體的擴徑生長上比較困難，比如我們有了4英寸的晶體，想把晶體直徑擴展到6英寸或者8英寸上，需要花費的周期特別長。

      2024-03-04 標簽：晶體SiC碳化硅 673 0

      碳化硅功率器件的基本原理、性能優勢、應用領域

      碳化硅功率器件主要包括碳化硅二極管（SiC Diode）、碳化硅晶體管（SiC Transistor）等。這些器件通過利用碳化硅材料的優良特性，可以在更...

      2024-02-29 標簽：功率器件SiC碳化硅 1582 0

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      隨著能源效率和環保要求的日益提高，電力電子系統正在向著更高效、更緊湊的方向發展。

      2024-02-28 標簽：晶體管硅二極管功率器件 862 0

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      摘要：隨著儲能變流器向大容量、模塊化發展，碳化硅（SiC）器件由于其低損耗、耐高溫的特性，逐漸成為研究熱點。然而SiC器件過高的開關速度使其對電路中雜散...

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      各行各業的工廠都在擴大生產線的智能化程度，在生產線上的裝置和設備旁邊導入先進信息通信設備的工廠越來越多。

      2024-02-21 標簽：轉換器MOSFETSiC 748 0

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      液相法的核心在于使用石墨坩堝作為反應器，通過在熔融純硅中加入助溶劑，提高其對碳的溶解度。在坩堝靠近壁面的高溫區域，碳溶解于熔融硅中

      2024-02-20 標簽：SiC半導體器件碳化硅 727 0

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      *文末有禮 碳化硅（SiC) 正在改變人類能源控制和轉換的方式，帶來一場顛覆性變革。電動汽車、可再生能源、儲能和不間斷電源等許多應用都能通過SiC實現性...

      2024-03-04 標簽：晶圓SiC碳化硅 635 0

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      SiC MOSFET模塊目前廣泛運用于新能源汽車逆變器、車載充電、光伏、風電、智能電網等領域[2-9] ，展示了新技術的優良特性。

      2024-02-19 標簽：MOSFET數字示波器SiC 1143 0

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      電動汽車 (EV) 普及率的上升激發了市場對優化設計、降低成本和提升車輛運行效率的需求，并為產品測試提出了新的難題。

      2024-02-19 標簽：電動汽車逆變器功率轉換器 908 0

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      北京工業大學和中國北京大學報道了碳化硅襯底（GaN/SiC）上由氮化鎵制成的全垂直結構肖特基勢壘二極管（SBD）的性能

      2024-02-19 標簽：SBDSiCGaN 1180 0

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      2024-01-26 標簽：電容器逆變器SiC 461 0

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        董明珠， 出生于江蘇南京，企業家 ，先后畢業于安徽蕪湖職業技術學院、中南財經政法大學EMBA2008級 、中國社會科學院經濟學系研究生班、中歐國際工商學院EMBA 。 　　1990年進入格力做業務經理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經營部部長、副總經理、副董事長。并在2012年5月，被任命為格力集團董事長。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國人大代表，擔任民建中央常委、廣東省女企業家協會副會長、珠海市紅十字會榮譽會長等職務 。2004年3月，當選人民日報《中國經濟周刊》評選的2003-2004年度“中國十大女性經濟人物”。2004年6月被評為“受MBA尊敬的十大創新企業家”和2004年11月被評為“2004年度中國十大營銷人物”
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      安森美 DIODES Nidec Intel EPSON 樂鑫 Realtek ERNI電子
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