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      標簽　>　SiCMOSFET

      SiCMOSFET

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      sicmosfet技術

      對SiC-MOSFET與IGBT的區(qū)別進行介紹

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      眾所周知，SiC材料的特性和優(yōu)勢已被大規(guī)模地證實，它被認為是用于高電壓、高頻率的功率器件的理想半導體材料。SiC器件的可靠性是開發(fā)工程師所關心的重點之一...

      2017-12-21 標簽：igbtsicmosfet 3.7萬 0

      如何提高碳化硅器件的效率

      如何提高碳化硅器件的效率

      高效率當然是一個優(yōu)點，但有時“高”的說法并不準確，例如：家用電子設備散發(fā)出“較高”的熱量，可以減輕您的中央供暖工作在寒冷氣候中的工作量，或許能從能源使用...

      2022-03-31 標簽：碳化硅GaN器件SiCMOSFET 1827 0

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      sicmosfet資訊

      SICMOSFET的特性及對驅動的要求

      SICMOSFET的特性及對驅動的要求

      導通電阻隨溫度變化率較小，高溫情況下導通阻抗很低，能在惡劣的環(huán)境下很好的工作。

      2019-06-09 標簽：電路STSiCMOSFET 1.1萬 0

      美高森美瞄準工業(yè)和汽車市場推出新型SiC MOSFET和SiC SBD產品，繼續(xù)在碳化硅解決方案領域保持領先地位

      美高森美參加在3月4日至8日在美國舉辦的APEC展覽會，于1147號展位展示適用于惡劣環(huán)境的電源應用新器件。

      2018-02-28 標簽：apec美高森美sicmosfet 6343 0

      英飛凌推出1200V SiC MOSFET 將提高可靠性和降低系統(tǒng)成本

      英飛凌推出1200V SiC MOSFET 將提高可靠性和降低系統(tǒng)成本

      大聯(lián)大旗下品佳代理的英飛凌（Infineon）推出革命性的1200V SiC MOSFET，使產品設計可以在功率密度和性能上達到前所未有的水平。它們將有...

      2018-04-23 標簽：英飛凌碳化硅sicmosfet 3916 0

      國產SiC MOSFET為什么遲遲還未上車？

      電子發(fā)燒友網報道（文/梁浩斌）SiC在電動汽車電驅模塊上的應用，隨著市場對電動汽車長續(xù)航、高壓電氣架構、快充等需求，正在加速普及。 ? 傳統(tǒng)硅基半導體由...

      2022-07-06 標簽：SiC碳化硅SiCMOSFET 3544 0

      深入了解SiCMOSFET實現建議和解決方案的示例

      來源：寬禁帶半導體技術創(chuàng)新聯(lián)盟 對于電網轉換、電動汽車或家用電器等高功率應用，碳化硅 (SiC) MOSFET 與同等的硅 IGBT 相比具有許多優(yōu)勢，...

      2022-12-09 標簽：SiCMOSFET 965 0

      SiCMOSFET和SiCSBD換流單元瞬態(tài)模型

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      2022-12-09 標簽：SiCMOSFETsicsbd 907 0

      提高工業(yè)電機效率：采用SiCMOSFET技術的三相逆變器

      提高工業(yè)電機效率：采用SiCMOSFET技術的三相逆變器

      工業(yè)電機需要可靠、高效的電源解決方案。這款采用SiC（碳化硅）MOSFET技術設計的三相逆變器代表著在滿足現代工業(yè)應用的功率和效率需求方面邁出了重要一步...

      2024-11-15 標簽：電機三相逆變器SiCMOSFET 200 0

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        SDK
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      麥苗青青

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