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      Microchip下一代SiC MOSFET和SiCSBD的特性優(yōu)勢及典型應(yīng)用

      隨著功率電子市場的發(fā)展，傳統(tǒng)硅（Si）器件的性能已經(jīng)接近了理論上的“天花板”，因此近年來以氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）為代表的寬禁帶第三代半導(dǎo)體器...

      2022-06-09 標(biāo)簽：MOSFETmicrochipsicsbd 3143 0

      SiCMOSFET和SiCSBD換流單元瞬態(tài)模型

      來源：電氣技術(shù) 清華大學(xué)電機(jī)系電力系統(tǒng)及發(fā)電設(shè)備安全控制和仿真國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室的研究人員朱義誠、趙爭鳴、王旭東、施博辰，在2017年第12期《電工技術(shù)學(xué)報(bào)...

      2022-12-09 標(biāo)簽：SiCMOSFETsicsbd 906 0

      美高森美瞄準(zhǔn)工業(yè)和汽車市場推出新型SiC MOSFET和SiC SBD產(chǎn)品，繼續(xù)在碳化硅解決方案領(lǐng)域保持領(lǐng)先地位

      美高森美參加在3月4日至8日在美國舉辦的APEC展覽會(huì)，于1147號(hào)展位展示適用于惡劣環(huán)境的電源應(yīng)用新器件。

      2018-02-28 標(biāo)簽：apec美高森美sicmosfet 6342 0

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        電子發(fā)燒友網(wǎng)于2006年10月成立， 是一個(gè)以電子技術(shù)知識(shí)為核心，以工程師為主導(dǎo)的平臺(tái)。致立于為中國電子工程師的電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)等做出最大貢獻(xiàn)，促進(jìn)中國電子科技的穩(wěn)步發(fā)展。
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        提供全球最前沿?zé)o人駕駛科技趨勢，中國無人駕駛開發(fā)者社區(qū)
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