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      標簽　>　stt_mram

      stt_mram

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      　　STT-MRAM是通過自旋電流實現信息寫入的一種新型非易失性磁隨機存儲器，是磁性存儲器MRAM 的二代產品。STT-MRAM存儲單元的核心仍然是一個MTJ，由兩層不同厚度的鐵磁層及一層幾個納米厚的非磁性隔離層組成，它是通過自旋電流實現信息寫入的。

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      stt_mram簡介

      　　STT-MRAM存儲單元陣列通過選通柵極（字線）和位線實現尋址，通過位線電流實現信息的讀寫，其特點如下：（1）非易失性、結構簡單和制備工藝費用小存儲的信息由自由層與固定層磁矩的相對取向決定，讀寫信息次數高（無限次）；一旦寫入信息，即使在斷電的情況下也不會丟失，具有非易失性。同時，STT-MRAM省略了附加寫信息線，其結構簡單，工藝費用少；使得存儲密度提高、存儲容量增大，并可封裝成即插即用式和嵌入式。（2）寫信息的功率損耗小、速度快省略了附加寫信息線，存儲單元的橫截面積可更小；通過位線的電流密度更高，便于自旋矩傳輸；電流減小，可以有較高的電流正負極性變換速度。因此，STT-MRAM寫信息的損耗小、功耗低、速度快。

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      Everspin MRAM存儲芯片如何用MRAM這類非易失性存儲和NVMe SSD構建未來的云存儲的解決方案。 首先STT-MRAM作為異常掉電數據緩存...

      2020-09-19 標簽：MRAMeverspinstt_mram 2884 0

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      Everspin是專業研發生產MRAM、STT-MRAM等半導體領先供應商，在包括40nm，28nm及更高的技術節點在內的先進技術節點上進行了全包交鑰匙...

      2020-04-07 標簽：MRAMeverspinstt_mram 779 0

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      2017-05-09 標簽：微電子stt_mram 1470 0

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