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      標(biāo)簽　>　sicsbd

      sicsbd

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      sicsbd資訊

      美高森美瞄準(zhǔn)工業(yè)和汽車市場(chǎng)推出新型SiC MOSFET和SiC SBD產(chǎn)品，繼續(xù)在碳化硅解決方案領(lǐng)域保持領(lǐng)先地位

      美高森美參加在3月4日至8日在美國(guó)舉辦的APEC展覽會(huì)，于1147號(hào)展位展示適用于惡劣環(huán)境的電源應(yīng)用新器件。

      2018-02-28 標(biāo)簽：apec美高森美sicmosfet 6343 0

      Microchip下一代SiC MOSFET和SiCSBD的特性優(yōu)勢(shì)及典型應(yīng)用

      隨著功率電子市場(chǎng)的發(fā)展，傳統(tǒng)硅（Si）器件的性能已經(jīng)接近了理論上的“天花板”，因此近年來(lái)以氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）為代表的寬禁帶第三代半導(dǎo)體器...

      2022-06-09 標(biāo)簽：MOSFETmicrochipsicsbd 3143 0

      SiCMOSFET和SiCSBD換流單元瞬態(tài)模型

      來(lái)源：電氣技術(shù) 清華大學(xué)電機(jī)系電力系統(tǒng)及發(fā)電設(shè)備安全控制和仿真國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室的研究人員朱義誠(chéng)、趙爭(zhēng)鳴、王旭東、施博辰，在2017年第12期《電工技術(shù)學(xué)報(bào)...

      2022-12-09 標(biāo)簽：SiCMOSFETsicsbd 907 0

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      • 無(wú)人駕駛
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        　Vcc和Vdd是器件的電源端。Vcc是雙極器件的正，Vdd多半是單極器件的正。下標(biāo)可以理解為NPN晶體管的集電極C，和PMOS or NMOS場(chǎng)效應(yīng)管的漏極D。同樣你可在電路圖中看見Vee和Vss，含義一樣。因?yàn)橹髁餍酒Y(jié)構(gòu)是硅NPN所以Vcc通常是正。如果用PNP結(jié)構(gòu)Vcc就為負(fù)了。建議選用芯片時(shí)一定要看清電氣參數(shù)
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